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BDW42G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi 达林顿晶体管, NPN三极管, 15 A, TO-220AB封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: LDL-BDW42G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) BDW42G

BDW42G概述


    产品简介


    本产品系列包括BDW42G(NPN)、BDW46G和BDW47G(PNP)型晶体管,它们是塑料封装、中等功率的硅基达林顿晶体管。这些晶体管主要用于通用低速开关应用。达林顿晶体管是将两个三极管串联起来设计而成,旨在实现更高的电流增益(hFE),从而适用于需要大电流驱动的应用场景。

    技术参数


    - 基本规格:
    - 电压范围:Collector-Emitter Voltage (VCEO) BDW46:80 Vdc;BDW42/BDW47:100 Vdc
    - 最大电流:Collector Current (IC) 15 Adc
    - 最高结温:Operating and Storage Junction Temperature Range -55至+150°C
    - 性能参数:
    - DC电流增益 (hFE):@ IC = 5.0 Adc, VCE = 4.0 Vdc 时为1000;@ IC = 10 Adc, VCE = 4.0 Vdc 时为250
    - 饱和电压 (VCE(sat)):@ IC = 5.0 Adc, IB = 10 mAdc 时为2.0 Vdc;@ IC = 10 Adc, IB = 50 mAdc 时为3.0 Vdc
    - 二次击穿电流 (IS/b):BDW42:3.0 A;BDW46/BDW47:1.2 A
    - 其他电气特性:
    - 小信号短路电流传输比 (fT):4.0 MHz
    - 输出电容 (Cob):BDW42:200 pF;BDW46/BDW47:300 pF
    - 热特性:
    - 热阻 (RJC):1.47 °C/W

    产品特点和优势


    BDW42G、BDW46G 和 BDW47G 具备显著的优点,使其在各类应用中脱颖而出:
    - 高电流增益 (hFE):可达2500(典型值),适合需要高电流放大倍数的应用。
    - 低饱和电压 (VCE(sat)):最小值为2.0 Vdc(@ IC = 5.0 Adc),这可以减少功率损耗,提高效率。
    - 内置基极-发射极分流电阻:简化电路设计,减少外部组件需求。
    - 兼容性好:TO-220紧凑封装,适用于各种印刷电路板。
    - 符合RoHS标准:无铅,环保。

    应用案例和使用建议


    这些晶体管广泛应用于家用电器、工业自动化、电机驱动等领域。例如,在电动工具中作为开关电源的功率输出级,或者用于驱动电磁继电器、灯泡等负载。针对这些应用,我们提出如下建议:
    - 在选择晶体管时,根据实际应用所需的电流和电压来匹配合适的型号(如BDW42、BDW46或BDW47)。
    - 在设计时需考虑散热问题,特别是对于高电流的应用场景。可选用散热片或风扇辅助散热,以避免因过热导致的可靠性下降。
    - 使用适当的PCB布局和走线,以降低寄生电感和电容的影响,提高系统稳定性。

    兼容性和支持


    BDW42G、BDW46G 和 BDW47G 与市面上常见的电子元器件兼容,能够方便地集成到现有的电路设计中。ON Semiconductor提供全面的技术支持,包括详细的电气特性表、电路图及封装信息等文档资源。客户可以通过官方网站(www.onsemi.com)访问在线支持中心,获取更深入的技术指导和帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 晶体管无法正常工作 | 检查电路连接是否正确,确认所有引脚都已牢固焊接。 |
    | 工作时温度过高 | 确认电路中有足够的散热措施,可能需要加大散热片尺寸或增加冷却风扇。 |
    | 驱动能力不足 | 更换更高电流增益的型号或增加驱动电路的电流源强度。 |

    总结和推荐


    总体而言,BDW42G、BDW46G 和 BDW47G 达林顿晶体管以其高电流增益、低饱和电压和优良的热稳定性成为许多应用的理想选择。尤其是在需要大电流驱动且对性能要求较高的场合,它们的表现尤为突出。强烈推荐这些产品给寻求高效能功率控制方案的设计工程师。

BDW42G参数

参数
集电极截止电流 2mA
VCEO-集电极-发射极最大电压 100V
配置 独立式
VCBO-最大集电极基极电压 100V
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 3V@ 50mA,10A
最大集电极发射极饱和电压 3V@ 50mA,10A
最大功率耗散 85W
VEBO-最大发射极基极电压 5V
晶体管类型 NPN - Darlington
集电极电流 15A
长*宽*高 10.53mm*4.83mm*15.75mm
通用封装 TO-220
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 散装,管装

BDW42G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

BDW42G数据手册

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BDW42G封装设计

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