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NVTFS5826NLTAG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),22W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 16nC@ 10V 1个N沟道 60V 24mΩ@ 10A,10V 7.6A 850pF@25V DFN 贴片安装 3.15mm(宽度)*750μm(高度)
供应商型号: NVTFS5826NLTAG
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS5826NLTAG

NVTFS5826NLTAG概述

    NVTFS5826NL Power MOSFET 技术手册解析

    产品简介


    NVTFS5826NL 是一种小型封装的功率 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),设计用于紧凑型应用。它属于单个 N-沟道 MOSFET,具备低电阻率(RDS(on))以减少导通损耗,以及低电容以降低驱动损耗。NVTFS5826NLWF 型号特别具备湿气可接触边角功能,使其更适应潮湿环境。这款器件已经通过 AEC-Q101 认证并支持 PPAP(生产件批准程序)。此外,NVTFS5826NL 型号不含铅且符合 RoHS 标准,适合绿色环保应用。

    技术参数


    - 电压规格:
    - 漏极至源极电压(VDSS):60V
    - 栅极至源极电压(VGS):±20V
    - 电流规格:
    - 连续漏极电流(ID):
    - Tmb = 25°C 时:20A
    - Tmb = 100°C 时:14A
    - 单脉冲漏极电流(IDM):127A
    - 功耗规格:
    - 稳态条件下的功率耗散(PD):
    - Tmb = 25°C 时:22W
    - Tmb = 100°C 时:11W
    - 温度范围:
    - 工作结温(TJ)和存储温度(Tstg):-55°C 至 +175°C

    产品特点和优势


    - 紧凑型设计:尺寸仅为 3.3 x 3.3mm,非常适合需要占用较小空间的应用。
    - 低导通电阻(RDS(on)):仅 24 mΩ(在 10V 电压下),有效减少电路中的能量损耗。
    - 低电容:850pF 的输入电容降低了驱动损耗,提升了效率。
    - 高可靠性:通过 AEC-Q101 认证,并支持 PPAP 生产件批准程序。
    - 环保材料:无铅、符合 RoHS 标准,适用于绿色环保要求的应用。

    应用案例和使用建议


    NVTFS5826NL 功率 MOSFET 广泛应用于电源管理、电机驱动、汽车电子系统等领域。例如,在直流转换器设计中,可以作为关键的开关元件来提高效率。在使用时,建议注意以下几点:
    - 温度管理:由于最高工作温度为 175°C,确保良好的散热设计以避免过热。
    - 负载电流匹配:根据具体应用需求选择合适的漏极电流,避免过载损坏。
    - 驱动电路设计:使用合适的驱动电压和门极电阻以确保快速可靠的开关操作。

    兼容性和支持


    NVTFS5826NL 封装型号为 WDFN8,适用于多种电路板组装工艺。厂商提供详尽的技术支持和售后服务,确保客户能够充分利用该器件的功能和性能。

    常见问题与解决方案


    - 问:在高频率下工作时,如何减少 MOSFET 的开关损耗?
    - 答:可以增加栅极电阻以减慢开关速度,或者使用低电容 MOSFET 来减少开关损耗。
    - 问:长期使用后,漏电流逐渐增大如何处理?
    - 答:定期检查散热设计是否合理,确保结温不超过推荐范围。必要时更换散热片或增加风扇等散热装置。

    总结和推荐


    NVTFS5826NL 功率 MOSFET 以其小巧的封装、低导通电阻和低电容特性,成为了许多高效能应用的理想选择。无论是用于电源转换、电机控制还是其他需要高性能开关元件的应用,NVTFS5826NL 都表现出色。因此,我们强烈推荐此产品给需要高可靠性和高效率解决方案的设计工程师。

NVTFS5826NLTAG参数

参数
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 850pF@25V
FET类型 1个N沟道
Id-连续漏极电流 7.6A
通道数量 1
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
最大功率耗散 3.2W(Ta),22W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 60V
Rds(On)-漏源导通电阻 24mΩ@ 10A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
栅极电荷 16nC@ 10V
长*宽*高 3.15mm(宽度)*750μm(高度)
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NVTFS5826NLTAG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS5826NLTAG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS5826NLTAG NVTFS5826NLTAG数据手册

NVTFS5826NLTAG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ ¥ 5.1485
6000+ ¥ 4.9596
9000+ ¥ 4.7234
12000+ ¥ 4.5731
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 1500
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最小起订量为:3000
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