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NTJD1155LT2G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 1V@ 250µA 2N+2P沟道 8V 175mΩ@ 1.2A,4.5V SC-88-6 贴片安装
供应商型号: CGC-NTJD1155LT2G
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTJD1155LT2G

NTJD1155LT2G概述

    NTJD1155L MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTJD1155L 是一种集成的高侧负载开关,具有P沟道和N沟道MOSFET,封装形式为SC-88(SOT-363)。它特别适用于便携式电子产品,尤其是在低控制信号、低电池电压和高负载电流的需求下表现出色。NTJD1155L采用先进的沟槽技术制造,集成了P沟道和N沟道MOSFET,N沟道MOSFET带有外部电阻R1,用于实现电平转换以驱动P沟道MOSFET。N沟道MOSFET还具备内部静电放电保护,可由最低1.5V的逻辑信号驱动。NTJD1155L可以在1.8至8.0V的供电线上工作,并能在VIN和VON/OFF两端都为8.0V时驱动最大1.3A的负载电流。

    2. 技术参数


    - 输入电压(VIN):最高8.0V
    - 开关电压(VON/OFF):最高8.0V
    - 持续负载电流:在TA = 25°C下为±1.3A;在TA = 85°C下为±0.9A
    - 功率耗散(PD):在TA = 25°C下为0.40W;在TA = 85°C下为0.20W
    - 脉冲负载电流:tp = 10 μs下的峰值电流为±3.9A
    - 工作温度范围:-55°C 至 150°C
    - 最大源极电流(IS):-0.4A
    - 热阻抗(RJ-A):稳态下为320°C/W
    - RDS(on):典型值在VON/OFF = 1.5V, VIN = 4.5V, IL = 1.2A时为175mΩ,在VIN = 2.5V, IL = 1.0A时为220mΩ,在VIN = 1.8V, IL = 0.7A时为320mΩ

    3. 产品特点和优势


    - 极低的RDS(on),适合高侧负载开关应用
    - 内置ESD保护的电平转换MOSFET
    - 小型封装,低轮廓设计
    - 支持宽输入电压范围(1.8至8.0V)
    - 兼容低至1.5V的逻辑信号
    - 铅和卤素(RoHS)无害材料

    4. 应用案例和使用建议


    NTJD1155L可以应用于各种便携式电子设备,如智能手机和平板电脑,因为它们需要低控制信号、低电池电压和高负载电流的支持。实际应用中,可以通过调整外部电阻R1和R2来优化电路性能。例如,R1的选择应当至少是R2的10倍,以确保Q1可靠开启。此外,当负载电流较大时,需要确保散热条件良好,避免过热损坏。

    5. 兼容性和支持


    NTJD1155L支持的其他电子元器件包括拉起电阻R1(通常为10kΩ到1MΩ),可选的上升时间控制电阻R2(通常为0到100kΩ),输出电容CO和CI(通常小于1.0μF),以及可选的启动电流控制电容C1(通常≤1000pF)。厂商提供详细的封装、焊接指南和技术支持,确保客户能够正确安装和使用该产品。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题1:在高负载电流下,MOSFET是否会过热?
    - 解决方案: 确保良好的散热设计,比如增加散热片或者使用更大的铜面积。同时,选择合适的电阻R1和R2以减小功耗。

    - 问题2:MOSFET在低温环境下的表现如何?
    - 解决方案: 在低温环境下,可以通过增加铜面积和减少导线长度来改善散热,同时确保负载电流不超过额定值。

    7. 总结和推荐


    NTJD1155L是一款高性能、多功能的MOSFET,非常适合便携式电子设备的应用。它的极低RDS(on)和广泛的输入电压范围使其在多种应用中表现出色。厂商提供的技术支持和服务也非常完善。因此,我们强烈推荐在需要高侧负载开关的应用中使用NTJD1155L。

NTJD1155LT2G参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 -
FET类型 2N+2P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
最大功率耗散 -
Rds(On)-漏源导通电阻 175mΩ@ 1.2A,4.5V
配置 -
栅极电荷 -
通道数量 -
Vds-漏源极击穿电压 8V
Id-连续漏极电流 -
通用封装 SC-88-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTJD1155LT2G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTJD1155LT2G数据手册

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NTJD1155LT2G封装设计

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