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NSBC124EPDP6T5G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 300µA,10mA 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual) 231mW 500nA 50V 100mA SOT-963 贴片安装
供应商型号: FL-NSBC124EPDP6T5G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSBC124EPDP6T5G

NSBC124EPDP6T5G概述

    # 高性能互补偏置电阻晶体管技术手册

    产品简介


    互补偏置电阻晶体管(Bias Resistor Transistor,BRT)是一系列集成了基极电阻网络的数字晶体管。这些晶体管包含单个晶体管及内置的基极-发射极电阻网络,用于替代单个晶体管及其外部电阻偏置网络。这种设计使得系统成本降低,同时减少了电路板的空间占用。
    主要功能
    - 单个晶体管集成基极电阻网络
    - 替代传统晶体管和外置电阻
    - 减少系统复杂度,简化电路设计
    应用领域
    这些晶体管适用于需要高性能且空间紧凑的应用场合,例如汽车电子、工业控制、消费电子等领域。它们特别适合那些需要减少系统成本和提高可靠性的应用。

    技术参数


    最大额定值
    - 集电极-基极电压:50 Vdc
    - 集电极-发射极电压:50 Vdc
    - 连续集电极电流:100 mAdc
    - 输入正向电压:40 Vdc
    - 输入反向电压:10 Vdc
    工作温度范围
    - 结温和存储温度范围:-55°C 到 +150°C
    热特性
    - 通过25°C时的总功耗
    - 通过25°C时的热阻抗
    具体的热特性参数取决于不同的封装类型。对于某些封装,最大总功耗可以达到339 mW,而热阻抗通常在200°C/W到500°C/W之间变化。
    电气特性
    - 集电极-基极截止电流:100 nAdc
    - 集电极-发射极截止电流:500 nAdc
    - 基极-发射极截止电流:0.2 mAdc
    - 集电极-基极击穿电压:50 Vdc
    - 集电极-发射极击穿电压:50 Vdc

    产品特点和优势


    - 简化电路设计:通过将晶体管和基极电阻集成在一起,减少了外部电阻的使用。
    - 减少组件数量:每个BRT集成两个电阻和一个晶体管,减少了整个电路的组件数量。
    - 降低成本:通过简化电路设计和减少组件,降低了系统的总体成本。
    - 符合AEC-Q101标准:适合用于汽车和其他需要特殊要求的场景。
    - 环保:无铅、无卤素,RoHS认证。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    1. 汽车电子:由于这些晶体管符合AEC-Q101标准,非常适合于汽车电子系统中需要高性能、高可靠性的应用。
    2. 工业自动化:在工业控制系统中,这些晶体管可用于驱动电机、传感器等,简化电路设计并提高系统可靠性。
    3. 消费电子:在家用电器中,这些晶体管可用于电源管理、信号处理等方面,提高效率和可靠性。
    使用建议
    - 选择合适的封装:根据应用需求选择合适的封装类型(SOT-363、SOT-563 或 SOT-963),以满足尺寸和性能要求。
    - 注意散热:尽管这些晶体管具有良好的热特性,但在高温环境下使用时仍需注意散热设计,确保器件正常运行。
    - 测试与验证:在实际应用前,务必对电路进行充分测试和验证,确保所有电气参数均在安全范围内。

    兼容性和支持


    这些晶体管具有广泛的兼容性,可以与其他电子元器件或设备无缝集成。厂家提供了详尽的技术文档和支持服务,包括技术咨询、故障排除指南等,以帮助客户更好地利用这些产品。

    常见问题与解决方案


    1. 问:如何正确安装这些晶体管?
    - 答:请参考产品手册中的安装指导部分,确保正确连接引脚,并遵循正确的焊接工艺。
    2. 问:这些晶体管的最大工作温度是多少?
    - 答:结温和存储温度范围为-55°C 到 +150°C,确保在这些范围内使用。
    3. 问:如果在高温环境下使用这些晶体管,应该如何处理?
    - 答:在高温环境下使用时,需要注意散热设计。确保器件在安全温度范围内工作,避免因过热导致损坏。

    总结和推荐


    这些互补偏置电阻晶体管(BRT)以其出色的电气特性和独特的设计优势,成为现代电子产品中不可或缺的重要组件。它们不仅能够显著简化电路设计,还能有效降低成本并提高系统可靠性。推荐在需要高性能且空间紧凑的应用场合中使用这些晶体管,如汽车电子、工业自动化和消费电子领域。此外,厂家提供全面的技术支持和维护服务,有助于进一步提升用户体验和产品稳定性。

NSBC124EPDP6T5G参数

参数
配置 独立式
VEBO-最大发射极基极电压 -
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
集电极电流 100mA
晶体管类型 1 NPN,1 PNP - Pre-Biased (Dual)
最大功率耗散 231mW
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 300µA,10mA
集电极截止电流 500nA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 300µA,10mA
VCBO-最大集电极基极电压 -
通用封装 SOT-963
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSBC124EPDP6T5G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSBC124EPDP6T5G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSBC124EPDP6T5G NSBC124EPDP6T5G数据手册

NSBC124EPDP6T5G封装设计

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