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NVHL160N120SC1

产品分类: 碳化硅场效应管
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOSFET管 NVH系列, Vds=1200 V, 17 A, TO-247-4封装, 通孔安装, 4引脚
供应商型号: 2025747
供应商: 海外现货
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 碳化硅场效应管 NVHL160N120SC1

NVHL160N120SC1概述

    # 硅碳化物(SiC)MOSFET NVHL160N120SC1 技术手册解析

    产品简介


    基本介绍
    NVHL160N120SC1 是一款硅碳化物(Silicon Carbide, SiC)MOSFET,具有160毫欧姆(mΩ)的典型导通电阻(RDS(on)),额定电压为1200伏特(V)。此产品采用M1工艺制造,封装形式为TO-247-3L,适用于多种高要求的应用场景。
    主要功能
    该产品专为高效率、高温、高频操作设计,具备低导通电阻、超低栅极电荷及低有效输出电容等特性。它能够提供卓越的开关性能和热稳定性,在汽车充电系统和电动汽车/混合动力汽车的直流转换器中表现出色。
    应用领域
    - 汽车车载充电器
    - 汽车DC-DC转换器
    - 工业电源供应
    - 通用电源管理模块

    技术参数


    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 栅源电压 | VGS | -15 | -5 / +20 | +25 | V |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | - | 1200 | - | V |
    | 导通电阻 | RDS(on) | - | 160 mΩ | 224 mΩ | 在 VGS=20V, ID=12A, TJ=25℃ 条件下 |
    | 连续漏电流 | ID | - | 17 | - | A |
    | 单脉冲雪崩耐量 | EAS | - | 128 | - | mJ |

    产品特点和优势


    - 超低栅极电荷(典型值 QG(tot) = 34 nC)
    - 低有效输出电容(典型值 Coss = 50 pF)
    - 经过100% UI 测试
    - 符合AEC-Q101标准并可进行PPAP
    - 无卤素且RoHS合规

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车车载充电器: 由于其超低导通电阻和高耐压特性,这款MOSFET非常适合用于汽车车载充电系统中,确保高效的能量转换。
    - 电动汽车/混合动力汽车的DC-DC转换器: 高频操作能力和低损耗使NVHL160N120SC1成为提升车辆能效的理想选择。
    使用建议
    - 选择合适的栅极驱动器以避免过高或过低的栅极电压,这可能会影响器件的可靠性和寿命。
    - 在设计电路时,应考虑其散热需求,使用足够的散热措施以保持器件的工作温度在安全范围内。
    - 考虑到MOSFET的高开关速度,需特别注意EMI/RFI(电磁干扰/射频干扰)问题,可以通过合理布局和使用滤波器来解决。

    兼容性和支持


    NVHL160N120SC1 支持与现有的汽车电子系统及其他高压应用中的设备进行良好的集成。厂商提供了详尽的技术文档和支持服务,以确保用户可以顺利安装和配置产品。此外,制造商还提供了在线资源和技术支持,帮助用户解决任何可能遇到的问题。

    常见问题与解决方案


    1. Q: 如何确保器件在高频率下的稳定运行?
    - A: 通过正确选择栅极驱动器和合理的PCB布局,可以显著减少开关过程中的振铃现象。同时,使用适当的输出电容器可以帮助稳定输出电压。

    2. Q: 是否可以在高温环境下正常工作?
    - A: 是的,该产品已经过严格的热应力测试,能在最高175℃的温度下工作。但建议在设计时考虑到散热措施,以确保长期可靠性。

    总结和推荐


    NVHL160N120SC1 是一款专为高效率、高温、高频应用而设计的硅碳化物MOSFET。其低导通电阻、超低栅极电荷及高耐压等特性使其成为当前市场上最具竞争力的产品之一。其卓越的性能使得该器件在车载充电器和DC-DC转换器等应用中表现尤为出色。
    推荐使用: NVHL160N120SC1 MOSFET是适合于需要高性能和高可靠性的高压电力转换应用的理想选择。无论是从电气性能还是从热稳定性的角度来看,都显示出了其优异的特性。因此,强烈推荐在相关项目中选用此款产品。

NVHL160N120SC1参数

参数
Idss-饱和漏极电流 -
Vds-漏源极击穿电压 1.2KV
配置 -
Rds(On)-漏源导通电阻 224mΩ@ 12A,20V
最大功率耗散 119W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.3V@2.5mA
击穿电压 -
Id-连续漏极电流 17A
FET类型 1个N沟道
最大功率 -
栅极电荷 34nC@ 20 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 665pF@800V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 25V
通用封装 TO-247-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

NVHL160N120SC1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVHL160N120SC1数据手册

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NVHL160N120SC1封装设计

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