处理中...

首页  >  产品百科  >  NSVMMUN2230LT1G

NSVMMUN2230LT1G

产品分类: 三极管(BJT)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 250mV@ 5mA,10mA NPN - Pre-Biased 400mW 500nA 50V 100mA SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.3mm*940μm
供应商型号: UA-NSVMMUN2230LT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 3000
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) NSVMMUN2230LT1G

NSVMMUN2230LT1G概述


    产品简介


    产品名称: 数字晶体管(BRT)系列
    产品类型: 单片集成的数字晶体管,具有内部基极电阻网络
    主要功能:
    - 简化电路设计
    - 减少电路板空间
    - 减少组件数量
    - 符合AEC-Q101标准,适合汽车和其他特定应用
    - 无铅,无卤素/BFR,符合RoHS标准
    应用领域:
    - 汽车电子
    - 通信设备
    - 工业自动化
    - 消费电子产品

    技术参数


    | 参数 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 单位 |

    | 集电极-基极电压 50 | Vdc |
    | 集电极-发射极电压 50 | Vdc |
    | 集电极电流 100 | mAdc |
    | 输入正向电压 10 | Vdc |
    | 输入反向电压 10 | Vdc |
    | 最高环境温度 150 | °C |
    | 最低存储温度 -55 | °C |

    产品特点和优势


    产品特点:
    - 将单个晶体管与两个内部电阻集成在一起,简化了电路设计
    - 通过集成化减少了板载空间,降低了成本
    - 支持高达150°C的工作温度,适用于恶劣环境
    - 符合AEC-Q101标准,适用于汽车和其他特定应用
    - 无铅,无卤素/BFR,环保合规
    产品优势:
    - 优秀的热稳定性,能够在宽广的温度范围内稳定工作
    - 高效的设计减少了系统复杂度,提高了系统的可靠性和可维护性
    - 适合汽车电子应用,确保了在极端条件下的稳定性和可靠性

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 汽车电子: 在汽车引擎控制单元(ECU)中使用,用于信号处理和控制系统。
    - 工业自动化: 在传感器接口和控制器模块中使用,实现精确的数据采集和控制。
    - 消费电子产品: 在便携式设备中使用,以提高能效和减少体积。
    使用建议:
    - 在设计电路时,应确保外部条件(如温度、电压)不超过规定的最大值,以避免损坏。
    - 在高密度电路板上使用时,应注意散热管理,避免过热导致失效。
    - 对于需要较高稳定性的应用,建议进行热测试,以验证产品在实际工作环境中的表现。

    兼容性和支持


    兼容性:
    - 该系列数字晶体管具有多种封装形式,如SC-59, SOT-23, SC-70/SOT-323等,能够与其他标准的半导体器件良好兼容。
    - 可与标准电阻、电容等分立元件搭配使用,方便系统集成。
    支持和维护:
    - ON Semiconductor提供详细的技术文档和支持服务,包括产品选型指南、应用笔记和故障排查手册。
    - 提供样品申请和技术咨询,帮助客户快速完成设计验证。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 产品在高温环境下无法正常工作 | 确认散热措施,确保最高温度不超过150°C |
    | 输出信号不稳定 | 检查电源电压和输入信号,确认没有超过规定范围 |
    | 板载空间受限 | 考虑采用SC-75或SC-70/SOT-323的小型封装 |
    | 系统成本过高 | 比较替代方案,利用内部电阻减少外部元件数量 |

    总结和推荐


    综合评估:
    - 数字晶体管(BRT)系列具备高度集成性、良好的热稳定性和广泛的温度适应性,特别适合在汽车和工业应用中使用。
    - 无铅、无卤素/BFR、符合RoHS标准,使其成为环保应用的理想选择。
    推荐:
    - 鉴于其简化设计、节省空间和高性价比,强烈推荐在各种电子系统中采用此系列数字晶体管。特别是在对环境要求严格且需要高度可靠性的应用场合,该系列产品将是一个理想的选择。

NSVMMUN2230LT1G参数

参数
最大集电极发射极饱和电压 250mV@ 5mA,10mA
不同 Ib,Ic 时的 Vce 最大饱和值 250mV@ 5mA,10mA
晶体管类型 NPN - Pre-Biased
VEBO-最大发射极基极电压 -
集电极电流 100mA
最大功率耗散 400mW
VCEO-集电极-发射极最大电压 50V
配置 -
集电极截止电流 500nA
VCBO-最大集电极基极电压 -
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*940μm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NSVMMUN2230LT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NSVMMUN2230LT1G数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 三极管(BJT) ON SEMICONDUCTOR NSVMMUN2230LT1G NSVMMUN2230LT1G数据手册

NSVMMUN2230LT1G封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
12000+ $ 0.0219 ¥ 0.1833
21000+ $ 0.0209 ¥ 0.1749
库存: 162000
起订量: 12000 增量: 3000
交货地:
最小起订量为:12000
合计: ¥ 2199.6
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
12A01M-TL-E ¥ 0.2917
13001 T ¥ 0.0748
2N1613 ¥ 186.2455
2N2222A ¥ 0
2N2222A ¥ 0
2N2222ACSM-QR-EB ¥ 592.7679
2N2222AE3 ¥ 39.2528
2N2222AUA ¥ 275.2402
2N2222AUB ¥ 338.8957
2N2222AUB ¥ 290.8886