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NTMFS4C025NT3G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.55W(Ta),30.5W(Tc) 20V 2.1V@ 250µA 26nC@ 10V 1个N沟道 30V 3.41mΩ@ 30A,10V 20A,69A 1.683nF@15V SO-FL-8 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NTMFS4C025NT3G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTMFS4C025NT3G

NTMFS4C025NT3G概述


    产品简介


    产品名称: NTMFS4C025N MOSFET
    产品类型: 功率 MOSFET,单通道,N 沟道,SO-8 平贴封装
    主要功能:
    - 低导通电阻(RDS(on))以减少导通损耗
    - 低电容以减少驱动损耗
    - 优化栅极电荷以减少开关损耗
    应用领域:
    - CPU 电源传输
    - DC-DC 转换器

    技术参数


    - 漏源电压 (VDSS):30 V
    - 栅源电压 (VGS):±20 V
    - 连续漏极电流 (TA = 25°C):20.0 A
    - 连续漏极电流 (TA = 80°C):14.9 A
    - 功率耗散 (TA = 25°C):2.55 W
    - 脉冲漏极电流 (TA = 25°C, tp = 10 µs):200 A
    - 最大漏极电流 (IDmax):80 A
    - 存储温度范围:−55°C 至 +150°C
    - 热阻 (Junction-to-Ambient – Steady State):RJA = 49°C/W
    - 热阻 (Junction-to-Ambient – (t ≤ 10 s)):RJA = 19.5°C/W

    产品特点和优势


    特点:
    - 低导通电阻(RDS(on)),减少导通损耗。
    - 低电容,降低驱动损耗。
    - 优化栅极电荷,减少开关损耗。
    - 符合环保要求,无铅,无卤素/溴化阻燃剂,RoHS 合规。
    优势:
    - 适合高频和高效率的应用场景,如 CPU 电源传输和 DC-DC 转换器。
    - 在高温环境下仍能保持稳定性能,适用于宽温范围的应用。
    - 符合严格的环保标准,适于现代电子产品设计。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 该 MOSFET 可用于 CPU 电源传输系统,确保高效的能源管理。
    - 在 DC-DC 转换器中,可以有效降低电路的损耗,提高整体效率。
    使用建议:
    - 在设计电路时,需注意热管理,特别是在高电流和高温度环境下,确保散热设计合理。
    - 配合合适的栅极驱动器,优化开关频率和电流设置,以充分发挥其低损耗的优势。
    - 使用符合规范的 PCB 设计,确保散热路径畅通,提高可靠性。

    兼容性和支持


    - 兼容性:
    - 该产品支持 SO-8 平贴封装,易于焊接和集成到现有电路板上。
    - 可与多种栅极驱动器和电源管理系统兼容,确保灵活的应用可能性。
    - 支持和服务:
    - 厂商提供详细的技术文档和支持服务,包括应用指南和技术咨询。
    - 产品具有良好的市场口碑,用户可以在官方网站或技术支持中心获取更多帮助。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 产品在高温环境下性能不稳定。
    - 解决方案: 确保电路板有良好的散热设计,使用散热片或风扇进行辅助散热。

    - 问题: 开关频率过高导致发热严重。
    - 解决方案: 适当降低开关频率,增加栅极电阻以减小开关损耗。

    - 问题: 产品失效。
    - 解决方案: 检查电路设计是否正确,确认焊接质量及散热措施是否到位。

    总结和推荐


    总结:
    - NTMFS4C025N MOSFET 是一款高性能的 N 沟道功率 MOSFET,具备低导通电阻、低电容和优化的栅极电荷,非常适合于 CPU 电源传输和 DC-DC 转换器等高效率应用。
    - 在宽温度范围内表现优异,符合严格的环保标准,是现代电子产品设计的理想选择。
    推荐:
    - 强烈推荐在需要高效率和稳定性能的应用中使用 NTMFS4C025N。通过合理的电路设计和热管理措施,可以最大限度地发挥其性能优势。

NTMFS4C025NT3G参数

参数
Id-连续漏极电流 20A,69A
配置 -
Vgs-栅源极电压 20V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.683nF@15V
栅极电荷 26nC@ 10V
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 2.55W(Ta),30.5W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 3.41mΩ@ 30A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.1V@ 250µA
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO-FL-8
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTMFS4C025NT3G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTMFS4C025NT3G数据手册

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NTMFS4C025NT3G封装设计

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