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FDP090N10

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 PowerTrench系列, Vds=100 V, 75 A, TO-220封装, 通孔安装, 3引脚
供应商型号: CY-FDP090N10
供应商: Avnet
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) FDP090N10

FDP090N10概述

    电子元器件产品技术手册解析:FDP090N10 N-Channel MOSFET

    产品简介


    FDP090N10 是一款高性能的N-Channel MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的POWERTRENCH工艺制造。该器件具有极低的导通电阻(RDS(on)),能够在高功率和大电流应用中提供卓越的性能。FDP090N10 主要用于ATX电源、服务器电源、电信电源、电池保护电路、电机驱动和不间断电源(UPS)等领域,还可以用于微型太阳能逆变器。

    技术参数


    - 最大额定值:
    - 漏源电压(VDSS):100 V
    - 栅源电压(VGSS):±20 V
    - 持续漏电流(ID):75 A
    - 脉冲漏电流(IDM):300 A
    - 单脉冲雪崩能量(EAS):309 mJ
    - 雪崩电流(IAR):75 A
    - 重复雪崩能量(EAR):20.8 mJ
    - 反向恢复峰值电压(dv/dt):5.6 V/ns
    - 最大耗散功率(PD):208 W
    - 工作和存储结温范围(TJ, TSTG):−55°C 至 +175°C
    - 热特性:
    - 结壳热阻(RJC):0.72 °C/W
    - 结点到环境热阻(RJA):62.5 °C/W
    - 电气特性(25°C):
    - 导通状态漏源电阻(RDS(on)):7.2 mΩ(典型值)
    - 输入电容(Ciss):6185 pF(典型值)
    - 输出电容(Coss):585 pF(典型值)
    - 门极至源极电荷(Qgs):37 nC(典型值)
    - 门极至漏极电荷(Qgd):22 nC(典型值)

    产品特点和优势


    - 低导通电阻:FDP090N10 的典型导通电阻为7.2 mΩ,可以显著降低功率损耗,提高效率。
    - 高速开关:具备快速开关速度,适合高频应用场景。
    - 低门极电荷:门极电荷低,可减少开关损耗。
    - 高可靠性:符合RoHS标准,安全可靠。
    - 高电流处理能力:能够承受高达75 A的连续电流和300 A的脉冲电流,适用于高功率应用。

    应用案例和使用建议


    - 同步整流:在ATX电源、服务器电源和电信电源中,FDP090N10可以作为同步整流器,提高转换效率。
    - 电池保护:在电池保护电路中,FDP090N10 可以有效地管理电池的充放电过程。
    - 电机驱动和UPS:在电机驱动和不间断电源系统中,FDP090N10 的低导通电阻和高速开关特性可以确保系统的稳定运行。
    - 微型太阳能逆变器:在小型太阳能逆变器中,FDP090N10 可以提高能量转换效率,实现更高效的光伏发电。
    使用建议:
    - 在高频应用中,需要考虑门极电荷的影响,以避免不必要的开关损耗。
    - 在大电流应用中,确保散热措施充分,避免过热导致的失效。

    兼容性和支持


    FDP090N10 封装为TO-220-3LD,符合行业标准,易于安装和使用。ON Semiconductor 提供全面的技术支持,包括详细的订购和发货信息,以及在线技术支持服务。此外,还提供详尽的应用文档和技术资料,帮助用户更好地理解和使用该产品。

    常见问题与解决方案


    - 问题:如何确定FDP090N10的额定电流?
    - 解答:FDP090N10的最大连续漏电流为75 A,适用于持续电流小于该值的应用。如果需要更高电流,可以并联多个器件。

    - 问题:在高温环境下,FDP090N10的性能是否会受到影响?
    - 解答:FDP090N10的额定工作温度范围为-55°C至+175°C,但为了保证最佳性能,建议在85°C以下使用。超过此温度可能会影响器件的可靠性。

    总结和推荐


    FDP090N10 N-Channel MOSFET凭借其低导通电阻、高速开关和高可靠性,在多种高功率应用中表现出色。它不仅适合同步整流、电池保护、电机驱动和UPS等传统应用,也适用于微型太阳能逆变器等新兴领域。建议在需要高效能和高可靠性解决方案的应用中优先选择FDP090N10。
    ON Semiconductor提供的详细技术文档和支持服务使得该产品易于集成到各种设计中,是一个值得推荐的优秀器件。

FDP090N10参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 100V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4.5V@ 250µA
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 8.225nF@25V
最大功率耗散 208W(Tc)
通道数量 1
Rds(On)-漏源导通电阻 9mΩ@ 75A,10V
栅极电荷 116nC@ 10V
Vgs-栅源极电压 20V
Id-连续漏极电流 75A
配置 独立式
10.67mm(Max)
4.7mm(Max)
9.4mm(Max)
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

FDP090N10厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

FDP090N10数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR FDP090N10 FDP090N10数据手册

FDP090N10封装设计

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价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
50+ $ 1.5233 ¥ 12.9878
100+ $ 1.4958 ¥ 12.8719
300+ $ 1.4821 ¥ 12.7559
500+ $ 1.4684 ¥ 12.6399
1000+ $ 1.4272 ¥ 12.0601
5000+ $ 1.4272 ¥ 12.0601
库存: 50164
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