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NTMJS1D3N04CTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),128W(Tc) 20V 3.5V@ 170µA 65nC@ 10V 1个N沟道 40V 1.3mΩ@ 50A,10V 41A,235A 4.3nF@25V 贴片安装
供应商型号: 488-NTMJS1D3N04CTWGTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMJS1D3N04CTWG

NTMJS1D3N04CTWG概述

    电子元器件产品技术手册

    产品简介


    本文将介绍一款来自Semiconductor Components Industries, LLC的高性能电子元器件——NTMJS1D3N04C。这是一款低压功率金属氧化物半导体场效应晶体管(Power MOSFET),主要用于电源转换和开关应用。它具有小封装、低导通电阻和优化的电荷分布等特点,非常适合需要高效率、紧凑设计的应用场合。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS = 40V
    - 最大漏极电流:ID = 235A(TC = 25°C)
    - 持续功率耗散:PD = 128W(TC = 25°C)
    - 热阻:
    - 结到外壳:RJC = 1.2°C/W
    - 结到环境:RJA = 36°C/W
    - 栅极对源极漏电流:IGSS = 100nA(VDS = 0V, VGS = 20V)
    - 导通电阻:RDS(on) = 1.3mΩ @ VGS = 10V
    - 栅极电荷:QG(TOT) = 65nC(VGS = 10V, VDS = 20V)
    - 安全工作温度范围:TJ, Tstg = -55°C to +175°C

    产品特点和优势


    - 小尺寸封装:采用5x6mm的小型封装,非常适合紧凑设计的应用。
    - 低导通电阻:RDS(on) = 1.3mΩ @ VGS = 10V,能够显著降低导通损耗。
    - 低栅极电荷:QG(TOT) = 65nC,有助于减少驱动损耗。
    - 无铅、无卤素、无BFR且RoHS合规:符合环保标准,适用于各种工业应用。
    - 坚固耐用:具备单脉冲雪崩耐受能力,增强可靠性。

    应用案例和使用建议


    - 电源转换器:适用于高效能电源转换器,特别是那些要求紧凑尺寸的应用。
    - 直流-直流转换器:能够处理大电流,适合用于电动工具、电机控制等应用。
    - 电池充电电路:低栅极电荷特性使得它在电池充电电路中表现优异。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,应注意散热,避免因过热导致的故障。
    - 在设计电路时,考虑使用较低的栅极电压以减少功耗。

    兼容性和支持


    - 兼容性:该器件采用LFPAK-E封装,属于行业标准封装,易于与其他设备集成。
    - 支持:ON Semiconductor提供全面的技术支持和维护服务,包括设计指导和技术文档。

    常见问题与解决方案


    - 问题1:如何确定最大允许的工作电流?
    - 解答:查阅技术手册中的“连续漏极电流”参数,根据具体应用条件选择合适的工作电流。
    - 问题2:如何进行散热管理?
    - 解答:确保PCB板有足够的铜箔面积进行散热,并考虑加装散热片或其他散热装置。

    总结和推荐


    NTMJS1D3N04C是一款出色的低压功率MOSFET,具有低导通电阻、低栅极电荷和小尺寸封装的特点。其卓越的性能使其在电源转换、直流-直流转换器和电池充电等领域有着广泛的应用前景。对于追求高效能和紧凑设计的工程师而言,这是一款值得考虑的产品。强烈推荐使用此产品以实现更好的性能和可靠性。
    通过以上内容,我们对NTMJS1D3N04C这款产品进行了详细介绍,并提供了技术参数、产品特点及应用场景的详细说明。希望这些信息能帮助您更好地了解和使用这款优秀的产品。

NTMJS1D3N04CTWG参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 40V
栅极电荷 65nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.3nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 170µA
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 20V
最大功率耗散 3.8W(Ta),128W(Tc)
配置 -
Id-连续漏极电流 41A,235A
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3mΩ@ 50A,10V
安装方式 贴片安装
零件状态 在售

NTMJS1D3N04CTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMJS1D3N04CTWG数据手册

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NTMJS1D3N04CTWG封装设计

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