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NTMFS020N06CT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.4W(Ta),31W(Tc) 4V@ 20µA 5.8nC@ 10 V 1个N沟道 60V 19.6mΩ@ 4A,10V 355pF@30V 贴片安装
供应商型号: FL-NTMFS020N06CT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS020N06CT1G

NTMFS020N06CT1G概述

    # NTMFS020N06C MOSFET 技术手册

    产品简介


    NTMFS020N06C 是一款由安森美(ON Semiconductor)生产的 N 沟道功率 MOSFET,采用 SO8FL 封装形式。该器件适用于紧凑设计,其低导通电阻 RDS(on) 能有效减少传导损耗,并具有低栅极电荷和电容以减少驱动损耗。此外,该器件不含铅(Pb)、卤素和溴化阻燃剂(BFR),并且符合 RoHS 规范。
    主要功能
    - 低导通电阻 (RDS(on))
    - 低栅极电荷 (QG)
    - 小型封装 (5x6 mm)
    应用领域
    - 功率工具
    - 电池供电吸尘器
    - 无人机/UAV
    - 材料搬运
    - 电池管理系统 (BMS)/存储
    - 家庭自动化

    技术参数


    最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏电流 (ID):
    - TC = 25°C: 28 A
    - TC = 100°C: 19 A
    - 单脉冲漏电流 (IDM): 181 A (TA = 25°C, tp = 10 μs)
    - 工作结温和存储温度范围 (TJ, TSTG): -55°C 至 +175°C
    电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 4 A: 16.3 mΩ (Min) 至 19.6 mΩ (Max)
    - 输入电容 (CISS): 355 pF
    - 输出电容 (COSS): 260 pF
    - 反向传输电容 (CRSS): 4.9 pF
    - 总栅极电荷 (QG(TOT)): 5.8 nC
    热阻参数
    - 结至外壳热阻 (RJC): 4.8 °C/W (稳态)
    - 结至环境热阻 (RJA): 43.2 °C/W (稳态)

    产品特点和优势


    NTMFS020N06C 具有以下几个显著的特点和优势:
    - 小型封装:采用 5x6 mm 封装,适合紧凑的设计布局。
    - 低导通电阻:RDS(on) 的典型值为 19.6 mΩ,能够有效降低传导损耗。
    - 低栅极电荷:QG 的典型值为 5.8 nC,有助于减少驱动损耗。
    - 环保材料:不含铅、卤素和溴化阻燃剂,并符合 RoHS 规范。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 无人机/UAV:在无人机的应用中,需要高效率和紧凑的功率转换解决方案。NTMFS020N06C 由于其小尺寸和低导通电阻,非常适合用于无人机的电机控制。
    - 电池管理系统 (BMS):在电池管理系统中,需要高可靠性和高效率的功率转换器件。NTMFS020N06C 的低漏电和高可靠性使其成为 BMS 应用的理想选择。
    使用建议
    - 散热设计:由于 RJA 较高,建议在 PCB 设计时使用大面积铜箔来增强散热能力。
    - 驱动电路:由于 QG 较低,可以使用较小的栅极电阻以优化开关速度。

    兼容性和支持


    NTMFS020N06C 与其他标准的 SO8FL 封装器件兼容,方便集成到现有的电路板设计中。安森美提供详细的技术支持和文档,包括 Tape & Reel 包装规格和焊锡工艺指南。

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 高温下导通电阻增加
    - 解决方案:确保 PCB 散热设计合理,可以增加铜箔面积以提高散热效果。
    2. 栅极电压过高导致损坏
    - 解决方案:务必确保栅极电压不超过额定值(±20 V)。

    总结和推荐


    综合评估
    NTMFS020N06C 具有优秀的性能指标和设计优势,特别适合于紧凑型应用和高效率需求的场合。它的小型封装、低导通电阻和高可靠性使得它在无人机、家庭自动化和电池管理系统等领域有着广泛的应用前景。
    推荐
    基于其卓越的技术特性和广泛的应用场景,强烈推荐 NTMFS020N06C 作为高效率功率转换解决方案的核心器件。对于需要高可靠性和紧凑设计的项目,这款 MOSFET 是一个理想的选择。

NTMFS020N06CT1G参数

参数
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 19.6mΩ@ 4A,10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
最大功率耗散 3.4W(Ta),31W(Tc)
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 5.8nC@ 10 V
配置 -
Id-连续漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 20µA
FET类型 1个N沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 355pF@30V
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS020N06CT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS020N06CT1G数据手册

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NTMFS020N06CT1G封装设计

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