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NSVMUN5333DW1T3G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 1mA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 500nA 50V 100mA SOT-363 贴片安装
供应商型号: Q-NSVMUN5333DW1T3G
供应商: 期货订购
标准整包数: 10000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMUN5333DW1T3G

NSVMUN5333DW1T3G概述


    产品简介


    DTC143ZP/D 系列互补偏置电阻晶体管
    产品类型:互补偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor, BRT)
    主要功能:集成了单个晶体管及其外接偏置网络(包括两个电阻),旨在简化电路设计并减少所需的外部元件数量。
    应用领域:适用于需要节省空间和成本的数字电路中,尤其适合汽车和其他对可靠性要求高的应用场景。

    技术参数


    最大额定值(TA=25°C)
    - 集电极-基极电压(VCBO):50 Vdc
    - 集电极-发射极电压(VCEO):50 Vdc
    - 连续集电极电流(IC):100 mAdc
    - 输入正向电压(VIN(fwd)):30 Vdc
    - 输入反向电压(VIN(rev)):5 Vdc
    额定电气特性(TA=25°C)
    - 电气关闭特性(典型值):
    - 集电极-基极截止电流(ICBO):≤100 nAdc
    - 集电极-发射极截止电流(ICEO):≤500 nAdc
    - 发射极-基极截止电流(IEBO):≤0.18 mAdc
    - 集电极-基极击穿电压(V(BR)CBO):≥50 Vdc
    - 集电极-发射极击穿电压(V(BR)CEO):≥50 Vdc
    - 电气开启特性(典型值):
    - 直流电流增益(hFE):80~200
    - 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)):≤0.25 V(典型)
    - 输入开启电压(VIN(on)):0.9~1.3 Vdc
    - 输出开启电压(VOH):≥4.9 Vdc
    - 输入电阻(R1):4.7 kΩ(典型)
    - 电阻比(R1/R2):0.1

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:通过集成偏置电阻网络,显著减少了外部组件的数量。
    - 减少板空间占用:单一封装内集成了晶体管及电阻,节省电路板空间。
    - 降低组件数量:减少了需要外部焊接的组件数量,简化了装配过程。
    - 符合环保标准:无铅、无卤化物、符合RoHS标准。
    - 认证与能力:AEC-Q101认证,PPAP能力。
    - 卓越的温度适应性:-55°C到+150°C的工作温度范围。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    DTC143ZP/D系列通常用于汽车电子系统、电源管理电路、以及其他高可靠性的电子设备中,能够有效提升系统的稳定性和耐用性。
    使用建议
    - 在高频开关电路中使用时,建议考虑输入电阻(R1)和电阻比(R1/R2)的具体值,确保电路稳定运行。
    - 应用时需要注意散热,尤其是连续工作条件下,需要参考热阻参数(RJA)以确定散热片或风扇的配置。

    兼容性和支持


    - 该产品具有多个封装选项,如SOT-363、SOT-563和SOT-963,能够灵活适应不同应用场景的需求。
    - onsemi提供全面的技术支持和售后服务,确保客户能够顺利部署和维护相关设备。

    常见问题与解决方案


    - Q:如何正确选择封装尺寸?
    - A: 依据实际应用需求和电路板布局选择合适的封装尺寸,例如SOT-363适用于小型应用,而SOT-563和SOT-963适用于较大功率和空间充足的场合。
    - Q:如何处理高温环境下工作的问题?
    - A: 确保散热良好,可以使用散热片或强制通风的方式提高散热效率。同时应注意最大功耗随温度的变化曲线。

    总结和推荐


    DTC143ZP/D系列互补偏置电阻晶体管凭借其出色的电气特性和紧凑的设计,特别适合于高可靠性和低成本的应用环境中。其独特的功能和优势使其在市场上具有很强的竞争力,因此我们强烈推荐使用该系列产品。无论是对于新开发的项目还是现有的电路改进,DTC143ZP/D都能为工程师提供一个高效且可靠的解决方案。

NSVMUN5333DW1T3G参数

参数
集电极截止电流 500nA
集电极电流 100mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 1mA,10mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
VEBO-最大发射极基极电压 -
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 1mA,10mA
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
配置 -
最大功率耗散 -
通用封装 SOT-363
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVMUN5333DW1T3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMUN5333DW1T3G数据手册

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NSVMUN5333DW1T3G封装设计

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