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NVD5C460NLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3W(Ta),47W(Tc) 20V 2.2V@ 60µA 36nC@ 10V 1个N沟道 40V 4.6mΩ@ 25A,10V 18A,73A 2.1nF@25V DPAK-3 贴片安装
供应商型号: D-NVD5C460NLT4G
供应商: Future
标准整包数: 2500
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5C460NLT4G

NVD5C460NLT4G概述

    # 产品概述

    产品简介


    NVD5C460NL 是一款N沟道MOSFET,主要用于电力转换和驱动应用。该器件具有较低的导通电阻(RDS(on)),可显著减少导通损耗。此外,它具有低门极电荷(QG)和电容,从而降低驱动器损耗。该产品通过了AEC-Q101认证,并且能够提供PPAP能力,适合汽车行业应用。NVD5C460NL还符合RoHS标准,无铅、卤素和BFR(溴化阻燃剂)。
    主要应用领域
    - 电力转换
    - 工业控制
    - 汽车电子
    - LED照明

    技术参数


    极限参数
    - 漏源电压(VDSS):40V
    - 栅源电压(VGS):±20V
    - 持续漏电流(ID):73A(TC=25°C);52A(TC=100°C)
    - 脉冲漏电流(IDM):395A(TA=25°C,tp=10µs)
    - 最大功耗(PD):47W(TC=25°C);23W(TC=100°C)
    - 最高工作结温及存储温度(TJ, Tstg):-55°C至175°C
    电气特性
    - 导通电阻(RDS(on)):4.5V栅源电压下为4.6mΩ;10V栅源电压下为3.8mΩ
    - 零门极电压漏极电流(IDSS):10μA(TJ=25°C);250μA(TJ=125°C)
    - 输入电容(Ciss):2100pF
    - 输出电容(Coss):800pF
    - 反向传输电容(Crss):36pF
    - 总门极电荷(QG(TOT)):36nC

    产品特点和优势


    独特功能和优势
    - 低导通电阻:4.6mΩ@10V栅源电压条件下,可以有效降低电路中的导通损耗。
    - 低门极电荷:10V栅源电压下总门极电荷为36nC,有助于减少驱动器的损耗。
    - 可靠性:已通过AEC-Q101认证,适用于汽车电子等领域。
    - 环保设计:无铅、卤素和BFR,符合RoHS标准,环保合规。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    NVD5C460NL常用于电机驱动和逆变器系统中。例如,在电动汽车充电站中,它可以用于提升逆变器的效率,减少整体能量损失。
    使用建议
    - 散热管理:确保良好的散热条件以避免过热导致性能下降。
    - 合理布线:减小电路板上的寄生电感和电容,提升系统效率。
    - 电源稳定性:确保电源稳定供应,避免电压波动影响器件性能。

    兼容性和支持


    兼容性
    NVD5C460NL适用于广泛的应用领域,并与大多数常见的电力电子系统兼容。
    厂商支持
    - 技术支持:提供全面的技术支持和咨询服务。
    - 售后维护:提供详细的产品使用指南和故障排查手册。

    常见问题与解决方案


    问题1:如何避免器件过热?
    解决方案:选择合适的散热方案,如安装散热片或风扇。保证适当的环境温度和气流。
    问题2:如何降低驱动器损耗?
    解决方案:选择总门极电荷低的MOSFET,如本产品,同时优化驱动电路的设计,减少驱动电阻。
    问题3:如何检测漏电流?
    解决方案:使用万用表在栅极接地的情况下测量漏电流,确保其在正常范围内。

    总结和推荐


    综合评估
    NVD5C460NL凭借其低导通电阻、低门极电荷和高可靠性等特性,使其成为众多电力转换应用的理想选择。特别是在要求高效能和高可靠性的工业及汽车电子领域,该器件具有显著优势。
    推荐
    我们强烈推荐NVD5C460NL作为新一代电力转换系统的首选器件。其卓越的性能和广泛应用前景使其在市场上具备强大竞争力。

NVD5C460NLT4G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.2V@ 60µA
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 40V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.1nF@25V
通道数量 1
FET类型 1个N沟道
最大功率耗散 3W(Ta),47W(Tc)
配置 独立式
Id-连续漏极电流 18A,73A
Rds(On)-漏源导通电阻 4.6mΩ@ 25A,10V
栅极电荷 36nC@ 10V
通用封装 DPAK-3
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVD5C460NLT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5C460NLT4G数据手册

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NVD5C460NLT4G封装设计

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