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NXH300B100H4Q2F2PG

产品分类: IGBT模块
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi igbt模块, 最大 1000 V, 最大 73 A
供应商型号: 2456969
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT模块 NXH300B100H4Q2F2PG

NXH300B100H4Q2F2PG概述

    Si/SiC Hybrid Modules – EliteSiC, 3 Channel Flying Capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode, Q2 Package

    产品简介


    Si/SiC Hybrid Modules 是一款高密度集成功率模块,结合了高性能 IGBT(绝缘栅双极型晶体管)与1200 V SiC(碳化硅)二极管。该模块适用于需要高效能和紧凑设计的应用,广泛应用于太阳能逆变器和不间断电源系统等领域。

    技术参数


    - IGBT 额定值:
    - 集电极-发射极电压 \(V{CES}\): 1000 V
    - 门极-发射极电压 \(V{GE}\): ±20 V (正向瞬态门极-发射极电压)
    - 持续集电极电流 \(IC\): 73 A
    - 脉冲峰值集电极电流 \(I{C(Pulse)}\): 219 A
    - 最大功耗 \(P{tot}\): 194 W
    - 最小操作结温 \(T{JMIN}\): -40°C
    - 最大操作结温 \(T{JMAX}\): 175°C
    - 反向二极管和旁路二极管额定值:
    - 峰值重复反向电压 \(V{RRM}\): 1600 V
    - 持续正向电流 \(IF\): 36 A
    - 脉冲重复正向电流 \(I{FRM}\): 108 A
    - 最大功耗 \(P{tot}\): 79 W
    - 最小操作结温 \(T{JMIN}\): -40°C
    - 最大操作结温 \(T{JMAX}\): 150°C
    - Boost SiC Schottky二极管额定值:
    - 峰值重复反向电压 \(V{RRM}\): 1200 V
    - 持续正向电流 \(IF\): 36 A
    - 脉冲重复正向电流 \(I{FRM}\): 108 A
    - 最大功耗 \(P{tot}\): 104 W
    - 最小操作结温 \(T{JMIN}\): -40°C
    - 最大操作结温 \(T{JMAX}\): 175°C

    产品特点和优势


    - 极高效率的沟槽场截止技术:该技术显著降低了开关损耗,从而减少了系统的总功率损耗。
    - 低开关损耗:有助于提高系统的整体效率。
    - 高功率密度:紧凑的设计适合于空间受限的应用场合。
    - 低电感布局:优化的布局有助于减少寄生电感,提高系统性能。
    - 三通道Q2BOOST封装:提供更灵活的系统设计和更高的可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 太阳能逆变器:由于其高效的特性,非常适合用于太阳能逆变器,可以有效提升转换效率。
    - 不间断电源系统:在UPS系统中,该模块可以提供可靠的电力供应,减少停电风险。
    使用建议:
    - 在选择冷却系统时,要确保其能够满足最大结温的要求。
    - 在安装时,要确保良好的电气连接和热管理,以保持模块的最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该模块支持多种安装方式,包括压接式引脚和焊接式引脚,便于与不同的电路板设计兼容。
    - 支持:制造商提供了详尽的技术文档和支持服务,可以帮助用户进行正确的安装和调试。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何避免模块过热?
    - A: 选择合适的散热器并确保良好的热管理是关键。此外,确保正确的门极驱动电压以优化开关性能。

    - Q:模块的可靠性和寿命如何保证?
    - A: 通过遵循安全操作参数,并定期进行维护检查,可以最大限度地延长模块的使用寿命。

    总结和推荐


    Si/SiC Hybrid Modules 是一款非常出色的功率模块,其高性能和高可靠性使其成为太阳能逆变器和不间断电源系统的理想选择。它不仅具有出色的效率,而且在设计上也非常紧凑,便于集成到现有系统中。因此,我们强烈推荐使用该模块。
    以上内容是对Si/SiC Hybrid Modules – EliteSiC, 3 Channel Flying Capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode, Q2 Package 的详细介绍,涵盖了产品特性、技术参数、应用实例以及使用建议等方面。希望这些信息对您有所帮助。

NXH300B100H4Q2F2PG参数

参数
最大功率耗散 194W
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.25V@ 15V,100A
最大集电极发射极饱和电压 -
配置 -
集电极电流 73A
安装方式 底座安装
包装方式 托盘

NXH300B100H4Q2F2PG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NXH300B100H4Q2F2PG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR IGBT模块 ON SEMICONDUCTOR NXH300B100H4Q2F2PG NXH300B100H4Q2F2PG数据手册

NXH300B100H4Q2F2PG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 1166.3553
2+ ¥ 1107.8002
4+ ¥ 1085.6428
8+ ¥ 1063.9314
12+ ¥ 1042.6555
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