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NVR5124PLT1G

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: onsemi 数字晶体管, SOT-23封装, 贴片安装
供应商型号: 31M-NVR5124PLT1G
供应商: 云汉优选
标准整包数: 5
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NVR5124PLT1G

NVR5124PLT1G概述

    NVR5124PL MOSFET 技术手册综述

    产品简介


    NVR5124PL 是一款采用沟槽工艺制造的单个 P 沟道 MOSFET,封装形式为 SOT-23。其主要应用领域包括汽车电子和其他需要独特位址和控制变化要求的应用。NVR5124PL 已通过 AEC-Q101 认证,并具备 PPAP 能力,是铅(Pb)-Free 和 RoHS 合规的产品。

    技术参数


    以下是 NVR5124PL 的主要技术规格和性能参数:
    - 漏极-源极电压:VDSS = -60 V
    - 栅极-源极电压:VGS = ±20 V
    - 连续漏极电流:
    - TA = 25°C 时,ID = -1.1 A
    - TA = 100°C 时,ID = -0.67 A
    - 功率耗散:
    - TA = 25°C 时,PD = 0.47 W
    - TA = 100°C 时,PD = 0.19 W
    - 脉冲漏极电流:TA = 25°C, tp = 10 μs 时,IDM = 25 A
    - 工作结温范围:TJ, Tstg = -55°C 到 +150°C
    - 源极电流(体二极管):IS = -0.6 A
    - 引脚温度:焊接目的下,引脚温度 TL = 260°C
    - 阻断电压:V(BR)DSS = -60 V
    - 导通电阻:RDS(on) @ -10 V, ID = -3 A 时,RDS(on) = 183-230 mΩ
    - 总栅极电荷:QG(TOT) @ VGS = -4.5 V, VDS = -48 V, ID = -3 A 时,QG(TOT) = 2.3 nC
    - 开关特性:
    - 开启延迟时间 td(on) @ VGS = -4.5 V, VDS = -48 V, ID = -3 A, RG = 2.5 Ω 时,td(on) = 6.6 ns
    - 上升时间 tr = 10.6 ns
    - 关闭延迟时间 td(off) = 12.2 ns
    - 下降时间 tf = 3.5 ns
    - 二极管特性:
    - 正向二极管电压 VSD @ TJ = 25°C 时,VSD = -0.88 V 至 -1.0 V
    - 反向恢复时间 tRR @ TJ = 25°C 时,tRR = 15 ns

    产品特点和优势


    NVR5124PL 具有以下显著特点和优势:
    - 先进工艺技术:采用沟槽技术制造,确保高性能和可靠性。
    - 认证与合规性:通过 AEC-Q101 认证,并具备 PPAP 能力,适用于汽车和其他高要求应用。
    - 环保:无铅且符合 RoHS 标准,满足环保要求。
    - 高可靠性:在不同温度下的稳定工作表现,确保长时间的可靠运行。

    应用案例和使用建议


    NVR5124PL 在多种场合下都能发挥重要作用,例如:
    - 汽车电子:用于车身控制系统、动力传动系统等。
    - 工业控制:如电机驱动、电源管理等。
    - 消费电子:如笔记本电脑、手机充电器等。
    使用建议:
    - 确保在使用过程中遵守数据表中的电气特性限制。
    - 遵循推荐的焊接温度和时间,以避免损坏。
    - 根据具体应用需求选择合适的外部栅极电阻值,以优化开关性能。

    兼容性和支持


    NVR5124PL 与各种汽车电子和工业控制系统中的其他元器件兼容良好。ON Semiconductor 提供技术支持,确保客户在使用过程中获得帮助。

    常见问题与解决方案


    以下是一些可能遇到的问题及解决方案:
    - 问题1:设备在高温环境下工作不稳定。
    - 解决方案:确保设备安装在散热良好的环境中,或者增加外部散热装置。
    - 问题2:设备出现短暂过载现象。
    - 解决方案:检查电路设计,确保没有超负荷工作,同时考虑增加过载保护措施。

    总结和推荐


    总体而言,NVR5124PL 是一款具有优异性能和广泛适用性的 P 沟道 MOSFET。它不仅具备先进的技术和高可靠性,还符合环保标准。强烈推荐应用于需要高可靠性和高效率的场合,尤其是在汽车电子和工业控制系统中。对于需要详细技术支持的客户,ON Semiconductor 提供全面的支持服务,确保客户能够顺利部署并优化产品性能。

NVR5124PLT1G参数

参数
Vds-漏源极击穿电压 60V
Id-连续漏极电流 1.1A
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2.5V@ 250µA
通道数量 1
栅极电荷 4.3nC@ 10 V
配置 独立式
FET类型 1个P沟道
最大功率耗散 470mW(Ta)
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 240pF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 230mΩ@ 3A,10V
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 2.9mm*1.3mm*1mm
通用封装 SOT-23-3,TO-236
安装方式 贴片安装
应用等级 汽车级
零件状态 在售
包装方式 卷带包装

NVR5124PLT1G厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NVR5124PLT1G数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NVR5124PLT1G NVR5124PLT1G数据手册

NVR5124PLT1G封装设计

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