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NVMFS5C426NWFT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.8W(Ta),128W(Tc) 20V 3.5V@ 250µA 65nC@ 10V 1个N沟道 40V 1.3mΩ@ 50A,10V 4.3nF@25V SO 贴片安装 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
供应商型号: FL-NVMFS5C426NWFT1G
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVMFS5C426NWFT1G

NVMFS5C426NWFT1G概述

    # 高性能N-Channel MOSFET — NVMFS5C426N

    产品简介


    NVMFS5C426N是一款高性能N沟道增强型功率MOSFET,专为紧凑设计和高效性能而设计。它采用小封装(5x6 mm),适用于空间有限的应用场景,同时具备低导通电阻(RDS(on))以最小化导通损耗和低栅极电荷(QG)以减少驱动器损耗。该器件支持湿式侧边选项(Wettable Flank Option),并符合AEC-Q101标准,可广泛应用于汽车和工业控制等领域。
    主要功能和应用领域:
    - 功能:增强型功率MOSFET,提供高开关效率和可靠性。
    - 应用领域:
    - 汽车电子系统
    - 工业控制设备
    - 通信电源管理
    - 电机驱动器

    技术参数


    以下是NVMFS5C426N的关键技术规格:
    | 参数 | 符号 | 最大值 | 单位 |
    ||
    | 漏源电压 | VDSS | 40 | V |
    | 持续漏极电流 | ID | 235/166 | A |
    | 导通电阻 | RDS(on) | 1.1–1.3 | mΩ |
    | 栅源电压 | VGS | ±20 | V |
    | 极限温度范围 | TJ, Tstg | -55至+175 | °C |
    | 雪崩击穿能量 | EAS | 739 | mJ |
    其他电气特性:
    - 输入电容(CISS):4300 pF
    - 输出电容(COSS):2100 pF
    - 反向传输电容(CRSS):59 pF
    - 开关时间:td(on)=15 ns, tr=47 ns, td(off)=36 ns

    产品特点和优势


    1. 小尺寸封装:5x6 mm的小型封装,适合紧凑设计需求。
    2. 低导通损耗:低RDS(on)值可显著降低能耗。
    3. 高速开关性能:短开关时间和低电容特性提升整体效率。
    4. 增强可靠性:AEC-Q101认证和PPAP能力确保产品质量。
    5. 环保设计:无铅且符合RoHS标准。

    应用案例和使用建议


    应用案例
    - 汽车电子:如发动机管理系统中的逆变器和直流-直流转换器。
    - 工业控制:用于电机驱动器的开关管。
    - 通信电源:提供高效的电源转换解决方案。
    使用建议
    1. 热管理:确保良好的散热设计,避免长时间运行在高温环境下。
    2. 电路布局:优化PCB设计,减少寄生电感和电容。
    3. 负载匹配:根据实际工作电流选择合适的驱动器。

    兼容性和支持


    NVMFS5C426N与多种电子元器件兼容,支持行业标准接口。此外,制造商提供全面的技术支持和售后服务,包括产品选型指南、应用文档和样片申请服务。

    常见问题与解决方案


    | 问题 | 解决方案 |

    | 开关速度慢 | 减少门极电阻(RG),优化驱动器配置。 |
    | 散热问题 | 增加散热片,改善通风条件。 |
    | 寿命较短 | 确保正确焊接和安装,避免过热运行。 |

    总结和推荐


    NVMFS5C426N是一款高性能、高可靠性的N沟道MOSFET,以其紧凑的封装和出色的电气性能在市场上具有较强的竞争力。它特别适用于对空间要求严格的汽车和工业应用中。对于需要高效率和稳定性的项目,我们强烈推荐使用这款产品。
    推荐指数:★★★★★(5/5)

NVMFS5C426NWFT1G参数

参数
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
Vds-漏源极击穿电压 40V
Id-连续漏极电流 -
最大功率耗散 3.8W(Ta),128W(Tc)
配置 独立式
栅极电荷 65nC@ 10V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 4.3nF@25V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3.5V@ 250µA
Rds(On)-漏源导通电阻 1.3mΩ@ 50A,10V
长*宽*高 4.9mm(长度)*5.9mm(宽度)
通用封装 SO
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 停产
包装方式 卷带包装

NVMFS5C426NWFT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVMFS5C426NWFT1G数据手册

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NVMFS5C426NWFT1G封装设计

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