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FDMS86152

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.7W(Ta),125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 50nC@ 10 V 1个N沟道 100V 6mΩ@ 14A,10V 14A,45A 3.37nF@50V QFN 贴片安装 1.1mm(高度)
供应商型号: AV-S-FDMS86152
供应商: Avnet
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDMS86152

FDMS86152概述

    FDMS86152 N-Channel PowerTrench® MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDMS86152 是一款由Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor的一部分)生产的N沟道PowerTrench® MOSFET。这种MOSFET主要用于电源管理和转换应用中,具备低导通电阻(rDS(on))和高效率的特点。主要应用包括初级DC-DC转换器、次级同步整流器和负载开关。

    技术参数


    以下是FDMS86152的主要技术参数:
    - 最大漏源电压(VDS): 100 V
    - 最大栅源电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏电流(ID):
    - 在25°C时:45 A
    - 在100°C时:14 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS): 541 mJ
    - 功率耗散(PD):
    - 在25°C时:125 W
    - 在100°C时:2.7 W
    - 热阻(RθJC): 1.0°C/W
    - 热阻(RθJA): 45°C/W
    - 导通电阻(rDS(on)):
    - 在10 V栅源电压下,14 A漏电流时:6 mΩ
    - 在6 V栅源电压下,11.5 A漏电流时:11 mΩ
    - 输入电容(Ciss): 2530-3370 pF
    - 输出电容(Coss): 595-795 pF
    - 反向传输电容(Crss): 22-35 pF
    - 总栅极电荷(Qg):
    - 在0 V至10 V栅源电压下,50 V漏源电压下:36-50 nC
    - 在0 V至6 V栅源电压下,50 V漏源电压下:23-33 nC

    产品特点和优势


    FDMS86152具有以下几个显著特点和优势:
    1. 低导通电阻:在10 V栅源电压下,导通电阻仅为6 mΩ,这使得它非常适合需要高效率的应用。
    2. 先进的封装和硅工艺:结合了低导通电阻和高性能,适用于多种电源管理应用。
    3. 稳健的封装设计:采用MSL1等级的封装设计,确保可靠性和耐用性。
    4. 无卤素材料:符合RoHS标准,环保友好。
    5. 全面测试:所有产品都经过100%的无损检测,确保产品质量。

    应用案例和使用建议


    FDMS86152 MOSFET在多个领域都有广泛的应用,例如:
    - 初级DC-DC转换器:用于高效电源转换。
    - 次级同步整流器:提高系统效率。
    - 负载开关:用于电源管理和保护电路。
    使用建议:
    - 确保散热设计合理,特别是在高电流条件下,以防止过热。
    - 使用适当的栅极驱动电路,以优化开关速度和减少损耗。
    - 注意输入和输出电容的选择,以确保良好的动态性能。

    兼容性和支持


    FDMS86152与大多数标准电源管理系统兼容,可与各种控制器和驱动器配合使用。ON Semiconductor提供详尽的技术支持和文档资源,帮助用户进行设计和集成。此外,ON Semiconductor还提供样品申请和技术咨询,以确保用户能够充分利用这款产品的优势。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的栅极电阻?
    - 答:通常建议使用0.9 Ω的栅极电阻,以确保快速和稳定的开关性能。如果需要更高的开关速度,可以减小栅极电阻,但需注意可能引起的EMI问题。
    2. 问:如何处理过温问题?
    - 答:可以通过增加散热片或改善散热路径来降低温度。此外,还可以通过软件控制来限制最大电流,从而减少功耗。
    3. 问:如何确保MOSFET的长期可靠性?
    - 答:定期检查并确保良好的散热设计,避免长时间工作在高温环境中。此外,使用高质量的电容和驱动电路也有助于延长使用寿命。

    总结和推荐


    FDMS86152 N-Channel PowerTrench® MOSFET 是一款高性能的N沟道MOSFET,具备低导通电阻和高效率的特点。其先进的封装和硅工艺使其成为电源管理和转换应用的理想选择。在正确设计和使用的情况下,该产品能够提供卓越的性能和可靠性。因此,我们强烈推荐使用FDMS86152 MOSFET,特别是在需要高效电源转换和高可靠性的应用中。

FDMS86152参数

参数
Id-连续漏极电流 14A,45A
栅极电荷 50nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.37nF@50V
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 2.7W(Ta),125W(Tc)
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 6mΩ@ 14A,10V
长*宽*高 1.1mm(高度)
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

FDMS86152厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDMS86152数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDMS86152 FDMS86152数据手册

FDMS86152封装设计

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