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NVMFS6B85NLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.5W(Ta),42W(Tc) 16V 2.4V@ 250µA 7.9nC@ 10V 1个N沟道 100V 46mΩ@ 10A,10V 5.6A,19A 480pF@25V DFN 贴片安装
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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS6B85NLT1G

NVMFS6B85NLT1G概述

    # NVMFS6B85NL Power MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    基本介绍
    NVMFS6B85NL 是一款高性能的单片式 N 沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET)。其主要特点在于小巧的封装尺寸(5×6 mm)、低导通电阻(RDS(on))和低门极电荷(QG),使其成为紧凑设计的理想选择。这款器件适用于多种电子应用,特别是在高效率要求的场合中表现出色。
    主要功能与应用领域
    - 主要功能:高电流承载能力(最大连续电流可达 19 A),低导通损耗,适合高频开关操作。
    - 应用领域:
    - 开关电源(SMPS)
    - 电机驱动器
    - LED 驱动电路
    - 车载电子系统(符合 AEC-Q101 标准)

    2. 技术参数


    以下是 NVMFS6B85NL 的关键技术和性能指标:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDSS | 100 | — | — | V |
    | 栅源击穿电压 | VGS | ±16 | — | — | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 19 | — | 14 | A |
    | 栅极至源极泄露电流 | IGSS | — | — | 100 | nA |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 37 | 46 | 72 | mΩ |
    | 输入电容 | CISS | 480 | — | — | pF |
    | 输出电容 | COSS | — | 170 | — | pF |
    | 反向转移电容 | CRSS | — | 15 | — | pF |
    | 总栅极电荷 | QG(TOT) | 3.8 | 7.9 | — | nC |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 | — | +175 | °C |

    3. 产品特点和优势


    NVMFS6B85NL 在多个方面展现了卓越的技术优势:
    - 小型化设计:采用 5×6 mm 封装,占用空间小,适合紧凑设计需求。
    - 低导通损耗:RDS(on) 最低仅为 37 mΩ(@ VGS = 10 V),有效减少功耗。
    - 快速开关性能:优秀的总栅极电荷(QG)和较低的栅极到源极电荷(QGS),提升了开关速度。
    - 增强可检测性:湿法侧向选项(Wettable Flank)有助于提高光学检测精度。
    - 车规级认证:通过 AEC-Q101 认证,确保在汽车电子中的可靠性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例
    - 开关电源模块:在开关频率较高时,利用其低导通电阻特性,显著降低损耗并提高能效。
    - 电池管理系统:高电流承载能力和快速开关特性使其成为 BMS 中的理想选择。
    - 车载逆变器:凭借其鲁棒性及高温耐受性,适用于车载电子设备。
    使用建议
    - 为优化散热效果,在 PCB 设计时应确保散热铜箔面积不低于 650 mm²,厚度不少于 2 oz。
    - 避免长时间超过额定值工作以延长使用寿命。
    - 使用匹配的驱动电路来控制栅极电压变化速率,避免过冲或下冲现象。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NVMFS6B85NL 支持标准焊接工艺,并且与多种 PCB 材料良好匹配。
    - 支持服务:提供全面的技术文档及产品资料下载通道,支持工程师定制化需求。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻偏高 | 确保栅极电压达到额定值(≥ 10 V)。 |
    | 开关波形异常 | 调整栅极电阻阻值至推荐范围。 |
    | 温度过高 | 加大散热铜箔面积或增加外部风扇。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    NVMFS6B85NL 凭借其低功耗、高效率和小型化的特性,成为现代电力电子领域的优选器件。它尤其适合需要高性能且受限于空间的应用场景。
    推荐结论
    我们强烈推荐此产品用于各类高频、高效能的开关电源和车载电子系统中。对于追求稳定性和长期可靠性的项目,它无疑是一个明智的选择。

NVMFS6B85NLT1G参数

参数
Id-连续漏极电流 5.6A,19A
Rds(On)-漏源导通电阻 46mΩ@ 10A,10V
配置 -
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 16V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 480pF@25V
最大功率耗散 3.5W(Ta),42W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.4V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
栅极电荷 7.9nC@ 10V
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS6B85NLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS6B85NLT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS6B85NLT1G NVMFS6B85NLT1G数据手册

NVMFS6B85NLT1G封装设计

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