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NGTB30N135IHRWG

产品分类: IGBT单管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 394W 2.3V 独立式 2.65V@ 15V,30A 60A TO-247 通孔安装
供应商型号: FL-NGTB30N135IHRWG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR IGBT单管 NGTB30N135IHRWG

NGTB30N135IHRWG概述

    NGTB30N135IHR/D 技术手册解析

    1. 产品简介


    NGTB30N135IHR/D 是一款集成有源自由轮二极管的绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。这款器件采用了稳健且成本效益高的场截止(Field Stop)沟槽结构,特别适用于苛刻的开关应用中。它的低导通电压和最小的开关损耗使其成为理想的选择,尤其是在谐振或软开关应用中表现出色。主要用途包括感应加热、消费类电器及软开关应用。

    2. 技术参数


    - 额定电压 (VCES):1350V
    - 集电极电流 (IC):在25°C时为60A,在100°C时为30A;脉冲模式下可达120A
    - 二极管正向电流 (IF):在25°C时为60A,在100°C时为30A;脉冲模式下可达120A
    - 栅极-发射极电压 (VGE):±25V(瞬态)
    - 功率耗散 (PD):在25°C时为394W,在100°C时为197W
    - 最大结温 (TJ):-40至+175°C
    - 存储温度范围 (Tstg):-55至+175°C
    - 焊接温度 (TSLD):260°C
    - 热阻 (RJC):0.38°C/W
    - 热阻 (RJA):40°C/W

    3. 产品特点和优势


    - 场截止技术:采用高效场截止技术,显著降低能耗,提高效率。
    - 低导通损耗:优化设计以减少开关损耗,提高能效。
    - 可靠性高:单片解决方案提供了高可靠性和经济性。
    - 无铅封装:符合环保标准。

    4. 应用案例和使用建议


    - 典型应用:感应加热、家用电器、软开关等。
    - 使用建议:确保散热系统有效运行,避免过载和高温导致损坏。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:适合多种电路设计,广泛应用于各类电子设备。
    - 支持和维护:制造商提供技术支持和维护服务。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题:过高的温度会导致器件失效。
    - 解决方法:合理规划散热系统,避免长时间超负荷运行。

    7. 总结和推荐


    NGTB30N135IHR/D 在高效率和稳定性方面表现出色,是许多应用的理想选择。尤其是其出色的耐高温性能和低功耗特性,使其在工业和消费电子领域具有广泛的适用性。强烈推荐使用这款产品,特别是在需要高性能和稳定性的场合。

NGTB30N135IHRWG参数

参数
最大功率耗散 394W
VCEO-集电极-发射极最大电压 2.65V@ 15V,30A
最大集电极发射极饱和电压 2.3V
配置 独立式
集电极电流 60A
16.26mm(Max)
5.3mm(Max)
21.08mm(Max)
通用封装 TO-247
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

NGTB30N135IHRWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NGTB30N135IHRWG数据手册

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NGTB30N135IHRWG封装设计

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