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NSV40501UW3T2G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 150mV@ 400mA,4A NPN 1.5W 6V 100nA 40V 40V 5A DFN 贴片安装
供应商型号: 488-NSV40501UW3T2GTR-ND
供应商: Digi-Key
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSV40501UW3T2G

NSV40501UW3T2G概述

    # NSS40501UW3/NSV40501UW3:40V, 5.0A低饱和电压NPN晶体管

    产品简介


    ON Semiconductor的e2PowerEdge系列低饱和电压(VCE(sat))晶体管是微型表面贴装设备,具有极低的饱和电压和高电流增益能力。这些产品专为低压、高速开关应用设计,在需要经济高效能控制的场合尤为重要。典型应用包括DC-DC转换器及便携式和电池供电设备的电源管理,例如手机、PDA、电脑、打印机、数码相机和MP3播放器等。此外,它们还可用于大容量存储产品的低压电机控制,如硬盘驱动器和磁带驱动器。在汽车行业,它们可用于气囊部署及仪表盘。高电流增益使e2PowerEdge设备可以直接由PMU的控制输出驱动,并且线性增益(Beta)使其成为模拟放大器的理想组件。

    技术参数


    最大额定值
    | 参数 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 集电极-发射极电压 | VCEO | 40 Vdc |
    | 集电极-基极电压 | VCBO | 40 Vdc |
    | 发射极-基极电压 | VEBO | 6.0 Vdc |
    | 持续集电极电流 | IC 5.0 Adc |
    | 峰值集电极电流 | ICM 7.0 | A |
    | 静电放电 | HBM Class 3B
    MM Class C
    热特性
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 总耗散功率(TA=25°C) | PD 875 mW |
    | 超过25°C的降额 7.0 mW/°C |
    | 结到环境的热阻 | RJA 143 °C/W |
    | 总耗散功率(TA=25°C) | PD 1.5 W |
    | 超过25°C的降额 11.8 mW/°C |
    | 结到引脚#3的热阻 | RJL 23 °C/W |
    | 结和存储温度范围 | TJ,Tstg | -55 +150 | °C |
    电气特性
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 开启频率 | fT | 150 MHz |
    | 输入电容(VEB=0.5V,f=1MHz) | Cibo 650 pF |
    | 输出电容(VCB=3.0V,f=1MHz) | Cobo 70 pF |
    开关特性
    | 特性 | 符号 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |
    |
    | 延迟时间(VCC=30V,IC=750mA,IB1=15mA) | td 90 | ns |
    | 上升时间(VCC=30V,IC=750mA,IB1=15mA) | tr 100 | ns |
    | 存储时间(VCC=30V,IC=750mA,IB1=15mA) | ts 1050 | ns |
    | 下降时间(VCC=30V,IC=750mA,IB1=15mA) | tf 100 | ns |

    产品特点和优势


    NSS40501UW3/NSV40501UW3 NPN晶体管以其卓越的技术参数和广泛的适用性脱颖而出。它具备超低饱和电压(VCE(sat))和高电流增益能力,适合于各种需要高效能转换的应用场景。特别是其环保特性,如无铅、无卤素和符合RoHS标准,使其在市场上更具吸引力。

    应用案例和使用建议


    该晶体管广泛应用于DC-DC转换器和便携式设备的电源管理。对于DC-DC转换器,建议选择合适的电感值以确保最佳效率。在便携式设备中,合理布局电路板可以减少寄生电感的影响,从而提高整体性能。

    兼容性和支持


    NSS40501UW3/NSV40501UW3与多种电子元器件兼容,并得到了ON Semiconductor公司的全面技术支持和服务保障。

    常见问题与解决方案


    - 问题: 晶体管发热严重。
    - 解决方法: 检查散热片安装是否正确,必要时增加散热措施。

    - 问题: 工作不稳定。
    - 解决方法: 确认输入信号波形是否符合要求,检查外围元件是否正常。

    总结和推荐


    综上所述,NSS40501UW3/NSV40501UW3是一款高性能、环保型NPN晶体管,特别适用于需要高效能转换的应用场景。鉴于其优异的技术参数和广泛的适用性,我们强烈推荐此款产品用于相关项目中。

NSV40501UW3T2G参数

参数
VCEO-集电极-发射极最大电压 40V
最大功率耗散 1.5W
集电极截止电流 100nA
晶体管类型 NPN
VCBO-最大集电极基极电压 40V
配置 独立式
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 150mV@ 400mA,4A
最大集电极发射极饱和电压 150mV@ 400mA,4A
集电极电流 5A
VEBO-最大发射极基极电压 6V
通用封装 DFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 散装,卷带包装

NSV40501UW3T2G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSV40501UW3T2G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSV40501UW3T2G NSV40501UW3T2G数据手册

NSV40501UW3T2G封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
3000+ $ 0.2225 ¥ 1.8803
6000+ $ 0.2046 ¥ 1.7286
15000+ $ 0.1852 ¥ 1.5646
21000+ $ 0.1791 ¥ 1.5132
30000+ $ 0.1768 ¥ 1.494
库存: 3000
起订量: 3000 增量: 1
交货地:
最小起订量为:3000
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