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NVTFS6H850NWFTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),107W(Tc) 20V 4V@ 70µA 19nC@ 10 V 1个N沟道 80V 9.5mΩ@ 10A,10V 11A,68A 1.14nF@40V DFN 贴片安装
供应商型号: 863-NVTFS6H850NWFTAG
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS6H850NWFTAG

NVTFS6H850NWFTAG概述

    NVTFS6H850N MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVTFS6H850N 是一种功率N沟道MOSFET,设计用于紧凑型电路设计。该器件具备低导通电阻(RDS(on)),能有效降低传导损耗,并具有低电容特性,减少驱动损耗。此外,NVTFS6H850N还通过了AEC-Q101认证,支持PPAP(生产件批准程序)。该产品为无铅且符合RoHS标准,适用于汽车和其他高可靠性要求的应用场景。

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压 VDSS:80V
    - 栅源电压 VGS:±20V
    - 持续漏极电流 ID:(TC=25°C)68A,(TC=100°C)48A
    - 脉冲漏极电流 IDM:(TA=25°C,tp=10μs)300A
    - 热阻 RJC:1.4°C/W
    - 热阻 RJA:47°C/W
    - 工作结温范围 TJ, Tstg:-55°C 到 +175°C
    - 电气特性:
    - 导通电阻 RDS(on):(VGS=10V,ID=10A)8.5mΩ - 9.5mΩ
    - 零栅电压漏极电流 IDSS:(TJ=25°C)10nA,(TJ=125°C)250nA
    - 输入电容 Ciss:(VGS=0V,f=1MHz,VDS=40V)1140pF
    - 输出电容 Coss:175pF
    - 反向转移电容 Crss:10pF

    3. 产品特点和优势


    - 小型封装:采用3.3x3.3mm的小型封装,适合紧凑型设计。
    - 低导通电阻:9.5mΩ的导通电阻,可以有效降低传导损耗。
    - 低电容:1140pF的输入电容,可减少驱动损耗。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车及其他高可靠性要求的应用。
    - 无铅,RoHS合规:满足环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电源转换器:利用其低导通电阻特性,适用于需要高效转换的场合。
    - 电动车辆:由于其高可靠性和高温度范围,适用于电动车电机驱动系统。
    - 通信设备:低电容特性使其适用于高频通信设备。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意其热管理设计,确保良好的散热效果。
    - 对于高速开关应用,考虑使用适当的栅极电阻来限制开关速度。

    5. 兼容性和支持


    该产品具有良好的兼容性,可以与其他符合标准的电子元器件或设备进行连接。厂家提供了详尽的技术支持和文档资料,包括详细的订购信息和包装说明。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:如何正确焊接该器件?
    - 解决方案:建议使用符合RoHS标准的无铅焊料,确保焊接温度不超过260°C。
    - 问题2:长时间使用后出现发热严重的问题。
    - 解决方案:检查电路板设计是否合理,尤其是散热设计部分;如需改善,可以在MOSFET周围增加散热片或使用散热膏。

    7. 总结和推荐


    总结:
    NVTFS6H850N是一款高性能的功率N沟道MOSFET,其独特的优点使其适用于多种高可靠性应用场合,特别是在需要高效能转换和高温度耐受性的场景中表现出色。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和可靠性,强烈推荐使用NVTFS6H850N作为关键电力转换应用的理想选择。对于需要高效能和高可靠性的项目,此产品是一个非常值得信赖的选择。

NVTFS6H850NWFTAG参数

参数
最大功率耗散 3.2W(Ta),107W(Tc)
栅极电荷 19nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 9.5mΩ@ 10A,10V
Id-连续漏极电流 11A,68A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.14nF@40V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 70µA
Vds-漏源极击穿电压 80V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS6H850NWFTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS6H850NWFTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS6H850NWFTAG NVTFS6H850NWFTAG数据手册

NVTFS6H850NWFTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.748 ¥ 14.7706
10+ $ 1.1236 ¥ 9.494
100+ $ 0.737 ¥ 6.2277
500+ $ 0.5929 ¥ 5.0102
1500+ $ 0.5411 ¥ 4.5721
3000+ $ 0.4515 ¥ 3.8152
库存: 2961
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