处理中...

首页  >  产品百科  >  NTMFS08N004C

NTMFS08N004C

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 125W(Tc) 20V 4V@ 250µA 55nC@ 10 V 1个N沟道 80V 4mΩ@ 44A,10V 126A 4.25nF@40V QFN 贴片安装
供应商型号: FL-NTMFS08N004C
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS08N004C

NTMFS08N004C概述


    产品简介


    NTMFS08N004C MOSFET – Power Trench, N-Channel, Shielded Gate
    NTMFS08N004C 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用 ON Semiconductor 的先进 PowerTrench 工艺制造,集成了屏蔽栅技术。该产品主要用于高压直流转换、同步整流器、电机驱动以及太阳能等应用领域。

    技术参数


    - 电压规格
    - 最大漏源击穿电压 \( V{DS} \): 80 V
    - 最大门源击穿电压 \( V{GS} \): ±20 V
    - 持续漏电流 \( I{D} \):
    - \( TC = 25^\circ \text{C} \): 126 A
    - \( TC = 100^\circ \text{C} \): 80 A
    - \( TA = 25^\circ \text{C} \): 18 A
    - 脉冲电流:637 A
    - 单脉冲雪崩能量 \( E{AS} \): 486 mJ
    - 功耗 \( PD \):
    - \( TC = 25^\circ \text{C} \): 125 W
    - \( TA = 25^\circ \text{C} \): 2.5 W
    - 工作及存储温度范围:\(-55^\circ \text{C}\) 到 \(+150^\circ \text{C}\)
    - 电阻及电容
    - 静态漏源导通电阻 \( r{DS(on)} \):
    - \( V{GS} = 10 V, ID = 44 A \): 3.4 至 4.0 mΩ
    - \( V{GS} = 6 V, ID = 22 A \): 5.2 至 12.5 mΩ
    - 输入电容 \( C{iss} \): 3035 至 5100 pF
    - 输出电容 \( C{oss} \): 940 至 1580 pF
    - 反向转移电容 \( C{rss} \): 27 至 50 pF
    - 开关特性
    - 开启延迟时间 \( t{d(on)} \): 17 至 30 ns
    - 上升时间 \( tr \): 6 至 12 ns
    - 关闭延迟时间 \( t{d(off)} \): 25 至 40 ns
    - 下降时间 \( tf \): 4 至 10 ns
    - 总栅极电荷 \( Qg \):
    - \( V{GS} = 0 V \) 到 \( 10 V \): 39 至 66 nC
    - \( V{GS} = 0 V \) 到 \( 6 V \): 25 至 41 nC

    产品特点和优势


    - 屏蔽栅技术:显著降低寄生效应,提升整体性能。
    - 低静态导通电阻:最小值仅为 3.4 mΩ(\( V{GS} = 10 V, ID = 44 A \))。
    - 低雪崩能量:相比其他供应商减少 50% 的反向恢复电荷。
    - 优秀的软体二极管:降低开关噪声和电磁干扰。
    - Pb-free 和 RoHS 合规:满足环保标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - DC-DC 转换器:用于主开关,例如在数据中心或电动汽车中的电源管理。
    - 同步整流器:广泛应用于电源适配器、服务器电源等场合。
    - 电机驱动:适用于工业自动化、机器人等高功率需求领域。
    - 太阳能逆变器:高效转换太阳能电池板产生的直流电为交流电。
    使用建议
    - 散热管理:由于高功率操作,需要有效的散热措施以确保最佳性能和长期稳定性。
    - 电路设计:考虑使用低感引线布局,以减少寄生电感的影响,提高开关速度。
    - 测试和验证:务必在典型工作条件下进行全面测试,确保产品的可靠性和性能。

    兼容性和支持


    - 封装类型:Power 56 (PQFN8)
    - 标记信息:见产品包装上的标记信息,例如生产日期代码等。
    - 支持服务:提供全面的技术支持,包括产品文档、设计指南和应用笔记。

    常见问题与解决方案


    - 问题1: 开关损耗较高。
    - 解决方案: 检查 PCB 设计,优化散热路径,或者选择更高栅极电阻值的驱动器。

    - 问题2: 开启时间过长。
    - 解决方案: 确保驱动电压符合要求,并且适当调整驱动器的输出电容值。

    - 问题3: 高温环境下性能下降。
    - 解决方案: 在设计时加入额外的冷却措施,如热管或风扇,以确保良好的散热效果。

    总结和推荐


    NTMFS08N004C 是一款高度集成、性能卓越的 N 沟道 MOSFET,适合多种高压应用。其独特的屏蔽栅技术和低电阻特性使其在众多应用场景中表现出色。虽然初始成本可能较高,但其优异的性能和可靠性使其成为高要求领域的理想选择。强烈推荐在电力转换、电机控制和能源系统中使用此产品。

NTMFS08N004C参数

参数
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 55nC@ 10 V
FET类型 1个N沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 125W(Tc)
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 44A,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.25nF@40V
Id-连续漏极电流 126A
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 80V
通用封装 QFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS08N004C厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS08N004C数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS08N004C NTMFS08N004C数据手册

NTMFS08N004C封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 1.8257 ¥ 15.464
库存: 6000
起订量: 327 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 15.46
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0