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NSBA144EF3T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA PNP - Pre-Biased 300W 500nA 50V 100mA SOT-1123 贴片安装 600μm*800μm*370μm
供应商型号: FL-NSBA144EF3T5G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBA144EF3T5G

NSBA144EF3T5G概述


    产品简介


    基本介绍
    本文档详细介绍了半导体组件工业有限公司(Semiconductor Components Industries, LLC)设计的一系列数字晶体管(Bias Resistor Transistor,简称BRT)。这些晶体管通过集成单个晶体管及其外置电阻偏置网络,简化电路设计,减少了板级空间和组件数量。其具体型号包括MUN2113、MMUN2113L、MUN5113、DTA144EE、DTA144EM3和NSBA144EF3。
    应用领域
    这类数字晶体管广泛应用于需要高可靠性、紧凑尺寸及简化设计的电子系统中,例如汽车电子、消费电子和工业控制等领域。其独特的单片集成电阻网络使其适用于多种电子设备。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-基极电压:50 Vdc
    - 集电极-发射极电压:50 Vdc
    - 连续集电极电流:100 mAdc
    - 输入正向电压:40 Vdc
    - 输入反向电压:10 Vdc
    温度特性
    - 工作温度范围:-55℃到+150℃
    - 热阻:依据封装不同而有所差异,具体请参考表2。
    电气特性
    - 关态特性:包括集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流、发射极-基极截止电流、集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压。
    - 通态特性:包括直流电流增益、集电极-发射极饱和电压、输入电压、输出电压等。

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:内置电阻网络减少了外部元件的需求,从而简化了整体电路设计。
    - 减少板级空间:由于集成了电阻网络,占用更少的板级空间。
    - 降低组件数量:单个BRT器件替代了多个外部元件,降低了组件总数。
    - 汽车及其他要求特殊标识的应用:通过前缀"S"和"NSV",满足特定的标记和控制需求,具备AEC-Q101认证和PPAP生产能力。
    - 无铅、无卤素/无BFR、RoHS符合:环保设计,满足国际环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    BRT器件可以应用于汽车电子控制单元(ECU)、家庭自动化设备、便携式医疗设备等。例如,在汽车发动机控制模块中,BRT器件能够简化电路设计,提高系统的可靠性和稳定性。
    使用建议
    - 在安装时,确保所有焊接连接牢固,避免虚焊现象。
    - 为了保证良好的散热性能,建议采用大面积铜箔散热。
    - 使用过程中需注意电压和电流限制,避免超过最大额定值导致器件损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性:BRT器件与其他标准的晶体管和集成电路具有良好的兼容性,可以方便地进行替换。
    - 支持:制造商提供了详细的文档和技术支持,包括产品图纸、性能测试报告和故障排除指南等。

    常见问题与解决方案


    1. Q:如何选择合适的BRT型号?
    - A:根据应用场景和具体需求选择合适的型号,考虑工作环境温度、电气特性等因素。
    2. Q:如何防止过热?
    - A:确保良好的散热设计,合理布局和散热路径,必要时可增加散热器或风扇辅助散热。
    3. Q:如何确保正确的电路设计?
    - A:仔细阅读产品手册,遵循推荐的设计规范和电气参数。

    总结和推荐


    总的来说,BRT器件提供了一种简单高效的解决方案,用于替换传统外部电阻和晶体管组合。它们具备简化电路设计、节省空间和降低总成本的优点,特别适合对体积和成本敏感的应用。强烈推荐在新项目中使用这些器件,以实现更紧凑、高效的设计。对于已有设计的升级,也值得考虑替换为BRT器件,以获得更好的性能和可靠性。

NSBA144EF3T5G参数

参数
集电极截止电流 500nA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
集电极电流 100mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VCBO-最大集电极基极电压 -
最大功率耗散 300W
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 -
晶体管类型 PNP - Pre-Biased
长*宽*高 600μm*800μm*370μm
通用封装 SOT-1123
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSBA144EF3T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBA144EF3T5G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSBA144EF3T5G NSBA144EF3T5G数据手册

NSBA144EF3T5G封装设计

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