处理中...

首页  >  产品百科  >  NVTFS5116PLTWG

NVTFS5116PLTWG

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 3.2W(Ta),21W(Tc) 20V 3V@ 250µA 25nC@ 10 V 1个P沟道 60V 52mΩ@ 7A,10V 6A 1.258nF@25V WDFN 贴片安装 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
供应商型号: 14M-NVTFS5116PLTWG
供应商: 云汉优选
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVTFS5116PLTWG

NVTFS5116PLTWG概述


    产品简介


    NVTFS5116PL 是一款由Semiconductor Components Industries, LLC生产的单通道P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于各种电源管理和控制应用。该产品具有小尺寸封装(3.3 x 3.3 mm)和低导通电阻(RDS(on)),有助于降低功率损耗和驱动损失,特别适合于需要高效能、紧凑设计的应用场合。

    技术参数


    - 额定电压:VDSS(漏源击穿电压)为-60 V。
    - 额定电流:最大连续漏极电流(Tmb = 25°C)为-14 A,最高脉冲漏极电流(tp = 10 μs)为-126 A。
    - 功率耗散:在Tmb = 25°C时为21 W,在Tmb = 100°C时为10 W。
    - 导通电阻:在VGS = -10 V,ID = -7 A时,RDS(on)为52 mΩ;在VGS = -4.5 V,ID = -7 A时,RDS(on)为72 mΩ。
    - 热阻抗:结点到散热板(顶面)稳态热阻为7.2°C/W,结点到环境稳态热阻为47°C/W。
    - 存储和操作温度范围:-55°C至+175°C。
    - 认证与标准:AEC-Q101合格,PPAP(生产件批准程序)能力,无铅且符合RoHS(有害物质限制)标准。

    产品特点和优势


    - 小型封装:采用3.3 x 3.3 mm的小型封装,非常适合紧凑设计。
    - 低导通电阻:具有较低的导通电阻(52 mΩ),有效减少传导损耗。
    - 低电容:较低的电容值减少了驱动损耗。
    - 高可靠性:AEC-Q101认证确保了其在汽车领域的高可靠性。
    - 无铅环保:符合RoHS标准,确保环保要求。


    应用案例和使用建议


    NVTFS5116PL MOSFET广泛应用于电源管理系统、通信设备、消费电子产品等领域。例如,在一个电池充电器应用中,该器件可以有效地管理电池充电过程中的电流和电压转换。使用时应注意以下几点:
    - 热管理:由于其较高的功耗,建议使用散热片或散热器以保证器件的工作温度不超出允许范围。
    - 电路布局:合理的电路布局有助于减少寄生电感和电容,进一步提高效率。
    - 并联使用:当需要更大电流时,可以通过并联多个器件来实现。

    兼容性和支持


    NVTFS5116PL与多种电子设备和系统兼容,且符合国际标准。该产品得到了供应商的技术支持和持续的维护保障,客户可以通过访问官方网站获得详细的使用说明和技术支持。

    常见问题与解决方案


    - Q: 在高温环境下运行时,该器件的性能如何?
    - A: NVTFS5116PL可在-55°C至+175°C的温度范围内正常工作。然而,高温可能会影响其寿命和性能,因此建议使用合适的散热措施。

    - Q: 是否可以在高频电路中使用?
    - A: 是的,该器件具有低开关损耗特性,适合高频应用。但需要合理规划电路布局以避免寄生效应。

    总结和推荐


    综上所述,NVTFS5116PL MOSFET是一款高可靠性的单通道P沟道MOSFET,具备低导通电阻和小封装的特点,适合于多种高效率的电源管理和控制应用。建议在选择合适的热管理和电路布局后使用,以最大化其性能和可靠性。总的来说,该产品值得推荐用于需要高效、紧凑设计的应用场合。

NVTFS5116PLTWG参数

参数
最大功率耗散 3.2W(Ta),21W(Tc)
Vgs-栅源极电压 20V
配置 独立式
Vgs(th)-栅源极阈值电压 3V@ 250µA
Id-连续漏极电流 6A
Vds-漏源极击穿电压 60V
FET类型 1个P沟道
Rds(On)-漏源导通电阻 52mΩ@ 7A,10V
栅极电荷 25nC@ 10 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.258nF@25V
通道数量 1
长*宽*高 3.05mm(长度)*3.05mm(宽度)
通用封装 WDFN
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVTFS5116PLTWG厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVTFS5116PLTWG数据手册

厂牌 PDF简要描述 下载
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVTFS5116PLTWG NVTFS5116PLTWG数据手册

NVTFS5116PLTWG封装设计

查看详情并下载
Symbol
Footprint
3D Model
价格梯度 中国香港交货 内地交货(含增值税)
1+ ¥ 5.1895
10+ ¥ 4.7163
30+ ¥ 3.6937
100+ ¥ 3.2663
300+ ¥ 3.1442
5000+ ¥ 3.0526
库存: 4979
起订量: 1 增量: 5000
交货地:
最小起订量为:1
合计: ¥ 5.18
直接购买
加入购物车

爆款推荐

型号 价格(含增值税)
05N03LB-VB TO263 ¥ 2.9159
07N60-VB ¥ 3.1091
07N60S5-VB TO252 ¥ 3.887
07N70CF-VB ¥ 3.498
093N06N-VB TO220 ¥ 2.9159
100N08N-VB TO262 ¥ 4.8594
10N60KL-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N60L-TF1-T-VB ¥ 4.2759
10N65L-TF3-T-VB ¥ 4.2759
12N65L-ML TO220F1 ¥ 0