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FDP045N10A_F102

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 263W 20V 1个N沟道 100V 4.5mΩ 656A TO-220 通孔安装 10.29mm*4.83mm*9.65mm
供应商型号:
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标准整包数: 0
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP045N10A_F102

FDP045N10A_F102概述

    # 全面解析Fairchild半导体的FDP045N10A/FDI045N10A N-Channel PowerTrench® MOSFET

    1. 产品简介


    基本信息
    FDP045N10A 和 FDI045N10A 是由 Fairchild 半导体开发的高性能 N-Channel PowerTrench® 功率 MOSFET 系列器件。该系列 MOSFET 采用先进的 PowerTrench® 工艺制造,专为低导通电阻(RDS(on))和卓越开关性能设计,适用于高电流、高频功率转换场景。
    主要功能
    - 高效低损耗运行:提供极低的导通电阻,典型值为 3.8 mΩ(VGS = 10 V,ID = 100 A)。
    - 快速开关速度:优秀的开关性能适合高频电路设计。
    - 罗氏合规:符合环保标准,无铅设计。
    应用领域
    广泛应用于服务器电源、通信电源、电池保护电路及太阳能逆变器等领域。此外,这些器件还可用于电机驱动和不间断电源系统。

    2. 技术参数


    | 参数名称 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 漏源电压(VDSS) | - | 100 | - | V |
    | 栅源电压(VGSS) | ±20 | - | ±20 | V |
    | 连续漏极电流(ID) | 120 | 164 | - | A |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | - | 637 | - | mJ |
    | 功耗(PD) | - | 263 | - | W |
    | 温度范围(TJ, TSTG) | -55 | - | 175 | °C |
    | 热阻抗(RθJC) | 0.57 | - | - | °C/W |
    | 输入电容(Ciss) | - | 3960 | 5270 | pF |
    | 输出电容(Coss) | - | 925 | 1230 | pF |

    3. 产品特点和优势


    独特功能
    - 极低的导通电阻:典型值 3.8 mΩ,降低功耗并提高效率。
    - 快速开关特性:有助于减少开关损耗,特别适合高频应用。
    - 可靠性高:通过快速恢复体二极管和优异的热稳定性实现高性能。
    市场竞争力
    FDP045N10A/FDI045N10A 提供了出色的性价比和高效的能源管理能力,使其在竞争激烈的电源管理市场中脱颖而出。尤其在高密度电源模块设计中,其卓越的性能和高可靠性是不可替代的优势。

    4. 应用案例和使用建议


    应用场景
    - 同步整流:适用于 ATX 电源和服务器电源,能显著提高电源转换效率。
    - 电机控制:作为电机驱动核心组件,有效提升动态响应速度。
    - 太阳能逆变器:配合逆变器设计实现高精度和高效率的电力转换。
    使用建议
    - 在设计电路时,需确保栅极驱动信号满足最小驱动能力要求,避免因驱动不足导致性能下降。
    - 考虑散热问题,选择适当的 PCB 设计以优化热传导路径。

    5. 兼容性和支持


    兼容性
    该器件可无缝集成到多种电路中,与主流的 PCB 板和封装工具兼容。同时,ON Semiconductor 提供全方位的技术支持,包括产品选型指导、设计支持和售后咨询。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查驱动电路是否满足最低驱动电流要求。 |
    | 导通电阻过高 | 确保 VGS 超过阈值电压(≥4 V)。 |
    | 热管理困难 | 增加散热片面积或采用强制风冷措施。 |

    7. 总结和推荐


    综合评估
    FDP045N10A/FDI045N10A 是一款性能卓越的功率 MOSFET,具有高效率、低损耗和高可靠性等特点,在高密度、高功率密度的电源管理系统中表现尤为出色。它非常适合对性能要求苛刻的应用场景。
    推荐结论
    我们强烈推荐 FDP045N10A/FDI045N10A 作为高性能功率 MOSFET 的首选方案,尤其适用于服务器电源、通信电源和电机驱动等关键领域。
    如需更多信息或技术支持,请访问 [ON Semiconductor 官网](www.onsemi.com) 或联系相关技术支持团队。

FDP045N10A_F102参数

参数
Id-连续漏极电流 656A
栅极电荷 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 -
通道数量 -
FET类型 1个N沟道
配置 独立式withbuilt-indiode
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
最大功率耗散 263W
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Rds(On)-漏源导通电阻 4.5mΩ
长*宽*高 10.29mm*4.83mm*9.65mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
应用等级 军用级
零件状态 在售

FDP045N10A_F102厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDP045N10A_F102数据手册

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