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2N7002LT1

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 300mW 20V 2.5V@ 250µA 1个N沟道 60V 7.5Ω@ 500mA,10V 50pF@25V SOT-23-3,TO-236 贴片安装 2.9mm*1.3mm*1mm
供应商型号: CEI-2N7002LT1
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) 2N7002LT1

2N7002LT1概述


    产品简介


    2N7002L是一款小信号N沟道增强型MOSFET,封装形式为SOT-23。该器件具有60V的耐压能力,最大连续漏极电流为115mA(在25°C时),适用于多种电子设备和电路设计。它特别适合用于开关电源、负载切换、脉冲调制电路等场合。凭借其低功耗、高可靠性以及紧凑的封装尺寸,2N7002L在消费电子、工业控制和通信设备中得到了广泛应用。

    技术参数


    - 最高额定值
    - 漏源电压 (VDSS): 60 Vdc
    - 漏栅电压 (VDGR): 60 Vdc
    - 漏极连续电流 (ID):
    - TC = 25°C: ±115 mA
    - TC = 100°C: ±75 mA
    - 脉冲 (Note 2): ±800 mA
    - 门源电压 (VGS):
    - 连续: ±20 Vdc
    - 非重复性 (tp ≤ 50 μs): ±40 Vpk
    - 总器件功耗:
    - FR-5基板 (TA = 25°C): 225 mW
    - Alumina基板 (TA = 25°C): 300 mW
    - 热阻 (RJA):
    - FR-5基板: 556 °C/W
    - Alumina基板: 417 °C/W
    - 工作温度范围 (TJ, Tstg): -55°C 至 +150°C
    - 电气特性
    - 漏源击穿电压 (V(BR)DSS): 60 Vdc
    - 门体泄漏电流 (IGSSF): 反向 < -100 nAdc,正向 < 100 nAdc
    - 开启状态漏极电流 (ID(on)): 500 mA
    - 开启状态漏源电阻 (rDS(on)):
    - TC = 25°C: 7.5 Ω
    - TC = 125°C: 13.5 Ω
    - 输入电容 (Ciss): 50 pF
    - 输出电容 (Coss): 25 pF
    - 反向转移电容 (Crss): 5.0 pF

    产品特点和优势


    2N7002L的主要优势包括:
    - 符合AEC-Q101标准,适用于汽车电子应用。
    - 支持PPAP(生产件批准程序),确保产品的可追溯性和质量一致性。
    - 提供无铅封装选项,符合环保要求。
    - 低功耗,适合节能应用。
    - 封装紧凑,便于电路设计和布局。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    2N7002L广泛应用于各种电路中,例如:
    - 开关电源:在高频开关电源中,作为开关管来实现高效能的能量转换。
    - 负载切换:用于控制电路中的负载通断,特别是在高压环境下。
    使用建议
    - 在设计电路时,考虑到漏极连续电流和热阻的限制,避免长时间过载运行,以免损坏器件。
    - 使用合适的散热措施,如散热片或散热风扇,以提高器件的工作稳定性和寿命。

    兼容性和支持


    2N7002L可以与其他常见的电子元器件和设备良好兼容,支持PPAP生产流程,确保产品质量一致性。ON Semiconductor提供全面的技术支持和售后服务,确保用户在使用过程中能够获得及时的帮助。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 漏极电流过大导致器件过热 | 确保器件安装良好的散热措施,减少电流工作时间。 |
    | 开关频率过高导致电磁干扰 | 选择合适的门极电阻,降低开关速度。 |
    | 长期使用后性能下降 | 定期进行器件检测,必要时更换新器件。 |

    总结和推荐


    2N7002L凭借其卓越的电气特性和可靠的设计,在多个应用场景中表现出色。其紧凑的封装、高可靠性以及广泛的适用范围使其成为许多电子设备的理想选择。对于需要高性能、低功耗和紧凑设计的应用,强烈推荐使用2N7002L。

2N7002LT1参数

参数
配置 独立式
Rds(On)-漏源导通电阻 7.5Ω@ 500mA,10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 50pF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
Id-连续漏极电流 -
Vgs-栅源极电压 20V
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个N沟道
通道数量 1
最大功率耗散 300mW
栅极电荷 -
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

2N7002LT1厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

2N7002LT1数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR 2N7002LT1 2N7002LT1数据手册

2N7002LT1封装设计

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