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NTMFS5H600NLT1G-IRH1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.3W(Ta),160W(Tc) 2V@ 250µA 89nC@ 10 V 1个N沟道 60V 1.3mΩ@ 50A,10V 6.68nF@30V 贴片安装
供应商型号: 488-NTMFS5H600NLT1G-IRH1CT-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS5H600NLT1G-IRH1

NTMFS5H600NLT1G-IRH1概述

    NTMFS5H600NL MOSFET 技术手册解析

    1. 产品简介


    NTMFS5H600NL 是一种单个 N 沟道功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于高效电源转换和控制应用。其最大额定电压为 60V,持续漏极电流可达 250A,在紧凑的封装尺寸(5x6mm)内提供了出色的性能表现。此器件适用于多种场合,包括但不限于电池管理系统、电源转换、电机驱动以及照明控制等领域。

    2. 技术参数


    | 参数 | 符号 | 值 | 单位 |
    ||
    | 最大漏源电压 | VDSS | 60 | V |
    | 最大栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 最大漏极电流(稳态) | ID | 250 | A |
    | 功耗(稳态) | PD | 160 | W |
    | 热阻抗(结到壳) | RJC | 0.80 | °C/W |
    | 热阻抗(结到环境) | RJA | 38 | °C/W |
    | 驱动能力(脉冲) | IDM | 900 | A |
    | 工作结温 | TJ, Tstg | -55 到 +150 | °C |

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑型封装:5x6mm 封装提供了在空间受限的设计中所需的高密度集成。
    - 低导通电阻:典型导通电阻为 1.3mΩ@10V(25℃时),有助于减少传导损耗。
    - 低栅极电荷:总栅极电荷为 40nC(4.5V 时),有助于降低驱动器损耗。
    - 无铅且符合 RoHS 标准:对环境保护有积极影响,符合欧盟及其他地区的环保要求。

    4. 应用案例和使用建议


    NTMFS5H600NL MOSFET 可以广泛应用于需要高效率电源管理和开关控制的应用场景中。例如:
    - 在电池管理系统中作为开关元件,实现精准的充电和放电管理。
    - 在电动车辆(EV)逆变器中作为关键电力转换组件,提供高效的能量传输。
    - 在工业电机驱动系统中,提高系统的整体能效。
    使用建议:
    - 选择合适的驱动电路,以确保充分驱动栅极,避免过早或延迟关闭导致的过热现象。
    - 在设计散热系统时考虑热阻抗,选择适当的 PCB 布局以优化散热性能。

    5. 兼容性和支持


    NTMFS5H600NL MOSFET 可以轻松与其他标准电源和驱动器设备兼容,简化设计过程并加速产品上市时间。ON Semiconductor 提供了全面的技术文档和在线支持资源,包括详细的安装指南和技术咨询服务。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 过载导致器件过热 | 改善散热措施,例如增加散热片或风扇 |
    | 栅极驱动电压不足 | 确保栅极驱动电路输出足够的电压 |
    | 开关频率过高导致过热 | 调整驱动参数以降低开关损耗 |

    7. 总结和推荐


    总体而言,NTMFS5H600NL MOSFET 凭借其低功耗、高集成度以及卓越的可靠性,在多种高效率电源管理和控制系统中表现出色。对于追求高效、紧凑且环保设计的工程师来说,它是一个理想的选择。我们强烈推荐在需要高性能 MOSFET 的项目中使用 NTMFS5H600NL。

NTMFS5H600NLT1G-IRH1参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 -
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 3.3W(Ta),160W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3mΩ@ 50A,10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.68nF@30V
Vgs-栅源极电压 -
栅极电荷 89nC@ 10 V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS5H600NLT1G-IRH1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS5H600NLT1G-IRH1数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS5H600NLT1G-IRH1 NTMFS5H600NLT1G-IRH1数据手册

NTMFS5H600NLT1G-IRH1封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
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10+ $ 2.5678 ¥ 21.6976
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