处理中...

首页  >  产品百科  >  NTTFS015P03P8ZTAG

NTTFS015P03P8ZTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.66W(Ta),33.8W(Tc) 3V@ 250µA 62.3nC@ 10 V 1个P沟道 30V 9.3mΩ@ 12A,10V 13.4A;47.6A 2.706nF@15V DFN 贴片安装
供应商型号: FL-NTTFS015P03P8ZTAG
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS015P03P8ZTAG

NTTFS015P03P8ZTAG概述

    # NTTFS015P03P8Z P-Channel MOSFET 技术详解

    1. 产品简介


    NTTFS015P03P8Z 是一款高性能的 P 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由 ON Semiconductor 推出。它采用了先进的封装技术,具有超低的导通电阻(RDS(on))以提高系统效率。这款 MOSFET 主要用于负载开关和电池管理领域,具有卓越的热传导能力和空间节省优势。此外,它符合无铅、卤素和溴化阻燃剂(BFR)自由标准,并且满足 RoHS(Restriction of Hazardous Substances Directive)合规要求。
    主要特点:
    - 超低 RDS(on):显著提升系统能效。
    - 紧凑设计:3.3x3.3 mm² 的小型封装适合有限空间的设计需求。
    - 优异的热性能:快速散热有助于延长设备寿命。

    2. 技术参数


    以下是 NTTFS015P03P8Z 的关键技术和性能参数:
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | -25 +25 | V |
    | 击穿电压 | V(BR)DSS -30 | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 5.0 | 7.5 | 12 | mΩ |
    | 持续漏极电流(TC=25°C) | ID -47.6 A |
    | 工作温度范围 | TJ, Tstg | -55 150 | °C |
    其他关键指标还包括:
    - 热阻抗(Junction-to-Ambient, RJA)为 47 °C/W。
    - 支持脉冲模式下最高可达 -195 A 的漏极电流。
    - 具备出色的反向电压保护能力,适用于逆变器和过压保护场景。

    3. 产品特点和优势


    独特功能:
    - 高效率运行:通过降低导通电阻,显著减少了功率损耗。
    - 紧凑型封装:3.3x3.3 mm² 尺寸适合现代高密度电路板设计。
    - 鲁棒性与可靠性:支持宽泛的工作温度范围及多种极端条件下的稳定运行。
    市场竞争力:
    相比同类产品,NTTFS015P03P8Z 在功耗控制、尺寸优化以及价格合理性方面均展现出较强的竞争优势,特别适合消费类电子、通信设备以及工业控制领域。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    1. 电源负载开关:利用其低导通电阻特性,在开关电源中实现高效电流切换。
    2. 电池管理:可用于电池充放电控制,提供过压和过流保护。
    3. 逆变器设计:由于其良好的反向电压承受能力,是理想的选择。
    使用建议:
    - 选择合适的栅极驱动电阻(RG)以平衡开关速度与功耗需求。
    - 注意焊接时需遵守推荐温度限制,避免因高温导致性能下降。
    - 结合具体应用场景调整外围元件参数,确保最佳匹配。

    5. 兼容性和支持


    NTTFS015P03P8Z 可轻松集成到现有的 PCB 设计中,并与其他主流芯片和模块保持良好兼容性。ON Semiconductor 提供全面的技术支持服务,包括详细的数据手册下载链接、常见问题解答(FAQ)页面以及客户专属的技术咨询热线。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开机后设备无法正常工作 | 检查连接是否正确,确认供电电压是否符合要求。 |
    | 温度过高引起自动关断 | 增加散热片或改进 PCB 布局来改善热管理。 |
    | 开关时间过长 | 调整栅极驱动电阻值以加快响应速度。 |

    7. 总结和推荐


    总体而言,NTTFS015P03P8Z P 沟道 MOSFET 凭借其卓越的能效表现、紧凑的设计以及广泛的适用性,成为众多工程师的首选解决方案之一。如果您正在寻找一款高效、可靠且易于部署的电子元器件,NTTFS015P03P8Z 绝对值得考虑。推荐将其应用于需要高性能、低能耗和高精度控制的场景中。

NTTFS015P03P8ZTAG参数

参数
栅极电荷 62.3nC@ 10 V
通道数量 -
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
最大功率耗散 2.66W(Ta),33.8W(Tc)
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 9.3mΩ@ 12A,10V
Id-连续漏极电流 13.4A;47.6A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.706nF@15V
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTTFS015P03P8ZTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS015P03P8ZTAG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS015P03P8ZTAG NTTFS015P03P8ZTAG数据手册

NTTFS015P03P8ZTAG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ $ 0.2111 ¥ 1.7884
库存: 832500
起订量: 2822 增量: 1
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 1.78
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
06N06L ¥ 0.253
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
10N65F ¥ 1.056
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.1067
15N10 ¥ 0.63
15N10 ¥ 0.336
16NS25-VB ¥ 4.8594
18T10GH-VB ¥ 1.7504