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KST5550MTF

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 5mA,50mA NPN 350mW 6V 100nA 160V 140V 600mA SOT-23-3 贴片安装 2.92mm*1.3mm*930μm
供应商型号: CY-KST5550MTF
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) KST5550MTF

KST5550MTF概述

    KST5550 NPN Epitaxial Silicon Transistor 技术手册

    1. 产品简介


    KST5550 是一款由 ON Semiconductor 生产的 NPN 型硅双极晶体管,适用于高电压应用。它具有出色的电流增益和低饱和电压,使其成为众多工业和消费电子产品中的理想选择。其广泛的应用范围包括开关电源、驱动电路、电机控制等领域。

    2. 技术参数


    - 绝对最大额定值:
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 160 V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 140 V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 6 V
    - 集电极电流 (IC): 600 mA
    - 集电极功率耗散 (PC): 350 mW
    - 存储温度范围 (TSTG): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性:
    - 集电极-基极击穿电压 (BVCBO): 160 V
    - 集电极-发射极击穿电压 (BVCEO): 140 V
    - 发射极-基极击穿电压 (BVEBO): 6 V
    - 集电极截止电流 (ICBO): 100 nA
    - 发射极截止电流 (IEBO): 50 nA
    - 直流电流增益 (hFE): 60(最小值)
    - 集电极-发射极饱和电压 (VCE(sat)): 0.15 V(最小值)
    - 基极-发射极饱和电压 (VBE(sat)): 1.0 V(最小值)
    - 电流增益带宽积 (fT): 100 MHz(最小值)
    - 输出电容 (Cob): 6.0 pF(典型值)

    3. 产品特点和优势


    KST5550 拥有以下独特功能和优势:
    - 高电压耐受性:适用于需要承受高电压的应用场合。
    - 高电流增益:确保电路能够高效运行。
    - 低饱和电压:提高能效并减少功耗。
    - 广泛的工作温度范围:适应不同的环境条件。
    - 卓越的可靠性:经过严格测试和验证,确保长期稳定运行。

    4. 应用案例和使用建议


    KST5550 可应用于多种场景,例如开关电源中的开关器件、电机驱动电路以及各种控制板卡等。使用建议如下:
    - 散热管理:由于集电极功率耗散较大,确保良好的散热设计以避免过热。
    - 电路布局:优化 PCB 布局,减小寄生电感和电容的影响,以提高电路性能。
    - 外部电路设计:合理设计外部电路以充分利用 KST5550 的高电压耐受性。

    5. 兼容性和支持


    KST5550 采用 SOT-23 封装,易于集成到现有电路中。ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户解决应用过程中的问题。如有任何疑问或技术支持需求,可发送邮件至 Fairchildquestions@onsemi.com 获取帮助。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: KST5550 是否适用于高湿度环境?
    - A: 该产品的工作温度范围较广,可以在一定湿度范围内正常工作。然而,在高湿度环境下仍需注意防护措施,防止湿气侵蚀导致性能下降。

    - Q: 如何避免 KST5550 过热?
    - A: 确保良好的散热设计,如加装散热片或使用大尺寸 PCB。同时,通过监控集电极温度来防止过热,必要时可降低集电极电流。

    7. 总结和推荐


    综上所述,KST5550 是一款高性能的 NPN 型硅双极晶体管,特别适合于需要高电压耐受性和高电流增益的应用场景。凭借其优良的电气特性和广泛的适用性,它在市场上具有较高的竞争力。强烈推荐使用 KST5550 以实现高效稳定的电路设计。
    以上是关于 KST5550 NPN Epitaxial Silicon Transistor 的详细介绍。希望这些信息能帮助您更好地了解和使用该产品。

KST5550MTF参数

参数
晶体管类型 NPN
集电极电流 600mA
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 5mA,50mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 5mA,50mA
VCBO-最大集电极基极电压 160V
集电极截止电流 100nA
最大功率耗散 350mW
VCEO-集电极-发射极最大电压 140V
VEBO-最大发射极基极电压 6V
配置 独立式
长*宽*高 2.92mm*1.3mm*930μm
通用封装 SOT-23-3
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

KST5550MTF厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

KST5550MTF数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR KST5550MTF KST5550MTF数据手册

KST5550MTF封装设计

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