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NTLUS3A18PZTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 700mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 28nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 18mΩ@ 7A,4.5V 5.1A 2.24nF@15V DFN 贴片安装 2mm(长度)*2mm(宽度)
供应商型号: NTLUS3A18PZTAGOSCT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTLUS3A18PZTAG

NTLUS3A18PZTAG概述

    NTLUS3A18PZ P-Channel MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTLUS3A18PZ 是一款由 Semiconductor Components Industries, LLC 生产的 P-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于电源管理应用。该器件采用 UDFN 封装,具有良好的热传导特性。其主要特点包括超低导通电阻(RDS(on))、栅极保护二极管以及无铅、无卤素的环保设计。适用于便携式电子产品,如手机、媒体平板、个人多媒体播放器、数码相机、GPS 设备等。

    2. 技术参数


    - 封装类型:UDFN(2.0x2.0x0.55 mm)
    - 最大电压:VDSS = -20 V
    - 最大电流:
    - 稳态电流(TA = 25°C):ID = -8.2 A
    - 稳态电流(TA = 85°C):ID = -5.9 A
    - 短时峰值电流(t ≤ 5 s,TA = 25°C):ID = -12.2 A
    - 功率耗散:
    - 稳态功率耗散(TA = 25°C):PD = 1.7 W
    - 短时峰值功率耗散(t ≤ 5 s,TA = 25°C):PD = 3.8 W
    - 工作温度范围:TJ, TSTG = -55°C 到 150°C
    - 热阻抗:RθJA(稳态)= 72°C/W,RθJA(短时)= 33°C/W
    - 栅极阈值电压:VGS(TH) = -0.4 V 至 -1.0 V
    - 导通电阻:RDS(on)(不同条件下的值)

    3. 产品特点和优势


    - 优秀的热传导:采用带暴露引脚的 UDFN 封装,提供出色的散热性能。
    - 节省板空间:紧凑型封装,尺寸仅为 2.0x2.0x0.55 mm。
    - 超低导通电阻:RDS(on) 在不同条件下表现出色,保证高效能。
    - ESD 保护:栅极采用保护二极管,提高器件可靠性。
    - 环保设计:无铅、无卤素、符合 RoHS 规范,符合绿色制造要求。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池开关
    - 高边负载开关
    - 电源管理设备中的高效率转换
    使用建议:
    - 在选择散热方式时,建议采用大面积铜箔以降低热阻。
    - 在高电流应用中,注意确保电流不超过额定值,防止过载损坏。
    - 考虑到栅极电容和栅极充电时间的影响,在电路设计时应优化驱动信号的上升沿和下降沿时间。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:此器件可与其他标准 UDFN 封装的器件互换使用。
    - 支持:制造商提供详细的订购信息、技术支持和售后服务,详见数据手册页 5。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问题:温度超过额定范围会损坏器件吗?
    - 解答:是的。工作温度超出数据手册中的极限值可能导致损坏,影响可靠性和功能。

    2. 问题:能否用于高频率应用?
    - 解答:可以,但需确保驱动信号的上升时间和下降时间满足器件要求,避免因栅极电容导致的延迟。
    3. 问题:如何正确焊接器件?
    - 解答:建议使用符合规格的焊料,并在距离器件端子 1/8 英寸处保持 260°C 的温度,焊接时间为 10 秒。

    7. 总结和推荐


    综合评估:NTLUS3A18PZ P-Channel MOSFET 在小型化、高效率和环保方面表现出色,适用于多种便携式电子产品。其优秀的热传导特性和超低导通电阻使其成为高性能电源管理的理想选择。
    推荐:强烈推荐使用 NTLUS3A18PZ P-Channel MOSFET,尤其适合需要紧凑型、高效率和可靠性的应用场合。不过,务必严格按照数据手册中的规范操作,以确保最佳性能和使用寿命。

NTLUS3A18PZTAG参数

参数
Vgs-栅源极电压 8V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.24nF@15V
Vds-漏源极击穿电压 20V
配置 独立式
最大功率耗散 700mW(Ta)
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Id-连续漏极电流 5.1A
栅极电荷 28nC@ 4.5 V
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 18mΩ@ 7A,4.5V
长*宽*高 2mm(长度)*2mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,卷带包装

NTLUS3A18PZTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTLUS3A18PZTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTLUS3A18PZTAG NTLUS3A18PZTAG数据手册

NTLUS3A18PZTAG封装设计

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