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NVTFS8D1N08HTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 23nC@ 10V 8.3mΩ@ 16A,10V 14A;61A DFN-8
供应商型号: 488-NVTFS8D1N08HTAGDKR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS8D1N08HTAG

NVTFS8D1N08HTAG概述

    # NVTFS8D1N08H MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVTFS8D1N08H 是 ON Semiconductor 推出的一款高性能 N 沟道屏蔽栅功率 MOSFET,专为高效率设计而开发。该产品具有小尺寸封装(5x6 mm),适用于紧凑型电路设计。它具备低导通电阻(RDS(on))和优化的驱动损耗,广泛应用于开关电源、电机驱动和汽车电子等领域。
    主要功能
    - 小尺寸封装,便于空间受限的应用设计。
    - 低 RDS(on),有效减少功率损耗。
    - 优化的 QG 和电容特性,降低驱动功耗。
    - 具备 AEC-Q101 认证,适合汽车级应用。
    应用领域
    - 开关电源(SMPS)
    - 电机控制
    - 汽车电子(如车身控制模块、照明系统)
    - 工业控制

    技术参数


    以下是 NVTFS8D1N08H 的关键技术参数,确保其在各种工作条件下的稳定性和可靠性:
    | 参数名称 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 漏源电压 | VDSS | 80 | V |
    | 连续漏极电流(TA=25°C) | ID | 14 | A |
    | 功率耗散(TA=25°C) | PD | 3.8 | W |
    | 无铅封装 Pb-Free
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55至175 | °C |
    电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):6.4 至 8.3 mΩ(VGS=10V, ID=16A)
    - 输入电容(CISS):典型值 1450 pF
    - 输出电容(COSS):典型值 776 pF
    - 反向转移电容(CRSS):典型值 46 pF
    - 总栅极电荷(QG(TOT)):典型值 9 至 23 nC

    产品特点和优势


    NVTFS8D1N08H 在多个方面展现了卓越的性能和可靠性,以下是其主要特点和优势:
    1. 紧凑设计:5x6 mm 封装使其非常适合空间受限的应用。
    2. 高效节能:低 RDS(on) 减少了导通损耗,同时优化的 QG 和电容特性降低了驱动损耗。
    3. 认证与环保:AEC-Q101 资格认证和无铅/无卤素设计,确保其符合严格的行业标准。
    4. 高可靠性:湿式边缘选项(Wettable Flank Option)增强了光学检查能力,提高了焊接质量。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NVTFS8D1N08H 广泛应用于多种电子系统中,例如:
    - 开关电源:作为主开关管,提供高效能的电源转换。
    - 电机驱动:驱动小型电机,实现精确的速度和位置控制。
    - 汽车电子:用于车身控制模块,满足严格的温度和振动要求。
    使用建议
    - 确保正确选择散热片,以避免因过热导致的失效。
    - 在高温环境下使用时,注意调整栅极驱动电压以保持稳定性。
    - 定期检查 PCB 设计,确保良好的热管理。

    兼容性和支持


    NVTFS8D1N08H 支持多种标准封装和接口,与其他主流控制器和驱动器兼容。ON Semiconductor 提供详尽的技术支持文档和在线资源,包括产品手册、应用笔记和技术支持热线。

    常见问题与解决方案


    以下是用户可能遇到的一些问题及解决方案:
    | 问题 | 解决方案 |

    | 温度过高 | 检查散热片设计并改进通风 |
    | 驱动信号不稳定 | 调整栅极驱动电路阻抗 |
    | 无法正常启动 | 确认栅极驱动电压设置是否正确 |

    总结和推荐


    NVTFS8D1N08H 是一款高性能、高可靠性的 MOSFET,特别适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。其低导通电阻、优化的驱动损耗以及严格的工业标准认证,使其在市场上具有很强的竞争力。对于需要高性能和环保要求的应用,我们强烈推荐使用此产品。
    如果您对 ON Semiconductor 的其他产品感兴趣,请访问其官方网站了解更多详情。

NVTFS8D1N08HTAG参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
Id-连续漏极电流 14A;61A
FET类型 -
Rds(On)-漏源导通电阻 8.3mΩ@ 16A,10V
栅极电荷 23nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 -
最大功率耗散 -
配置 -
Vgs-栅源极电压 -
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通用封装 DFN-8
包装方式 卷带包装

NVTFS8D1N08HTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS8D1N08HTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS8D1N08HTAG NVTFS8D1N08HTAG数据手册

NVTFS8D1N08HTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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