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NTHL160N120SC1

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOSFET管 NTH系列, Vds=1200 V, 29 A, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: FL-NTHL160N120SC1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NTHL160N120SC1

NTHL160N120SC1概述

    NTHL160N120SC1 Silicon Carbide (SiC) MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    产品类型:NTHL160N120SC1 是一款硅碳化物(Silicon Carbide, SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET),属于EliteSiC系列。
    主要功能:
    - 极低导通电阻(典型值为160毫欧姆)
    - 超低门极电荷(QG(tot) = 34 nC)
    - 低有效输出电容(Coss = 50 pF)
    应用领域:
    - 不间断电源(UPS)
    - 直流到直流转换器(DC-DC Converter)
    - 升压逆变器(Boost Inverter)

    2. 技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):1200 V
    - 门极至源极电压(VGS):-15/+25 V
    - 连续漏极电流(ID):25°C下为17 A,100°C下为12 A
    - 最大脉冲漏极电流(IDM):25°C下为69 A
    - 结温和存储温度范围(TJ, Tstg):-55至+175°C
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):128 mJ
    - 热特性:
    - 结到外壳热阻(RθJC):1.3°C/W
    - 结到环境热阻(RθJA):40°C/W
    - 电气特性(TJ = 25°C):
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):1200 V
    - 漏源导通电阻(RDS(on)):典型值160毫欧姆
    - 输入电容(CISS):典型值665 pF
    - 输出电容(COSS):50 pF
    - 反向传输电容(CRSS):5 pF

    3. 产品特点和优势


    - 极低的导通电阻:典型值仅为160毫欧姆,可显著降低功率损耗。
    - 超低门极电荷:总门极电荷(QG(tot))为34 nC,有助于减少开关损耗。
    - 低有效输出电容:Coss为50 pF,可以提高高频操作下的性能。
    - 卤素自由且符合RoHS标准:不含卤素且符合RoHS指令,适合环保要求高的应用场景。
    - 通过100% UI测试:确保产品在高应力条件下的可靠性和稳定性。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 在不间断电源(UPS)系统中作为关键功率转换元件。
    - 在电动汽车的DC-DC转换器中,提高效率和可靠性。
    - 在太阳能光伏逆变器中,提升能量转换效率。
    使用建议:
    - 确保工作温度不超过175°C,以避免过热导致损坏。
    - 使用散热片来改善热管理,特别是在高温环境下使用时。
    - 配合门极驱动器使用,以进一步优化开关特性和效率。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:NTHL160N120SC1 采用TO-247-3L封装,适用于广泛的应用环境。
    - 厂商支持:恩智浦提供详细的技术文档和支持,确保用户能够充分利用该产品的优势。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 检查门极电阻是否正确设置;适当降低RG,以加快开关速度。 |
    | 温度过高 | 添加外部散热器,确保良好的热管理。 |
    | 门极信号不稳定 | 确保门极引脚连接稳定,避免噪声干扰。 |

    7. 总结和推荐


    总结:
    NTHL160N120SC1是一款高性能的硅碳化物MOSFET,具备出色的导通电阻和低门极电荷特性。它不仅在效率方面表现优异,还具备出色的可靠性,尤其适用于需要高功率密度和高可靠性的应用场合。
    推荐:
    鉴于其卓越的性能和广泛应用前景,我们强烈推荐将NTHL160N120SC1用于需要高性能MOSFET的各类电力电子应用中。此外,我们建议在选择合适的散热解决方案时多加注意,以确保其最佳性能。

NTHL160N120SC1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
最大功率 119W
配置 -
Id-连续漏极电流 29A
栅极电荷 34nC@ 20 V
Idss-饱和漏极电流 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.3V@2.5mA
最大功率耗散 119W(Tc)
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 25V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 665pF@800V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 224mΩ@ 12A,20V
击穿电压 1.2KV
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 管装

NTHL160N120SC1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTHL160N120SC1数据手册

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NTHL160N120SC1封装设计

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