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NSVF4017SG4T1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi NPN晶体管, SC-82FL封装, 贴片安装, 最大直流集电极电流100 mA, 最大集电极-发射电压12 V
供应商型号: FL-NSVF4017SG4T1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVF4017SG4T1G

NSVF4017SG4T1G概述


    产品简介


    NSVF4017SG4低噪声射频晶体管
    NSVF4017SG4是一款专为低噪声放大器(LNA)设计的射频晶体管,适用于多种高频通信应用。其主要功能包括低噪声系数、高截止频率、高增益等,使其成为数字无线电、电视、调频广播和超高频(UHF)应用的理想选择。此晶体管采用MCPH4封装,具有优异的散热性能,适合高温环境下的稳定工作。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 集电极-基极电压 (VCBO): 20 V
    - 集电极-发射极电压 (VCEO): 12 V
    - 发射极-基极电压 (VEBO): 2 V
    - 集电极电流 (IC): 100 mA
    - 集电极耗散功率 (PC): 450 mW
    - 工作结温和存储温度 (TJ, Tstg): -55至+150°C
    - 电气特性
    - 直流电流增益 (hFE): VCE = 5 V, IC = 50 mA时,最小值为60,典型值为150。
    - 截止电流
    - 集电极截止电流 (ICBO): VCB = 5 V, IE = 0 A时,最大值为1.0 μA。
    - 发射极截止电流 (IEBO): VEB = 1 V, IC = 0 A时,最大值为1.0 μA。
    - 增益带宽积 (fT): VCE = 5 V, IC = 30 mA时,典型值为10 GHz。
    - 前向转移增益 (|S21e|^2): VCE = 5 V, IC = 30 mA, f = 1 GHz时,典型值为17 dB。
    - 噪声系数 (NF): VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 1 GHz时,典型值为1.2 dB。

    产品特点和优势


    - 低噪声性能: 噪声系数为1.2 dB(1 GHz),适用于对噪声要求严格的通信系统。
    - 高截止频率: 截止频率为10 GHz(5 V下),保证高频信号的良好传输。
    - 高增益: 增益高达17 dB(1 GHz),提高信号的强度和可靠性。
    - 封装兼容性: MCPH4封装与SC-82FL封装针脚兼容,方便在现有设计中进行替换。
    - 汽车级认证: 通过AEC-Q101认证,具备PPAP能力,适合汽车应用。
    - 无铅、无卤化物、RoHS合规: 环保材料,符合环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 数字无线电接收机:用于接收数字广播信号,降低噪声干扰。
    - 电视信号接收器:增强电视信号的接收质量,提供清晰图像。
    - 调频广播接收机:提升调频广播的音频质量。
    - UHF应用:适用于超高频信号的放大,例如遥控设备或短距离无线通信。
    使用建议
    - 确保电路板的设计能够有效散热,特别是在高功率应用中。
    - 使用静电防护措施以防止静电损坏。
    - 在安装和操作过程中遵循正确的静态保护措施,避免因静电而导致设备损坏。

    兼容性和支持


    - 兼容性: MCPH4封装与SC-82FL封装针脚兼容,可以轻松替换现有设计中的旧型号。
    - 技术支持: ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南、产品数据手册等。如有问题可联系技术工程师获取帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 如何正确安装NSVF4017SG4?
    - 解决方案: 请参考产品手册中的安装指南,确保按照规范进行操作,注意静电防护。

    - 问题2: 设备在高温环境下工作是否会受到影响?
    - 解决方案: MCPH4封装具有出色的散热性能,可以在高温环境下稳定工作。但在极端高温环境下,建议采取额外的散热措施。

    总结和推荐


    综合评估
    - NSVF4017SG4是一款高性能的低噪声射频晶体管,广泛应用于数字无线电、电视、调频广播和UHF应用。其低噪声系数、高增益和AEC-Q101认证等特点使其在工业和汽车应用中表现出色。
    - MCPH4封装的高散热性能和兼容性使得这款晶体管易于集成到现有设计中。
    - ON Semiconductor提供的详尽技术文档和支持服务为用户提供了可靠的技术保障。
    推荐意见
    - 强烈推荐使用NSVF4017SG4低噪声射频晶体管,特别是在需要低噪声性能和高可靠性要求的应用场合。

NSVF4017SG4T1G参数

参数
最大功率耗散 450mW
VCBO-最大集电极基极电压 20V
最大集电极发射极饱和电压 -
晶体管类型 NPN
VEBO-最大发射极基极电压 2V
集电极截止电流 1μA
配置 独立式
集电极电流 100mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 12V
长*宽*高 2mm*1.6mm*850μm
通用封装 SC-82FL-4
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVF4017SG4T1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVF4017SG4T1G数据手册

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NSVF4017SG4T1G封装设计

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