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IRLS640A

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 40W(Tc) 20V 2V@ 250µA 56nC@ 5 V 1个N沟道 200V 180mΩ@ 4.9A,5V 9.8A 1.705nF@25V TO-220F-3 通孔安装 10.36mm*4.9mm*16.07mm
供应商型号: FL-IRLS640A
供应商: 海外现货
标准整包数: 1
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) IRLS640A

IRLS640A概述


    产品简介


    IRLS640A — N-Channel Logic Level A-FET
    IRLS640A 是一款高性能的N沟道逻辑电平增强型功率场效应晶体管(FET),由Fairchild Semiconductor公司设计生产。这种器件采用Fairchild独有的平面双扩散金属氧化物半导体(DMOS)技术制造,旨在减小导通电阻(RDS(on))、提供优异的开关性能,并能承受高能量脉冲下的雪崩和换相模式。这些器件非常适合用于高效率的开关DC/DC转换器、开关模式电源供应器、不间断电源的DC-AC转换器以及电机控制。

    技术参数


    以下是IRLS640A的主要技术规格:
    - 最大漏源电压(VDS):200V
    - 连续漏极电流(TC=25℃):9.8A
    - 最大单脉冲雪崩能量(EAS):6.2mJ
    - 重复雪崩能量(EAR):63mJ
    - 关断延迟时间(td(off)):4.0ns
    - 总栅极电荷(Qg):40nC
    - 最大漏源泄漏电流(IDSS):3.13mA @ VDS=25V
    - 导通电阻(RDS(on)):180mΩ @ VGS=5V
    - 输入电容(Ciss):100pF
    - 输出电容(Coss):6.8pF
    - 反向传输电容(Crss):18.6pF
    - 工作温度范围:-55°C 到 +150°C
    - 最大接点温度:150°C
    - 最大引脚焊接温度:300°C(5秒)

    产品特点和优势


    IRLS640A具有以下特点和优势:
    - 低栅极电荷:典型值为40nC,适合高频应用。
    - 低Crrs:典型值为95pF,降低电路干扰。
    - 快速开关:优化的开关速度,提高系统效率。
    - 100%雪崩测试:确保器件的可靠性和耐用性。
    - 增强的dv/dt能力:适用于快速变化的信号。
    这些特点使得IRLS640A在各种高效率电源转换器和其他开关电路中表现出色。

    应用案例和使用建议


    IRLS640A广泛应用于以下领域:
    - 高效率开关DC/DC转换器
    - 开关模式电源供应器
    - 不间断电源的DC-AC转换器
    - 电机控制
    使用建议:
    1. 温度管理:确保器件的工作温度不超过150°C,必要时采取散热措施。
    2. 驱动电路设计:选择合适的栅极驱动电阻以优化开关时间和电荷。
    3. 电路布局:注意栅极和漏源引脚的走线布局,减少寄生电感和杂散电容的影响。

    兼容性和支持


    IRLS640A采用TO-220F封装,可与其他标准封装的电子元器件兼容。Fairchild/ON Semiconductor提供了详尽的技术支持和文档资源,包括设计指南、应用笔记和在线技术支持,确保用户能够轻松集成和优化使用。

    常见问题与解决方案


    以下是一些常见的问题及解决方法:
    1. 问题:器件过热
    - 解决方案:检查散热设计,确保器件的工作温度不超过150°C。
    2. 问题:开关速度慢
    - 解决方案:调整栅极驱动电阻,优化驱动波形。
    3. 问题:漏源电压过高
    - 解决方案:确保使用适当的保护电路,避免超过额定的最大电压。

    总结和推荐


    总结:
    IRLS640A是一款高性能的N沟道逻辑电平增强型FET,具备出色的导通电阻、快速开关特性和高可靠性。它的应用广泛,特别适合于高效率电源转换器和开关电路的设计。在选择和使用该器件时,应特别注意温度管理和驱动电路设计,以确保最佳性能。
    推荐:
    IRLS640A因其优异的性能和广泛的适用性,是各类电源转换和开关应用的理想选择。我们强烈推荐将其用于需要高效率和可靠性的项目中。

IRLS640A参数

参数
通道数量 1
最大功率耗散 40W(Tc)
Vgs(th)-栅源极阈值电压 2V@ 250µA
Id-连续漏极电流 9.8A
栅极电荷 56nC@ 5 V
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 1.705nF@25V
Rds(On)-漏源导通电阻 180mΩ@ 4.9A,5V
配置 独立式
Vds-漏源极击穿电压 200V
FET类型 1个N沟道
Vgs-栅源极电压 20V
长*宽*高 10.36mm*4.9mm*16.07mm
通用封装 TO-220F-3
安装方式 通孔安装
零件状态 最后售卖
包装方式 管装

IRLS640A厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

IRLS640A数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR IRLS640A IRLS640A数据手册

IRLS640A封装设计

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