处理中...

首页  >  产品百科  >  NVD6415ANT4G

NVD6415ANT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 83W(Tc) 20V 4V@ 250µA 29nC@ 10 V 1个N沟道 100V 55mΩ@ 23A,10V 23A 700pF@25V TO-252-3 贴片安装
供应商型号: NVD6415ANT4G-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD6415ANT4G

NVD6415ANT4G概述

    # MOSFET – Power, N-Channel 100 V, 23 A, 55 mΩ 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    NTD6415AN 和 NVD6415AN 是一款高性能 N 沟道增强型 MOSFET 功率器件,主要适用于高电流和低导通电阻(RDS(on))需求的应用场合。其额定电压为 100V,最大连续漏极电流可达 23A,在多种电路拓扑结构中表现优异。该器件采用了无铅工艺且符合 RoHS 标准,广泛应用于工业控制、通信电源和汽车电子等领域。
    主要功能
    - 低导通电阻:RDS(on) 最大值仅为 55 mΩ @ 10V,显著降低功耗并提升效率。
    - 高电流能力:支持持续 23A 的漏极电流,适合大功率负载驱动。
    - 高可靠性:经过 100% 雪崩击穿测试验证,确保恶劣工作条件下的稳定性。

    技术参数


    以下为 NTD6415AN/NVD6415AN 的关键性能参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | VDSS 100 | V |
    | 栅源电压范围 | VGS | -20 +20 | V |
    | 最大漏极电流 | ID 23 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 47 | 55 mΩ |
    | 热阻(结到壳) | RθJC | 1.8 °C/W |
    | 最大雪崩能量 | EAS 79 | mJ |

    产品特点和优势


    - 高效节能:超低导通电阻设计,显著减少能耗,提升整体系统效率。
    - 强抗干扰性:100% 雪崩测试保证了在极端条件下的可靠运行。
    - 环保合规:无铅封装,符合 RoHS 标准,绿色环保。
    - 多功能适应性:NVD 前缀型号专为汽车及严苛应用环境设计,满足 AEC-Q101 标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    NTD6415AN/NVD6415AN 在多个领域有着广泛应用:
    - 工业自动化:作为电机驱动器中的开关元件。
    - 通信电源:用于 DC/DC 转换器中的主控开关管。
    - 汽车电子:如启停系统和车身控制系统中的控制模块。
    使用建议
    为了充分发挥其性能优势,在设计时需注意以下几点:
    1. 确保 PCB 设计合理,增加铜箔面积以优化散热效果。
    2. 结合实际工作温度范围选择合适的工作点。
    3. 配置合适的驱动电路,避免栅极过压现象。

    兼容性和支持


    该产品支持广泛的接口标准,并且能够与其他同类器件互换使用。此外,厂商提供了全面的技术支持和服务保障,包括详细的文档资料和技术咨询服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减小栅极电阻,优化驱动信号波形 |
    | 散热不良 | 增加散热片,改善 PCB 散热布局 |
    | 温度过高 | 检查负载电流是否超出额定值,调整负载 |

    总结和推荐


    综合评估
    NTD6415AN/NVD6415AN 是一款集高效能、高可靠性于一体的 N 沟道增强型 MOSFET,特别适合需要低损耗、大电流输出的应用场景。它不仅具备卓越的技术指标,还通过了严格的行业认证,是理想的选择。
    推荐结论
    我们强烈推荐此款产品给那些寻求高效能、长寿命解决方案的设计工程师。无论是工业还是消费类电子产品,NTD6415AN/NVD6415AN 都能提供出色的性能表现和成本效益。

NVD6415ANT4G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 100V
通道数量 -
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
最大功率耗散 83W(Tc)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 700pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 55mΩ@ 23A,10V
FET类型 1个N沟道
配置 -
栅极电荷 29nC@ 10 V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 23A
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.38mm(Max)
通用封装 TO-252-3
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NVD6415ANT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD6415ANT4G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVD6415ANT4G NVD6415ANT4G数据手册

NVD6415ANT4G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
库存: 0
起订量: 1 增量: 1
交货地:
最小起订量为:0
合计: $ 0
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
04N80C3-VB TO220F ¥ 10.7639
05N03LB-VB TO220 ¥ 2.3325
06N06L ¥ 0.253
09N50I-VB ¥ 4.2759
100N10F7-VB TO220F ¥ 6.8029
12N65L-TF1-T(CBQ) ¥ 3.5946
144N12N-VB ¥ 4.2759
14N65L-ML-TF3-T ¥ 4.3633
15N10 ¥ 0.396
15N10 ¥ 0.336