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FCU360N65S3R0

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 83W 30V 2.5V 18nC@ 10V 1个N沟道 650V 360mΩ@ 10V 10A 730pF@ 400V IPAK-3 通孔安装
供应商型号: CY-FCU360N65S3R0
供应商:
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FCU360N65S3R0

FCU360N65S3R0概述


    产品简介


    FCU360N65S3R0是一款由ON Semiconductor公司生产的功率型N沟道超级结(SJ)MOSFET,属于SUPERFET III系列。该产品特别适用于高电压应用,具有低导通电阻和低门极电荷的特点。它利用了电荷平衡技术来实现卓越的低导通电阻和较低的门极电荷性能。该系列产品非常适合用于各种电源系统,以实现小型化和更高的效率。

    技术参数


    主要技术参数包括:
    - 漏源击穿电压 (VDSS):650V
    - 最大导通电阻 (RDS(on)):360mΩ @ 10V
    - 最大连续漏电流 (ID):10A @ TC = 25°C;6A @ TC = 100°C
    - 脉冲耐量 (IDM):25A
    - 雪崩能量 (EAS):40mJ
    - 单次脉冲雪崩电流 (IAS):2.1A
    - 重复雪崩能量 (EAR):0.83mJ
    - 最大存储温度 (TJ, TSTG):-55°C 至 +150°C
    - 门极到源极泄漏电流 (IGSS):±100nA @ VGS = ±30V, VDS = 0V
    - 最大输入电容 (Ciss):730pF
    - 最大输出电容 (Coss):15pF
    - 有效输出电容 (Coss(eff)):173pF
    - 总门极电荷 (Qg(tot)):18nC
    - 门极到源极电荷 (Qgs):4.3nC
    - 门极到漏极电荷 (Qgd):7.6nC
    其他关键参数还包括瞬态热阻、栅极电荷测试电路、开关测试电路和反向恢复电容等。

    产品特点和优势


    主要特点和优势如下:
    - 700V耐压:保证在高温下的稳定性能。
    - 超低门极电荷:典型值为18nC,显著减少开关损耗。
    - 低有效输出电容:典型值为173pF,有助于提高频率响应。
    - 100%雪崩测试:确保极端条件下的可靠性。
    - 无铅和符合RoHS标准:环保材料,适合现代应用。

    应用案例和使用建议


    应用场景包括计算/显示电源、电信/服务器电源、工业电源、照明/充电器/适配器等。例如,在电信服务器电源中,FCU360N65S3R0可以作为高效开关电源中的关键组件,用于减少体积和提高能效。在使用时,建议注意以下几点:
    - 确保良好的散热设计,避免因过热导致的性能下降。
    - 合理配置驱动电路,减少开关损耗,提高整体效率。
    - 考虑负载情况,确保在峰值负载下仍能保持稳定运行。

    兼容性和支持


    FCU360N65S3R0采用I-Pak封装,易于焊接安装。ON Semiconductor提供详尽的技术文档和支持,包括订购信息、技术规格书和在线技术支持。此外,产品兼容广泛的应用场合和相关标准,适合集成于多种电子设备中。

    常见问题与解决方案


    常见问题及其解决方案包括:
    - 问:在高温环境下运行时性能是否会受影响?
    答:不会。产品具有宽泛的工作温度范围(-55°C至+150°C),确保在各种条件下均能稳定工作。

    - 问:如何处理过高的雪崩电流?
    答:使用适当的设计方法(如优化PCB布局)和外部保护措施(如保险丝),可有效限制雪崩电流的影响。

    - 问:如何减少开关损耗?
    答:通过减小门极电荷(Qg)和有效输出电容(Coss),降低开关损耗,提高系统效率。

    总结和推荐


    综上所述,FCU360N65S3R0是一款性能卓越的N沟道超级结MOSFET,尤其适用于需要高性能和高可靠性的电源系统。其超低导通电阻、高耐压能力和优秀的开关特性使其在众多应用场景中表现出色。对于寻求高效能、高可靠性的客户,强烈推荐使用这款产品。

FCU360N65S3R0参数

参数
配置 独立式
Vgs-栅源极电压 30V
FET类型 1个N沟道
栅极电荷 18nC@ 10V
Id-连续漏极电流 10A
Rds(On)-漏源导通电阻 360mΩ@ 10V
最大功率耗散 83W
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 650V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 730pF@ 400V
通用封装 IPAK-3
安装方式 通孔安装
零件状态 最后售卖
包装方式 散装,管装

FCU360N65S3R0厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FCU360N65S3R0数据手册

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FCU360N65S3R0封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
100+ $ 0.8583 ¥ 7.3858
300+ $ 0.8504 ¥ 7.3193
500+ $ 0.8426 ¥ 7.2528
1000+ $ 0.8189 ¥ 6.9201
5000+ $ 0.8189 ¥ 6.9201
库存: 3704
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