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FDR8508P

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 800mW 20V 3V@ 250µA 12nC@ 5V 2个P沟道 30V 52mΩ@ 3A,10V 3A 750pF@15V SSOT-8 贴片安装 4.06mm*3.3mm*1.02mm
供应商型号: CSJ-ST14394913
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDR8508P

FDR8508P概述


    产品简介


    FDR8508P 是一款高性能N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动器和功率变换等领域。它具备低导通电阻和高耐压特性,能够满足现代电力电子设备对于高效能、高可靠性的需求。这款MOSFET在电力转换和驱动系统中具有广泛的应用前景。

    技术参数


    - 绝对最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):-30 V
    - 栅源电压(VGSS):±20 V
    - 连续漏极电流(ID):-3 A
    - 脉冲漏极电流:-20 A
    - 功率耗散(PD):0.8 W
    - 工作温度范围(TJ, Tstg):-55°C 至 +150°C
    - 热阻(RθJA):156°C/W
    - 结点到外壳热阻(RθJC):40°C/W
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(BVDSS):-30 V
    - 漏源漏电(IDSS):-1 μA
    - 栅体泄漏电流(IGSSF):100 nA
    - 栅体反向泄漏电流(IGSSR):-100 nA
    - 栅阈电压(VGS(th)):-1 V 至 -3 V
    - 导通电阻(RDS(on)):0.040 Ω 至 0.086 Ω
    - 开态漏极电流(ID(on)):-20 A
    - 输入电容(Ciss):750 pF
    - 输出电容(Coss):220 pF
    - 反转转移电容(Crss):100 pF
    - 关断延迟时间(td(off)):24 ns 至 38 ns
    - 漏源二极管最大连续正向电流(IS):-0.67 A
    - 漏源二极管正向电压(VSD):-0.75 V 至 -1.2 V

    产品特点和优势


    FDR8508P 具有以下显著特点和优势:
    - 低导通电阻(RDS(on)):在不同栅源电压下的RDS(on)较低,这意味着在电力转换过程中可以降低损耗,提高效率。
    - 高耐压能力:-30 V 的漏源击穿电压使其适用于多种高电压应用。
    - 快速开关特性:短的开关延迟时间和关断时间使得FDR8508P能够在高频电路中表现出色。
    - 高可靠性:宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C)保证了其在各种恶劣环境下的稳定运行。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    FDR8508P 可以用于多种应用,例如:
    - 开关电源:利用其快速的开关特性和低导通电阻,在DC-DC转换器中提高效率。
    - 电机驱动器:由于其高电流承载能力和快速开关特性,适用于电机控制应用。
    - 电池充电器:其低漏电流特性有助于减少电池自放电。
    使用建议
    - 在选择MOSFET时,要确保漏源电压和漏极电流符合设计要求。
    - 在高频率应用中,考虑其开关延迟和关断时间,以避免不必要的功率损耗。
    - 确保正确的散热设计,特别是对于连续高功率运行的应用。

    兼容性和支持


    FDR8508P 支持标准的封装和引脚排列,与市面上常见的驱动器和控制器兼容。此外,制造商提供全面的技术支持,包括应用指南和故障排除文档,确保用户能够充分利用其性能。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备在高温下运行时,出现过热保护。
    - 解决方案:检查散热设计,增加外部散热片或冷却风扇,确保RθJA不超过允许值。
    2. 问题:开启延迟时间长。
    - 解决方案:检查驱动电路的设计,确保足够的栅极驱动电流,以加快开关速度。
    3. 问题:设备在高电流应用中发生损坏。
    - 解决方案:确认电源输入稳定,并且散热系统正常运作,防止过热导致设备损坏。

    总结和推荐


    综上所述,FDR8508P 是一款高效、可靠且应用广泛的N沟道MOSFET。其低导通电阻、高耐压能力和快速开关特性使其成为电力电子领域的理想选择。针对不同的应用需求,用户可以选择合适的工作条件来最大化其性能。鉴于其优异的性能和制造商提供的优质技术支持,我们强烈推荐在各类电力电子项目中使用FDR8508P。

FDR8508P参数

参数
Id-连续漏极电流 3A
配置
栅极电荷 12nC@ 5V
Vds-漏源极击穿电压 30V
Vgs-栅源极电压 20V
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 3A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
最大功率耗散 800mW
通道数量 2
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 750pF@15V
FET类型 2个P沟道
长*宽*高 4.06mm*3.3mm*1.02mm
通用封装 SSOT-8
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

FDR8508P厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDR8508P数据手册

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FDR8508P封装设计

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