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NVTFS6H850NLTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.9W(Ta),73W(Tc) 20V 2V@ 70µA 26nC@ 10 V 1个N沟道 80V 8.6mΩ@ 10A,10V 14.8A,64A 1.45nF@40V WDFN-8 贴片安装
供应商型号: 863-NVTFS6H850NLTAG
供应商: Mouser
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS6H850NLTAG

NVTFS6H850NLTAG概述

    NVTFS6H850NL MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NVTFS6H850NL 是一款高性能的单片 N 沟道增强型功率 MOSFET,专为紧凑设计而开发。它以其低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG)等特点,在高效率电源转换应用中表现出色。广泛应用于服务器、通信设备、工业自动化等领域。

    2. 技术参数


    以下是 NVTFS6H850NL 的关键技术参数:
    - 额定电压:VDSS = 80 V
    - 最大连续漏极电流:ID = 64 A (TC = 25°C)
    - 最大脉冲漏极电流:IDM = 308 A
    - 最大栅源电压:VGS = ±20 V
    - 最大耗散功率:PD = 73 W (TC = 25°C)
    - 导通电阻:RDS(on) = 8.6 mΩ @ 10 V,ID = 10 A
    - 阈值电压:VGS(TH) = 1.2 ~ 2.0 V
    - 零栅压漏极电流:IDSS = 10 nA (TJ = 25°C),250 nA (TJ = 125°C)
    - 总栅极电荷:QG(TOT) = 26 nC @ 10 V,ID = 10 A

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑设计:小封装尺寸(3.3 x 3.3 mm),适用于空间受限的应用场景。
    - 低导通电阻:RDS(on) = 8.6 mΩ,有效减少功耗和发热。
    - 低栅极电荷:QG(TOT) = 26 nC,降低驱动损耗。
    - 湿法侧翼认证:支持湿法焊接工艺。
    - 汽车级认证:通过 AEC-Q101 认证,适合汽车电子应用。
    - 环保材料:无铅且符合 RoHS 标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 服务器电源:由于其低导通电阻和高可靠性,NVTFS6H850NL 广泛应用于服务器电源系统,提供高效能的电源转换。
    - 通信设备:在通信设备中,它可以用于高频开关电路,减少能耗并提高效率。
    - 工业自动化:在工业自动化设备中,NVTFS6H850NL 可以作为电机驱动器的一部分,提高系统的整体效率。
    使用建议:
    - 在选择合适的栅极驱动电阻时,建议采用低阻值电阻以降低开关损耗。
    - 为了确保最佳性能,建议使用具有良好散热性能的 PCB 材料,如 FR4。
    - 注意确保器件的工作温度不超过其最大额定温度,以避免因过热导致的损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NVTFS6H850NL 采用 WDFN8 封装,符合行业标准,可与其他同类型号产品互换。
    - 支持:ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,包括在线论坛、技术支持热线等。此外,还可以通过官网获取最新的软件工具和固件更新。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:长时间工作后出现过热现象。
    - 解决方案:检查散热设计是否合理,增加散热器或改进 PCB 设计。
    - 问题2:栅极振铃现象严重。
    - 解决方案:增加栅极驱动电阻或使用屏蔽线缆来减少噪声干扰。
    - 问题3:负载短路时出现异常情况。
    - 解决方案:检查保护电路设计是否完善,考虑添加保险丝或其他保护措施。

    7. 总结和推荐


    总体来说,NVTFS6H850NL MOSFET 凭借其紧凑设计、低导通电阻和高可靠性等显著优点,在多种应用场景中展现出色的性能。对于需要高效率和紧凑设计的项目,强烈推荐选用此款 MOSFET。同时,厂商提供的全面支持也使得该产品的维护和升级变得更加便捷。

NVTFS6H850NLTAG参数

参数
栅极电荷 26nC@ 10 V
Vds-漏源极击穿电压 80V
Id-连续漏极电流 14.8A,64A
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 8.6mΩ@ 10A,10V
最大功率耗散 3.9W(Ta),73W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.45nF@40V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 70µA
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通用封装 WDFN-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS6H850NLTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS6H850NLTAG数据手册

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NVTFS6H850NLTAG封装设计

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1000+ $ 0.6782 ¥ 5.6497
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