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NTGS3136PT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 700mW(Ta) 8V 1V@ 250µA 29nC@ 4.5 V 1个P沟道 20V 33mΩ@ 5.1A,4.5V 3.7A 1.901nF@10V TSOP-6 贴片安装 3mm*1.5mm*1mm
供应商型号: NTGS3136PT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 10
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTGS3136PT1G

NTGS3136PT1G概述

    NTGS3136P/NVGS3136P MOSFET 技术手册

    1. 产品简介


    NTGS3136P 和 NVGS3136P 是来自 Semiconductors Components Industries 的单片 P-通道 MOSFET,封装形式为 TSOP-6。这些器件主要用于电池和负载管理应用中的便携式设备,适合于高侧负载开关及游戏机和摄像电话中的切换电路。NV 前缀表示该器件适用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用,已通过 AEC-Q101 认证并具备 PPAP 能力。

    2. 技术参数


    - 最大额定值
    - 漏源电压(VDSS):-20 V
    - 栅源电压(VGS):±8.0 V
    - 连续漏极电流(TA=25°C):-5.1 A
    - 功率耗散(TA=25°C):1.25 W
    - 最大脉冲漏极电流(tp=10 µs):-20 A
    - 操作结温和存储温度范围(TJ, TSTG):-55°C 到 150°C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压(V(BR)DSS):-20 V
    - 零栅源漏电流(IDSS):-1.0 µA (TJ=25°C),-5.0 µA (TJ=85°C)
    - 栅源漏电流(IGSS):±0.1 µA
    - 导通电阻(RDS(on)):25 mΩ @ -4.5 V,32 mΩ @ -2.5 V,41 mΩ @ -1.8 V
    - 前向二极管电压(VSD):-0.7 V (TJ=25°C),-0.6 V (TJ=125°C)

    3. 产品特点和优势


    - 低导通电阻(RDS(on)):在TSOP-6封装内具有低导通电阻,适合电池供电应用。
    - 栅极电压(VGS):支持1.8 V的栅极电压,适应低电压系统。
    - 快速开关:提供快速开关能力,减少开关损耗。
    - 无铅、卤素和BFR自由,符合RoHS标准:满足环保需求。

    4. 应用案例和使用建议


    - 应用案例:
    - 电池和负载管理应用,如便携式设备。
    - 高侧负载开关。
    - 游戏机和摄像电话中的切换电路。
    - 使用建议:
    - 在电池管理系统中,该器件可以用于优化电源路径管理和负载切换,以提高效率和可靠性。
    - 在需要快速响应的切换电路中,考虑到其低导通电阻和快速开关特性,建议采用优化的PCB布局,以进一步降低寄生电容和电阻。

    5. 兼容性和支持


    - 兼容性:该器件兼容大多数标准的TSOP-6封装引脚排列,易于与其他标准器件配合使用。
    - 支持:供应商提供详细的订购和运输信息,并提供技术支持,包括技术文档和在线资源。建议用户在遇到问题时及时联系供应商的技术支持团队。

    6. 常见问题与解决方案


    - Q: 漏源电压超出最大额定值会损坏器件吗?
    - A: 是的,如果任何额定值超过最大限制,可能会影响器件的功能并导致损坏。请严格按照技术手册中的最大额定值操作。

    - Q: 在高温环境下,器件的性能如何变化?
    - A: 通过查看典型性能曲线,可以看到随着温度的升高,器件的导通电阻会增加。因此,在高温应用中应特别注意散热设计。

    7. 总结和推荐


    NTGS3136P/NVGS3136P MOSFET 在便携式设备的电池和负载管理应用中表现出色,具有低导通电阻、快速开关和优秀的温度稳定性。其无铅和环保特性使其成为当前市场的理想选择。强烈推荐在需要高效电池管理系统的项目中使用此器件。

NTGS3136PT1G参数

参数
Rds(On)-漏源导通电阻 33mΩ@ 5.1A,4.5V
最大功率耗散 700mW(Ta)
Vgs-栅源极电压 8V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 1V@ 250µA
Vds-漏源极击穿电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 29nC@ 4.5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.901nF@10V
FET类型 1个P沟道
Id-连续漏极电流 3.7A
配置 独立式quaddrain
长*宽*高 3mm*1.5mm*1mm
通用封装 TSOP-6
安装方式 贴片安装
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTGS3136PT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTGS3136PT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTGS3136PT1G NTGS3136PT1G数据手册

NTGS3136PT1G封装设计

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