处理中...

首页  >  产品百科  >  NVMFS5C645NLAFT1G

NVMFS5C645NLAFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.7W(Ta),79W(Tc) 20V 2V@ 250µA 34nC@ 10 V 1个N沟道 60V 4mΩ@ 50A,10V 22A,100A 2.2nF@50V SO 贴片安装
供应商型号: 488-NVMFS5C645NLAFT1GTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C645NLAFT1G

NVMFS5C645NLAFT1G概述

    NVMFS5C645NL 60 V, 4.0 mΩ, 100 A Power MOSFET

    1. 产品简介


    NVMFS5C645NL是一款高性能的功率场效应晶体管(Power MOSFET),专为需要高电流和低导通电阻的应用而设计。其核心参数包括60 V的耐压等级、4.0 mΩ的导通电阻和100 A的连续漏极电流。这款MOSFET非常适合应用于汽车电子、工业控制、电源转换及通信设备等领域。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 持续漏极电流 (ID): 100 A (TC = 25°C); 71 A (TC = 100°C)
    - 功耗 (PD): 79 W (TC = 25°C); 40 W (TC = 100°C)
    - 最大脉冲漏极电流 (IDM): 820 A (TA = 25°C, tp = 10 μs)
    - 工作结温和存储温度 (TJ, Tstg): -55°C to +175°C
    - 引脚电流 (IS): 100 A
    - 单脉冲雪崩能量 (EAS): 185 mJ (IL(pk) = 5 A)
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 60 V (VGS = 0 V, ID = 250 μA)
    - 栅源漏电流 (IGSS): 100 nA (VDS = 0 V, VGS = 20 V)
    - 门限电压 (VGS(TH)): 1.2 V to 2.0 V (VGS = VDS, ID = 80 μA)
    - 导通电阻 (RDS(on)): 4.0 mΩ (VGS = 10 V, ID = 50 A); 5.7 mΩ (VGS = 4.5 V, ID = 50 A)
    - 输入电容 (CISS): 2200 pF (VGS = 0 V, f = 1 MHz, VDS = 50 V)
    - 输出电容 (COSS): 900 pF
    - 门极电荷 (QG(TOT)): 16 nC (VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 50 A); 34 nC (VGS = 10 V, VDS = 30 V, ID = 50 A)

    - 热阻抗
    - 结点到外壳 (RJC): 1.9 °C/W
    - 结点到环境 (RJA): 41 °C/W (Note: 1, 2)

    3. 产品特点和优势


    - 紧凑设计:采用小尺寸封装(5x6 mm),适用于空间受限的应用。
    - 低导通电阻:RDS(on)低至4.0 mΩ,能显著降低功耗和发热量。
    - 快速开关特性:低输入和输出电容使得驱动损耗小,适用于高频开关电路。
    - 增强的可焊性侧面:提供湿可焊侧面选项,确保光学检测更佳。
    - 符合标准认证:通过AEC-Q101认证,且PPAP能力认证。
    - 无铅无卤素:环保设计,RoHS合规。

    4. 应用案例和使用建议


    - 汽车电子:适用于车身控制模块、逆变器和电池管理系统等。
    - 工业控制:可用于电机驱动、电源管理和各类传感器接口。
    - 通信设备:用于DC-DC转换器和电信基础设施。
    使用建议:
    - 在选择栅极电阻时,根据具体应用要求平衡开关时间和功耗。例如,在高速开关应用中,可选择较低的栅极电阻以减少延迟时间。
    - 考虑到散热需求,建议在电路板上增加适当的散热措施,如使用大面积铜箔或散热片。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:与多数通用控制器和驱动器兼容。
    - 技术支持:ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持,确保产品高效部署。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 开关速度慢?
    - 解决办法: 检查栅极电阻选择是否合理,调整到更合适的数值。
    - 问题: 过热?
    - 解决办法: 确保良好的散热设计,检查安装位置是否有足够的空气流通。
    - 问题: 泄漏电流大?
    - 解决办法: 确认接线正确且无物理损坏,检查环境温度是否超出工作范围。

    7. 总结和推荐


    综上所述,NVMFS5C645NL凭借其优秀的导通性能、低损耗和紧凑设计,成为高性能电源管理的理想选择。对于追求低功耗、高可靠性的应用场景,我们强烈推荐此款产品。建议在采购前仔细评估具体应用场景的需求,并参考制造商提供的技术资料以确保最佳使用效果。

NVMFS5C645NLAFT1G参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 50A,10V
最大功率耗散 3.7W(Ta),79W(Tc)
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.2nF@50V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 22A,100A
栅极电荷 34nC@ 10 V
配置 独立式
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVMFS5C645NLAFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C645NLAFT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVMFS5C645NLAFT1G NVMFS5C645NLAFT1G数据手册

NVMFS5C645NLAFT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1500+ $ 0.5187 ¥ 4.3833
3000+ $ 0.4752 ¥ 4.0158
7500+ $ 0.4566 ¥ 3.8579
库存: 1500
起订量: 1500 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1500
合计: ¥ 6574.95
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0