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NVD5117PLT4G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 4.1W(Ta),118W(Tc) 20V 2.5V@ 250µA 85nC@ 10 V 1个P沟道 60V 16mΩ@ 29A,10V 61A 4.8nF@25V TO-252 贴片安装
供应商型号: 14M-NVD5117PLT4G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 0
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVD5117PLT4G

NVD5117PLT4G概述

    NVD5117PL MOSFET 技术手册

    产品简介


    NVD5117PL 是一款单通道 P 沟道 MOSFET,具备低导通电阻(RDS(on))特性。它适用于需要高电流处理能力的电源管理应用,如开关电源、电机驱动和其他电力电子系统。该产品经过严格的可靠性测试,符合汽车电子委员会 (AEC) 的 Q101 标准。

    技术参数


    - 最大额定值
    - 漏极至源极电压 (VDSS): -60 V
    - 门极至源极电压 (VGS): ±20 V
    - 连续漏极电流 (ID): -61 A (在 TC = 25°C)
    - 功率耗散 (PD): 118 W (在 TC = 25°C)
    - 电气特性
    - 漏极至源极断开电压 (V(BR)DSS): -60 V (在 VGS = 0 V, ID = -250 μA)
    - 零门电压漏极电流 (IDSS): 1.0 μA (在 VGS = 0 V, VDS = -60 V)
    - 门极至源极漏电流 (IGSS): 100 nA (在 VDS = 0 V, VGS = ±20 V)
    - 漏极至源极导通电阻 (RDS(on)): 12-16 mΩ (在 VGS = -10 V, ID = -29 A)
    - 输入电容 (Ciss): 4800 pF (在 VGS = 0 V, f = 1.0 MHz, VDS = -25 V)
    - 转移电容 (Crss): 320 pF
    - 总门极电荷 (QG(TOT)): 49-85 nC

    产品特点和优势


    - 低 RDS(on):显著减少导通损耗,提高整体效率。
    - 高电流能力:可承受高达 -61 A 的连续漏极电流,适合大功率应用。
    - 雪崩能量指定:提供 240 mJ 的单脉冲雪崩能量,确保可靠性和稳定性。
    - 环保材料:无铅、无卤素、无 BFR,符合 RoHS 标准。

    应用案例和使用建议


    - 开关电源:用于高效直流到直流转换器,以减少热损耗并提高输出精度。
    - 电机驱动:在电动工具和工业机器人中作为电源开关,确保平稳的启动和停止过程。
    - 便携式设备:可用于移动电源和手持设备,以减少尺寸和重量,同时保持高性能。
    使用建议:在选择驱动电路时,应考虑总门极电荷 (QG(TOT)) 和栅极电阻 (RG),以优化开关速度和降低功耗。

    兼容性和支持


    - 与常见的电源管理和驱动模块兼容,易于集成。
    - 提供详尽的技术文档和支持,包括应用指南和设计工具。

    常见问题与解决方案


    - 问题 1:漏极电流过大导致过热。
    - 解决方案:增加散热片,使用更大的 PCB 散热板,或调整电路设计以减小电流。

    - 问题 2:栅极电荷过高影响开关速度。
    - 解决方案:使用较低的栅极电阻 (RG),或者在设计中加入缓冲电路。

    总结和推荐


    NVD5117PL MOSFET 在低导通电阻、高电流能力和雪崩能量方面表现出色,非常适合高可靠性要求的应用场景。通过合理的设计和使用,该产品能够显著提升系统的能效和稳定性。强烈推荐在高电流密度和高温环境中使用此产品。

NVD5117PLT4G参数

参数
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.8nF@25V
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 61A
配置 独立式
最大功率耗散 4.1W(Ta),118W(Tc)
栅极电荷 85nC@ 10 V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 16mΩ@ 29A,10V
6.73mm(Max)
6.22mm(Max)
2.51mm(Max)
通用封装 TO-252
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 散装,卷带包装

NVD5117PLT4G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVD5117PLT4G数据手册

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NVD5117PLT4G封装设计

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