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NTMFS5C645NLT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.7W(Ta),79W(Tc) 20V 2V@ 250µA 34nC@ 10V 1个N沟道 60V 4mΩ@ 50A,10V 22A,100A 2.2nF@50V SO-FL-8 贴片安装
供应商型号: FL-NTMFS5C645NLT3G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS5C645NLT3G

NTMFS5C645NLT3G概述

    NTMFS5C645NL Power MOSFET 技术手册概述

    1. 产品简介


    NTMFS5C645NL 是一款单通道 N 沟道功率 MOSFET,专为高效率应用设计。它具有出色的热性能、低导通电阻和快速开关能力,使其适用于各种高电流和高频应用场景,如开关电源、电机驱动、数据中心和通信基础设施。

    2. 技术参数


    - 额定电压(VDSS): 60 V
    - 最大栅极电压(VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流(ID):
    - TC = 25°C 时:100 A
    - TC = 100°C 时:71 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):
    - TC = 25°C, tp = 10 μs 时:820 A
    - 最大功率耗散(PD):
    - TC = 25°C 时:79 W
    - TC = 100°C 时:40 W
    - 最大源电流(IS): 100 A
    - 反向雪崩能量(EAS): 185 mJ
    - 工作温度范围(TJ, Tstg): -55 至 +175°C
    - 关断特性:
    - 击穿电压(V(BR)DSS): 60 V
    - 漏源击穿电压温度系数(V(BR)DSS/TJ): 15.5 mV/°C
    - 零栅极电压漏电流(IDSS):
    - TJ = 25°C 时:10 nA
    - TJ = 125°C 时:250 nA
    - 导通特性:
    - 导通电阻(RDS(on)):
    - VGS = 10 V, ID = 50 A 时:3.3-4.0 mΩ
    - VGS = 4.5 V, ID = 50 A 时:4.6-5.7 mΩ
    - 电容和门极电阻:
    - 输入电容(CISS): 2200 pF
    - 输出电容(COSS): 900 pF
    - 反向转移电容(CRSS): 17 pF
    - 总门极电荷(QG(TOT)):
    - VGS = 4.5 V, VDS = 30 V, ID = 50 A 时:16 nC
    - VGS = 10 V, VDS = 30 V, ID = 50 A 时:34 nC

    3. 产品特点和优势


    - 小尺寸(5x6 mm): 便于紧凑设计
    - 低 RDS(on): 降低传导损耗
    - 低 QG 和电容: 减少驱动损耗
    - 无铅且符合 RoHS 标准: 符合环保要求

    4. 应用案例和使用建议


    NTMFS5C645NL MOSFET 广泛应用于开关电源、电机驱动和通信基础设施等领域。例如,在一个典型的开关电源设计中,可以使用此 MOSFET 来实现高效的电源转换。
    使用建议:
    - 在高温环境下使用时,注意散热设计以避免过热。
    - 选择合适的门极电阻(RG)以优化开关时间和驱动损耗。

    5. 兼容性和支持


    NTMFS5C645NL 具有标准的 DFN5 封装,可与其他同类型的电子元件或设备兼容。ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括在线资源和电话支持。

    6. 常见问题与解决方案


    - 问题: 高温下 MOSFET 过热?
    - 解决方案: 使用散热器或热管来提高热导率。
    - 问题: 开关时间不稳定?
    - 解决方案: 调整门极电阻(RG)以优化开关速度。
    - 问题: 电流超过额定值?
    - 解决方案: 检查系统设计并确保所有组件符合要求。

    7. 总结和推荐


    NTMFS5C645NL 是一款高性能的功率 MOSFET,特别适合于需要高效率和可靠性的应用场合。它具有优秀的热管理和低导通电阻特性,使其成为开关电源和电机驱动的理想选择。强烈推荐使用 NTMFS5C645NL 在各种高电流和高频应用场景中,以实现最佳性能和可靠性。
    通过上述详细技术手册内容,可以看出 NTMFS5C645NL 是一款值得信赖的产品,适用于多种高要求的应用场景。

NTMFS5C645NLT3G参数

参数
最大功率耗散 3.7W(Ta),79W(Tc)
Id-连续漏极电流 22A,100A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.2nF@50V
栅极电荷 34nC@ 10V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 4mΩ@ 50A,10V
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS5C645NLT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS5C645NLT3G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTMFS5C645NLT3G NTMFS5C645NLT3G数据手册

NTMFS5C645NLT3G封装设计

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