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NDD01N60-1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 46W(Tc) 30V 3.7V@ 50µA 7.2nC@ 10 V 1个N沟道 600V 8.5Ω@ 200mA,10V 400mA 160pF@25V TO-247-3 通孔安装
供应商型号: CY-NDD01N60-1G
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDD01N60-1G

NDD01N60-1G概述

    电子元器件技术手册:N-Channel Power MOSFET(NDD01N60/NDT01N60)

    产品简介


    N-Channel Power MOSFET(NDD01N60/NDT01N60)是一款适用于多种高压电力转换应用的半导体器件。这种晶体管具有出色的电压耐受能力和电流处理能力,使其成为开关电源、电动机驱动和其他高压应用的理想选择。N-Channel Power MOSFET的主要功能包括在高电压环境下提供高效的开关控制,具备高可靠性和低功耗的特点。

    技术参数


    以下是N-Channel Power MOSFET的关键技术参数:
    - 额定电压 (VDSS):600 V
    - 连续漏极电流 (ID):
    - 在稳态条件下,环境温度为25°C时,最大值为1.5 A。
    - 环境温度为100°C时,最大值为1.0 A。
    - 脉冲漏极电流 (IDM):最大值为6.0 A(持续时间10 μs)
    - 最大功率耗散 (PD):
    - 在稳态条件下,环境温度为25°C时,最大值为46 W。
    - 栅源电压 (VGS):±30 V
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS):13 mJ
    - 最大结温 (TJ, TSTG):-55°C至+150°C
    - 热阻抗 (RθJC):2.7°C/W(结到外壳)

    产品特点和优势


    N-Channel Power MOSFET具备以下特点和优势:
    - 无铅(Pb-Free)、无卤素和无BFR,符合RoHS标准。
    - 全面雪崩测试(100% Avalanche Tested):确保在极端条件下的可靠性和稳定性。
    - 良好的热管理:通过较低的热阻抗(RθJC),有效散热。
    - 优良的电气特性:高电压耐受能力、低导通电阻和优异的切换性能。

    应用案例和使用建议


    N-Channel Power MOSFET适用于多种高压电力转换应用,如开关电源、电机驱动、UPS系统等。在这些应用中,可以作为主要开关器件使用,实现高效能的电力转换。使用建议包括:
    - 确保合适的冷却措施:特别是在高负载情况下,要确保有效的散热机制。
    - 遵循推荐的操作条件:避免超过最大额定值以延长器件寿命。
    - 设计电路时考虑其热特性:使用适当的散热片和布局优化。

    兼容性和支持


    N-Channel Power MOSFET与广泛的电子设备和模块兼容。供应商提供了详细的技术文档和支持服务,确保客户能够顺利完成集成并获得技术支持。产品包装包括详细的装配指南和可靠性测试报告,帮助客户快速部署。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及其解决办法:
    - 问题:过高的温度导致器件失效。
    - 解决办法:确保有足够的散热措施,如安装散热片或风扇,减少发热。
    - 问题:器件出现过载情况。
    - 解决办法:检查负载电流是否超出最大额定值,并调整电源或负载。
    - 问题:无法达到预期的切换速度。
    - 解决办法:确保驱动器与MOSFET匹配,检查驱动器输出是否稳定。

    总结和推荐


    N-Channel Power MOSFET凭借其高可靠性、低损耗和优异的热管理能力,在电力转换应用中表现出色。它广泛适用于各种高压电力转换场合,是一款值得推荐的优质电子元件。建议在项目设计初期就将其纳入考虑,以提高整体系统的效率和稳定性。

NDD01N60-1G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 160pF@25V
通道数量 -
栅极电荷 7.2nC@ 10 V
Rds(On)-漏源导通电阻 8.5Ω@ 200mA,10V
Vgs-栅源极电压 30V
Vds-漏源极击穿电压 600V
最大功率耗散 46W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.7V@ 50µA
配置 -
Id-连续漏极电流 400mA
FET类型 1个N沟道
6.73mm(Max)
2.38mm(Max)
6.35mm(Max)
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

NDD01N60-1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDD01N60-1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDD01N60-1G NDD01N60-1G数据手册

NDD01N60-1G封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
500+ $ 0.1687 ¥ 1.4521
1000+ $ 0.164 ¥ 1.3855
5000+ $ 0.164 ¥ 1.3855
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