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FDP2572

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=150 V, 4 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: FDP2572
供应商: 云汉优选
标准整包数: 20
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP2572

FDP2572概述

    FDP2572 N-Channel PowerTrench MOSFET 技术手册

    产品简介


    FDP2572 是一款高性能的 N-Channel PowerTrench® MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 Fairchild Semiconductor 生产,现已成为 ON Semiconductor 的一部分。这款 MOSFET 具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特性,广泛应用于消费电子产品、电池保护电路、同步整流、电机驱动及不间断电源等领域。

    技术参数


    以下是 FDP2572 的主要技术参数:
    - 最大电压(VDSS):150 V
    - 连续漏极电流(ID):
    - 25°C 下:29 A
    - 100°C 下:20 A
    - 25°C 下(TAmb = 25°C,VGS = 10V,RθJA = 43°C/W):4 A
    - 脉冲漏极电流(IDM):36 mJ(单脉冲雪崩能量)
    - 总功率耗散(PD):135 W
    - 热阻(RθJC, RθJA):最大值分别为 1.11°C/W 和 62.5°C/W
    - 栅源阈值电压(VGS(TH)):2 V 至 4 V
    - 栅极电荷(Qg(TOT)):26 nC 至 34 nC
    - 反向恢复时间(trr):74 ns(ISD = 9A,dISD/dt = 100A/µs)
    - 反向恢复电荷(QRR):169 nC(ISD = 9A,dISD/dt = 100A/µs)

    产品特点和优势


    FDP2572 拥有多项显著优势:
    - 低导通电阻(RDS(on)):典型值为 45 mΩ(@VGS = 10 V,ID = 9 A),保证了高效率和低功耗。
    - 快速开关速度:具有低栅极电荷和快速开关时间,适合高频应用。
    - 高可靠性:具有出色的雪崩能力和热稳定性。
    - 适用于多种应用:在消费电子产品、电池保护电路、电机驱动及不间断电源等领域表现出色。

    应用案例和使用建议


    FDP2572 广泛应用于各类电子产品,如电池充电器、UPS 系统、微逆变器等。以下是一些建议:
    - 电池保护电路:选择合适的驱动电压和电流限制,以确保电池的安全运行。
    - 电机驱动:根据电机的具体需求调整栅极驱动电路,以优化启动和运行性能。
    - 不间断电源:在设计 UPS 时,考虑散热措施,以避免过高的温度导致器件损坏。

    兼容性和支持


    FDP2572 可以与多种电子元器件和系统兼容,ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务。如果您有任何疑问,可以通过官网 www.onsemi.com 获取最新的产品信息和技术支持。

    常见问题与解决方案


    以下是一些用户可能遇到的问题及其解决方法:
    - 问题:器件过热
    - 解决方案:检查散热设计,增加散热片或风扇,以降低器件温度。
    - 问题:性能不稳定
    - 解决方案:确认工作环境符合要求,特别是温度和电压范围内的稳定性。
    - 问题:驱动电路设计不当
    - 解决方案:参考数据手册中的建议,优化栅极驱动电路。

    总结和推荐


    FDP2572 N-Channel PowerTrench MOSFET 是一款高效、可靠且易于使用的电子元器件。它的低导通电阻、快速开关速度和广泛的适用性使其成为众多应用的理想选择。对于需要高性能 MOSFET 的场合,我们强烈推荐使用 FDP2572。
    本文档提供了关于 FDP2572 的全面概述,详细介绍了其技术参数、特点和应用案例。希望这些信息能够帮助您更好地理解和应用该产品。如需进一步的帮助,请访问 ON Semiconductor 的官方网站。

FDP2572参数

参数
FET类型 1个N沟道
配置 独立式
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
栅极电荷 34nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.77nF@25V
最大功率耗散 135W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 150V
Id-连续漏极电流 4A,29A
Rds(On)-漏源导通电阻 54mΩ@ 9A,10V
10.67mm(Max)
4.7mm(Max)
9.4mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 散装,管装

FDP2572厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDP2572数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDP2572 FDP2572数据手册

FDP2572封装设计

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