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NTMFS6H801NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),167W(Tc) 2V@ 250µA 90nC@ 10 V 1个N沟道 80V 2.7mΩ@ 50A,10V 5.126nF@40V 贴片安装
供应商型号: 488-NTMFS6H801NLT1GTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS6H801NLT1G

NTMFS6H801NLT1G概述

    MOSFET - Power, Single N-Channel NTMFS6H801NL 技术手册

    1. 产品简介


    NTMFS6H801NL 是一款小型化、高性能的 N 沟道 MOSFET。这款器件主要用于电源管理应用,具有低导通电阻(RDS(on))以减少导通损耗,低栅极电荷(QG)和电容以减少驱动器损耗。此设备符合无铅标准并符合RoHS规范。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    | :: | :: | :: | :: |
    | 漏源电压 | VDSS | 80 | V |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 持续漏极电流(TC=25°C) | ID | 160 | A |
    | 持续漏极电流(TC=100°C) | ID | 113 | A |
    | 最大功率耗散(TC=25°C) | PD | 167 | W |
    | 最大功率耗散(TC=100°C) | PD | 83 | W |
    | 脉冲漏极电流(TA=25°C,tp=10 μs) | IDM | 900 | A |
    | 工作结温及存储温度范围 | TJ, Tstg | -55 到 +175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑设计:采用 5x6 mm 的小尺寸封装,适合紧凑设计。
    - 低 RDS(on):最小化导通损耗,RDS(on) 在 VGS=10V 时为 2.7 mΩ。
    - 低 QG 和电容:最小化驱动器损耗,总栅极电荷(QG(TOT))为 44 nC。
    - 环保合规:无铅,RoHS 合规,环保友好。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:广泛应用于电源转换和电机控制等领域。
    - 使用建议:
    - 确保使用环境温度不超过规定的范围。
    - 使用适当的散热措施以确保器件正常工作。
    - 根据负载需求选择合适的驱动器和栅极电阻,以优化性能。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与标准电源系统和控制系统高度兼容。
    - 支持和维护:制造商提供全面的技术支持,包括详细的文档和在线支持资源。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关时间过长
    - 解决方法: 减少栅极电阻,或者增加驱动器能力。
    - 问题2: 导通电阻过高
    - 解决方法: 检查工作环境温度,确保在规定范围内。

    7. 总结和推荐


    NTMFS6H801NL 具有出色的性能和高可靠性,适用于多种电源管理和电机控制应用。其紧凑的设计和低损耗的特点使其在市场上具有很强的竞争力。推荐在需要高效、紧凑且可靠的电源解决方案的项目中使用。
    本手册提供了对 NTMFS6H801NL 的全面了解,帮助您更好地利用这一高性能器件。建议仔细阅读手册中的详细信息,以便获得最佳的应用效果。

NTMFS6H801NLT1G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 2.7mΩ@ 50A,10V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
配置 -
最大功率耗散 3.8W(Ta),167W(Tc)
Id-连续漏极电流 -
通道数量 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 5.126nF@40V
栅极电荷 90nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
包装方式 卷带包装

NTMFS6H801NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS6H801NLT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS6H801NLT1G NTMFS6H801NLT1G数据手册

NTMFS6H801NLT1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ $ 1.006 ¥ 8.4189
3000+ $ 0.9922 ¥ 8.3031
库存: 1500
起订量: 1500 增量: 1
交货地:
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