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NTTFS015P03P8ZTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 2.66W(Ta),33.8W(Tc) 3V@ 250µA 62.3nC@ 10 V 1个P沟道 30V 9.3mΩ@ 12A,10V 47.6A 2.706nF@15V DFN-5 贴片安装
供应商型号: 488-NTTFS015P03P8ZTWGTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 5000
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTTFS015P03P8ZTWG

NTTFS015P03P8ZTWG概述

    文章标题:NTTFS015P03P8Z P-Channel MOSFET 技术概述

    1. 产品简介


    NTTFS015P03P8Z 是一款由 ON Semiconductor 推出的高性能 P-Channel MOSFET,采用先进的 WDFN8(扁平无引线)封装技术。这种器件适用于空间受限的应用场景,同时提供了出色的热传导性能。其典型应用包括电源负载开关、反向电流保护、过电压保护及负电压保护等。此器件完全符合 RoHS 规范,且不含铅(Pb-Free)、卤素及溴化阻燃剂(BFR Free),满足现代环保要求。

    2. 技术参数


    以下为 NTTFS015P03P8Z 的关键技术参数:
    | 参数名称 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 漏源击穿电压 | V(BR)DSS | -30 -30 | V |
    | 栅源击穿电压 | VGS | -25 +25 | V |
    | 持续漏极电流(TC=25°C) | ID | -47.6 A |
    | 持续漏极电流(TC=85°C) | ID | -34.4 A |
    | 导通电阻(VGS=-10V, ID=-12A) | RDS(on) | 5.0 | 7.5 | 12.0 | mΩ |
    | 开启时间(VGS=-4.5V, RG=6Ω) | td(on) 25 ns |
    | 关闭时间(VGS=-4.5V, RG=6Ω) | td(off) 55 ns |
    此外,其最大功率耗散为 33.8 W(稳态 TC=25°C 条件下)。这些参数使该器件能够广泛应用于高效率电力管理系统。

    3. 产品特点和优势


    NTTFS015P03P8Z 的主要特点如下:
    - 超低导通电阻:典型值为 7.5 mΩ,显著提升了系统的整体效率。
    - 紧凑封装:3.3×3.3 mm² 尺寸使其成为空间敏感型设计的理想选择。
    - 卓越的热管理:通过先进封装技术和优化的散热结构实现高效的热传递。
    - 环保特性:符合 RoHS、无铅、无卤化物标准,适合绿色电子设计。
    - 宽泛的工作温度范围:-55°C 至 150°C 的操作范围确保了其在恶劣环境下的稳定性。
    这些特性使 NTTFS015P03P8Z 在汽车电子、通信设备和工业控制等领域具有强大的市场竞争力。

    4. 应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 电池管理:作为负载开关用于电池组的充放电控制,减少能耗并延长电池寿命。
    - 保护电路:防止逆流、过压及负电压损害设备。
    - 电源转换:提供高效能的直流到直流转换解决方案。
    使用建议:
    1. 散热设计:建议将器件安装在具有良好热传导能力的 PCB 上,以优化其散热效果。
    2. 驱动电路优化:使用适当的栅极电阻(如 6 Ω)来平衡开关速度与功耗。
    3. 环境适应性:针对高温或低温环境,需重新校准相关参数,以确保正常运行。

    5. 兼容性和支持


    NTTFS015P03P8Z 支持多种设计集成,尤其适用于需要微型化解决方案的产品。ON Semiconductor 提供详尽的技术文档和支持服务,帮助客户快速上手和调试。

    6. 常见问题与解决方案


    | 问题描述 | 解决方案 |

    | 导通电阻偏高 | 确保 VGS 达到额定阈值电压 |
    | 开关延迟时间过长 | 调整栅极电阻至推荐值 |
    | 温度过高 | 增加散热片或优化 PCB 布局 |

    7. 总结和推荐


    NTTFS015P03P8Z 是一款高度集成且性能优异的 P-Channel MOSFET,其超低导通电阻、卓越的热管理能力和环保特性使其成为众多应用的理想选择。我们强烈推荐此器件给需要高效率、高可靠性的工程师和设计师。
    最终结论:强烈推荐 NTTFS015P03P8Z,因其出色的性能和可靠性在同类产品中脱颖而出。

NTTFS015P03P8ZTWG参数

参数
最大功率耗散 2.66W(Ta),33.8W(Tc)
Id-连续漏极电流 47.6A
配置 -
Vds-漏源极击穿电压 30V
通道数量 -
Rds(On)-漏源导通电阻 9.3mΩ@ 12A,10V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Vgs-栅源极电压 -
FET类型 1个P沟道
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 2.706nF@15V
栅极电荷 62.3nC@ 10 V
通用封装 DFN-5
安装方式 贴片安装
应用等级 工业级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NTTFS015P03P8ZTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTTFS015P03P8ZTWG数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTTFS015P03P8ZTWG NTTFS015P03P8ZTWG数据手册

NTTFS015P03P8ZTWG封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
5000+ $ 0.2919 ¥ 2.443
10000+ $ 0.2714 ¥ 2.2713
15000+ $ 0.2707 ¥ 2.2655
库存: 5000
起订量: 5000 增量: 1
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最小起订量为:5000
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