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NVMFD5489NLWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W 20V 2.5V@ 250µA 12.4nC@ 10V 2个N沟道 60V 65mΩ@ 15A,10V 4.5A 330pF@25V DFN 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NVMFD5489NLWFT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFD5489NLWFT1G

NVMFD5489NLWFT1G概述


    产品简介


    产品类型:功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),型号为NVMFD5489NL。
    主要功能:
    - N-Channel逻辑电平MOSFET,最大耐压为60V。
    - 最大连续漏极电流为12A(在25°C时)。
    - 具有低导通电阻(RDS(on))以减少导通损耗。
    - 低栅极电容以减少驱动损耗。
    应用领域:
    适用于紧凑型设计的汽车电子、电源转换、工业控制和其他需要高效率功率管理的应用场合。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 60 V
    - 栅源电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): 12 A (25°C时),8.8 A (100°C时)
    - 功率耗散 (PD): 23.4 W (25°C时),11.7 W (100°C时)
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 175°C
    - 单脉冲漏极-源极雪崩能量 (EAS): 19 mJ
    - 电气特性
    - 导通电阻 (RDS(on)): 52-65 mΩ (VGS=10V时),66-79 mΩ (VGS=4.5V时)
    - 输入电容 (Ciss): 330 pF (VGS=0V时,f=1.0 MHz)
    - 输出电容 (Coss): 80 pF
    - 反向传输电容 (Crss): 39 pF
    - 总门极电荷 (QG(TOT)): 12.4 nC (VGS=10V,VDS=48V时)

    产品特点和优势


    - 小尺寸:采用5x6mm的小封装,适合紧凑型设计。
    - 低导通电阻:低至52-65 mΩ,有效减少导通损耗。
    - 低栅极电容:低至330 pF,有助于减少驱动损耗。
    - 高温适应能力:可在高达175°C的环境下工作。
    - 湿法浸渍选择:具有增强光学检测功能的NVMFD5489NLWF型号。
    - AEC-Q101认证:适用于汽车应用,确保高可靠性。
    - 无铅制造:符合环保要求。

    应用案例和使用建议


    - 汽车电子:可应用于汽车电池管理系统和电动机控制模块,提供高效的功率转换和控制。
    - 工业控制:可用于工业自动化设备的电源管理,提高系统的可靠性和效率。
    - 使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计,避免热应力导致器件损坏。
    - 为确保长时间稳定运行,建议使用稳压电源,并合理设置驱动电路。

    兼容性和支持


    - 兼容性:与标准SO8FL封装的设备兼容。
    - 支持:制造商提供详尽的技术文档和在线技术支持,帮助客户快速上手。

    常见问题与解决方案


    1. 问:产品在高温环境下工作时,如何保证稳定性?
    答:使用合适的散热措施,如散热片或散热风扇,并保持良好的通风环境,确保设备正常工作。
    2. 问:在驱动过程中出现过度发热,应如何处理?
    答:检查驱动电路的设计,确保驱动电压和频率适当。同时增加外部散热装置,如散热片,降低工作温度。
    3. 问:如何选择合适的门极电阻?
    答:根据具体应用场景选择适当的门极电阻值,参考产品数据手册中的建议值,以达到最佳的开关速度和功率效率。

    总结和推荐


    综合评估:NVMFD5489NL是一款高性能、低成本的功率MOSFET,适用于各种紧凑型设计和高可靠性要求的应用场合。其独特的低导通电阻和低栅极电容特性使其在功率转换和驱动电路中表现出色。
    推荐:鉴于其优秀的电气特性和广泛的应用范围,我们强烈推荐NVMFD5489NL作为新项目开发或现有系统的升级选择。无论是汽车电子还是工业控制领域,这款产品都能提供出色的性能和稳定性。

NVMFD5489NLWFT1G参数

参数
最大功率耗散 3W
栅极电荷 12.4nC@ 10V
Id-连续漏极电流 4.5A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 330pF@25V
FET类型 2个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
通道数量 2
配置
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 65mΩ@ 15A,10V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NVMFD5489NLWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFD5489NLWFT1G数据手册

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NVMFD5489NLWFT1G封装设计

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