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NTH4LN040N65S3H

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi N沟道增强型MOS管 SUPERFET III系列, Vds=650 V, 62 A, TO-247-4封装, 通孔安装, 4引脚
供应商型号: 2309085P
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NTH4LN040N65S3H

NTH4LN040N65S3H概述

    # NTH4LN040N65S3H 超级结型MOSFET 技术手册

    产品简介


    基本介绍
    NTH4LN040N65S3H 是安森美(onsemi)最新推出的超级结(SuperJunction)MOSFET系列中的产品之一。这一系列的产品采用了电荷平衡技术,以实现极低的导通电阻(RDS(on))和更低的栅极电荷(Qg),从而显著降低开关损耗并提高整体效率。NTH4LN040N65S3H 为N沟道增强型MOSFET,具有出色的高速开关性能,适用于各种高功率系统。
    主要功能
    - 极低的导通电阻(RDS(on))
    - 优异的开关性能
    - 高耐压能力(BVDSS 700V @ TJ = 150°C)
    应用领域
    - 电信/服务器电源
    - 工业电源供应
    - 不间断电源(UPS)/太阳能系统

    技术参数


    | 参数 | 标准值 | 最小值 | 最大值 | 单位 |

    | 导通电阻(RDS(on)) | 32 | - | 40 | mΩ |
    | 栅极电荷(Qg) | 132 | - | - | nC |
    | 输出电容(Coss) | 1267 | - | - | pF |
    | 单脉冲雪崩能量(EAS) | 675 | - | - | mJ |
    | 额定电压(BVDSS) | 650 | - | - | V |
    | 连续漏电流(ID) | 62 | - | - | A |
    | 最大耗散功率(PD) | 379 | - | - | W |

    产品特点和优势


    独特功能
    - 采用超级结电荷平衡技术,提供非常低的导通电阻和优秀的开关性能。
    - 700V额定电压确保设备在高温条件下稳定运行。
    - 低栅极电荷和低输出电容使得在高频工作条件下表现优异。
    - 具有优良的雪崩能量和电流特性,能够承受极端的工作环境。
    市场竞争力
    NTH4LN040N65S3H 在其应用领域的高效能表现使其在市场上具有明显的竞争优势。它的极低的RDS(on) 和优秀的开关性能使其成为高功率应用的理想选择,特别适合需要高效率和快速响应时间的应用场合。

    应用案例和使用建议


    实际使用场景
    在电信/服务器电源和工业电源供应中,NTH4LN040N65S3H 的低导通电阻和高开关速度可大大提升电源转换效率。例如,在一个典型的服务器电源供应中,使用该MOSFET可以显著减少能量损耗并提升系统的总体可靠性。
    使用建议
    - 在设计电路时,应充分考虑其在高温下的工作条件,确保其额定电压和电流的选取符合实际需求。
    - 由于其出色的开关性能,推荐在高频开关电路中使用。
    - 在设计冷却系统时,应考虑到其最大耗散功率,以确保器件不会因过热而失效。

    兼容性和支持


    兼容性
    NTH4LN040N65S3H 可以直接替代其他品牌的同类MOSFET产品,具有良好的互换性。然而,具体的连接方式和电气特性应参考制造商的技术文档进行调整。
    支持
    安森美提供全方位的技术支持,包括产品选型、设计咨询和技术服务。如需进一步技术支持,可通过以下途径联系:
    - 技术支持热线:1 800-282-9855
    - 电子邮件请求:orderlit@onsemi.com

    常见问题与解决方案


    常见问题
    1. 如何测试NTH4LN040N65S3H的导通电阻?
    2. 如何确定合适的栅极驱动电压?
    解决方案
    1. 使用万用表或专门的测试设备测量RDS(on)。根据数据表,可以找到相关的测量方法和标准值。
    2. 根据具体应用的频率和负载要求,选择适当的栅极驱动电压。通常,推荐的栅极驱动电压为10V,这可以确保MOSFET在最佳状态下工作。

    总结和推荐


    综合评估
    NTH4LN040N65S3H凭借其卓越的性能和高可靠性,在高功率应用领域表现出色。其极低的导通电阻和快速的开关速度使其成为许多应用场景的首选。
    推荐结论
    强烈推荐NTH4LN040N65S3H用于需要高性能和高可靠性的高功率应用场合,特别是在电信/服务器电源、工业电源供应及太阳能等领域。对于寻求更高效率和更紧凑设计的工程师来说,这是一个理想的解决方案。

NTH4LN040N65S3H参数

参数
配置 -
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 6.513nF@400V
最大功率耗散 379W(Tc)
Vds-漏源极击穿电压 650V
栅极电荷 132nC@ 10 V
通道数量 -
Vgs-栅源极电压 30V
Id-连续漏极电流 62A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@6.8mA
Rds(On)-漏源导通电阻 40mΩ@ 31A,10V
FET类型 1个N沟道
通用封装 TO-247-4
安装方式 通孔安装
零件状态 在售
包装方式 管装

NTH4LN040N65S3H厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NTH4LN040N65S3H数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NTH4LN040N65S3H NTH4LN040N65S3H数据手册

NTH4LN040N65S3H封装设计

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3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
10+ ¥ 70.3814
50+ ¥ 68.9686
100+ ¥ 67.5878
250+ ¥ 66.2388
库存: 427
起订量: 10 增量: 0
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