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KSD1588RTU

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: NPN 2W 7V 10μA 100V 60V 7A TO-220F-3 通孔安装 10.16mm*4.7mm*9.19mm
供应商型号: KSD1588RTU-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KSD1588RTU

KSD1588RTU概述

    # KSD1588 NPN Epitaxial Silicon Transistor 技术手册

    产品简介


    KSD1588 是一款低频功率放大器,特别适用于低速开关应用。作为一款无铅(Pb-Free)器件,KSD1588 主要用于电源管理和控制电路。其主要功能是通过调整电流来实现信号放大,从而在各种电子产品中提供可靠的性能。它广泛应用于电机驱动、工业自动化设备、电源转换等领域。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压 \( V{CBO} \): 100 V
    - 集电极-发射极电压 \( V{CEO} \): 60 V
    - 发射极-基极电压 \( V{EBO} \): 7 V
    - 集电极电流(直流) \( IC \): 7 A
    - 集电极电流(脉冲) \( I{CP} \): 15 A (PW ≤ 300 μs, 占空比 ≤ 10%)
    - 基极电流 \( IB \): 3.5 A
    - 集电极耗散(TA = 25°C): 2 W
    - 集电极耗散(TC = 25°C): 30 W
    - 结温 \( TJ \): 150°C
    - 存储温度范围 \( T{STG} \): -55°C ~ 150°C
    - 电气特性
    - 集电极截止电流 \( I{CBO} \): \( V{CB} = 80 \text{V}, IE = 0 \) (最小:无,最大:10 μA)
    - 发射极截止电流 \( I{EBO} \): \( V{EB} = 5 \text{V}, IC = 0 \) (最小:无,最大:10 μA)
    - 直流电流增益 \( h{FE1} \): \( V{CE} = 1 \text{V}, IC = 3 \text{A} \) (最小:40,最大:200)
    - 直流电流增益 \( h{FE2} \): \( V{CE} = 1 \text{V}, IC = 5 \text{A} \) (最小:20,最大:无)
    - 集电极-发射极饱和电压 \( V{CE(sat)} \): \( IC = 5 \text{A}, IB = 0.5 \text{A} \) (最小:无,最大:0.5 V)
    - 基极-发射极饱和电压 \( V{BE(sat)} \): \( IC = 5 \text{A}, IB = 0.5 \text{A} \) (最小:无,最大:1.5 V)

    产品特点和优势


    KSD1588 具有以下显著特点和优势:
    - 低速开关性能:适用于需要快速响应的应用场合。
    - 高可靠性:可在较宽的工作温度范围内稳定运行,且具有良好的耐热性。
    - 广泛的适用性:能够满足多种电子设备对电源管理和控制的需求,特别适用于工业自动化和电源管理领域。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    KSD1588 在电机驱动系统中广泛应用。在这一场景中,它可以有效地调节电机的电流输出,确保电机在不同负载下的稳定运行。
    使用建议
    - 确保在使用时不会超过最大额定值,特别是在高温环境下要采取散热措施。
    - 根据具体应用需求选择合适的电流增益等级,以获得最佳性能。

    兼容性和支持


    - 兼容性:KSD1588 采用标准 TO-220 Fullpack 封装,易于与其他电子元器件和设备连接。
    - 支持和服务:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和在线支持资源,确保用户能够顺利使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:设备在高电流情况下出现过热现象。
    - 解决方案:增加外部散热装置,如散热片或风扇,以提高散热效率。

    - 问题:产品无法达到预期的电流增益。
    - 解决方案:检查输入基极电流是否符合要求,必要时更换电流增益更高的型号。

    总结和推荐


    KSD1588 NPN Epitaxial Silicon Transistor 是一款可靠且高性能的产品,特别适用于工业自动化和电源管理应用。它的高电流增益和广泛的适用范围使其在市场上具备很强的竞争优势。我们强烈推荐此产品给需要在这些领域中寻求高性能解决方案的用户。

KSD1588RTU参数

参数
集电极电流 7A
集电极截止电流 10μA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 60V
最大集电极发射极饱和电压 500mV@ 500mA,5A
VEBO-最大发射极基极电压 7V
VCBO-最大集电极基极电压 100V
晶体管类型 NPN
配置 独立式
最大功率耗散 2W
长*宽*高 10.16mm*4.7mm*9.19mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

KSD1588RTU厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KSD1588RTU数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR KSD1588RTU KSD1588RTU数据手册

KSD1588RTU封装设计

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