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NTD4805N-1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1.41W(Ta),79W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 48nC@ 11.5 V 1个N沟道 30V 5mΩ@ 30A,10V 88A 2.865nF@12V TO-251 通孔安装 6.73mm*2.38mm*6.35mm
供应商型号: NTD4805N-1G-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTD4805N-1G

NTD4805N-1G概述

    NTD4805N/NVD4805N MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTD4805N 和 NVD4805N 是一种单通道 N 沟道 MOSFET,专为电源管理和高效率开关应用设计。这些器件适用于 CPU 电源配送、DC-DC 转换器以及低侧开关等多种应用。其主要特征包括低导通电阻(RDS(on))以减少导通损耗,低电容以减少驱动损耗,以及优化的栅极电荷以降低开关损耗。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏极至源极电压 | VDSS | 30 | V |
    | 栅极至源极电压 | VGS | ±20 | V |
    | 连续漏极电流 | ID | 17.4 | A |
    | 功率耗散 | PD | 2.65 | W |
    | 阈值电压 | VGS(TH) | 1.5 ~ 2.5 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 4.3 ~ 5.0 | mΩ |
    | 输入电容 | CISS | 2865 | pF |
    | 输出电容 | COSS | 610 | pF |
    | 反向传输电容 | CRSS | 338 | pF |
    | 总栅极电荷 | QG(TOT) | 20.5 ~ 26 | nC |
    | 开关延迟时间(导通) | td(on) | 10.8 ~ 17.2| ns |
    | 开关延迟时间(关断) | td(off) | 20.8 ~ 30.8| ns |

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻:通过最小化导通损耗,实现更高的效率。
    - 低电容:有效降低驱动损耗,提高整体系统性能。
    - 优化的栅极电荷:在快速开关应用中表现优异,有助于降低开关损耗。
    - AEC-Q101 认证:符合汽车行业标准,适用于汽车及其他对质量和可靠性有严格要求的应用。
    - 无铅无卤素:环保设计,符合 RoHS 标准。

    4. 应用案例和使用建议


    NTD4805N 和 NVD4805N 常用于 CPU 电源配送、DC-DC 转换器及低侧开关等应用。对于需要高速开关的应用,可以选择较高的栅极电阻(如 3.0Ω),以减缓开关速度并降低振荡风险。在高电流环境下,确保电路有足够的散热能力,以避免过热问题。

    5. 兼容性和支持


    这些 MOSFET 具有良好的通用性和互操作性,能够轻松集成到现有电路中。厂商提供了详尽的技术支持和文档资源,帮助客户解决在应用过程中可能遇到的问题。此外,ON Semiconductor 的在线技术支持也为用户提供及时的帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    1. 问:如何选择合适的栅极电阻?
    - 答: 根据具体应用需求和开关频率来选择。较低的栅极电阻可以提高开关速度,但可能会增加振荡的风险。通常推荐使用 3.0Ω 或更高阻值的栅极电阻。
    2. 问:如何判断 MOSFET 是否损坏?
    - 答: 通过测量栅极和源极之间的电阻值或使用专用测试仪来判断。如果发现电阻异常或器件不能正常工作,可能存在故障。

    7. 总结和推荐


    NTD4805N 和 NVD4805N 在设计上具有多种优势,特别是在高效率和低损耗应用方面表现出色。这些 MOSFET 在 CPU 电源配送、DC-DC 转换器和低侧开关等领域都有广泛的应用前景。鉴于其高可靠性和环保特性,强烈推荐在相关项目中使用这些器件。

NTD4805N-1G参数

参数
Id-连续漏极电流 88A
最大功率耗散 1.41W(Ta),79W(Tc)
栅极电荷 48nC@ 11.5 V
Rds(On)-漏源导通电阻 5mΩ@ 30A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.865nF@12V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 30V
长*宽*高 6.73mm*2.38mm*6.35mm
通用封装 TO-251
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 管装

NTD4805N-1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTD4805N-1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTD4805N-1G NTD4805N-1G数据手册

NTD4805N-1G封装设计

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