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NDP7060

产品分类: 场效应管(MOSFET)
厂牌: ON SEMICONDUCTOR
产品描述: 150W(Tc) 20V 4V@ 250µA 115nC@ 10 V 1个N沟道 60V 13mΩ@ 40A,10V 75A 3.6nF@25V TO-220-3 通孔安装 10.67mm*4.7mm*16.3mm
供应商型号: LO-3368849
供应商: 海外现货
标准整包数: 0
ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) NDP7060

NDP7060概述


    产品简介


    NDP7060/NDB7060:N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
    NDP7060和NDB7060是Fairchild Semiconductor(现为ON Semiconductor)生产的N沟道增强模式场效应晶体管(N-Channel Enhancement Mode MOSFET)。这些晶体管采用了高性能的DMOS技术,特别适用于汽车、直流-直流转换器、PWM电机控制以及其他需要快速开关、低损耗和高瞬态耐受性的电池供电电路。

    技术参数


    绝对最大额定值
    - VDSS(漏-源电压): 60 V
    - VDGR(漏-栅电压,RGS<1 MΩ): 60 V
    - VGSS(栅-源电压,连续): ±20 V
    - 非重复性(tp<50 µs): ±40 V
    - ID(漏极电流,连续): 75 A
    - 脉冲: 225 A
    - PD(最大功率耗散,TC=25°C): 150 W
    - 过25°C时的降额: 1 W/°C
    - TJ,TSTG(工作和存储温度范围): -65°C至175°C
    - TL(最大引脚温度用于焊接,距外壳1/8英寸,持续5秒): 275°C
    电气特性(除非另有说明,TC=25°C)
    - RDS(ON)(静态漏-源导通电阻,VGS=10V,ID=40A): 0.013 Ω
    - VGS(th)(门限电压,VDS=VGS,ID=250 µA): 2 V 至 4 V
    - Ciss(输入电容,VDS=25V,VGS=0V,f=1.0 MHz): 2960 pF 至 3600 pF
    - Coss(输出电容): 1130 pF 至 1600 pF
    - Crss(反向转移电容): 380 pF 至 800 pF

    产品特点和优势


    1. 高性能DMOS技术: 采用高密度工艺,旨在最小化导通电阻,提高开关性能,并具有高能脉冲承受能力。
    2. 低导通电阻: 静态漏-源导通电阻RDS(ON)仅为0.013Ω(VGS=10V,ID=40A),尤其适合需要低损耗的应用。
    3. 内部体二极管: 内置的源-漏体二极管可以消除对外部Zener二极管的需求,进一步简化设计。
    4. 高密度单元设计: 通过优化单元结构,实现极低的RDS(ON),适用于各种低电压应用。
    5. 多种封装形式: 支持TO-220和TO-263(D2PAK)封装,适用于通孔和表面贴装应用。

    应用案例和使用建议


    应用案例:
    - 汽车电子: 适用于车载电源管理系统。
    - 直流-直流转换器: 用于高效能量转换。
    - PWM电机控制: 在电机控制系统中提供快速响应。
    - 电池供电电路: 如笔记本电脑、手持设备等。
    使用建议:
    - 环境温度管理: 确保使用过程中不会超过最高温度限制(175°C),特别是在高功率应用中。
    - 散热设计: 使用适当的散热片和热管理措施以确保稳定运行。
    - 驱动电路设计: 合理设计驱动电路以避免电压应力和浪涌电流。

    兼容性和支持


    - 兼容性: 该产品与大多数主流电源管理和控制电路兼容。
    - 技术支持: ON Semiconductor提供详细的技术文档和应用指南,并通过其技术支持中心提供帮助。

    常见问题与解决方案


    1. 问题:设备过热
    - 解决方案: 使用散热器或散热片来改善散热条件,确保电路工作在推荐的工作温度范围内。
    2. 问题:性能不稳定
    - 解决方案: 检查电源电压是否稳定,检查驱动电路设计是否有误。
    3. 问题:设备损坏
    - 解决方案: 确保所有电气连接正确无误,遵循正确的安装步骤和工艺。

    总结和推荐


    综合评估:
    - 优点: NDP7060和NDB7060具备出色的性能参数和广泛的适用范围,尤其适用于要求快速开关和低损耗的应用场合。
    - 缺点: 在高电流环境下可能需要额外的散热措施。
    推荐:
    - 强烈推荐使用该产品在需要快速开关、低损耗和高可靠性的应用中。确保在使用过程中充分考虑散热和电气连接的可靠性。

NDP7060参数

参数
最大功率耗散 150W(Tc)
Rds(On)-漏源导通电阻 13mΩ@ 40A,10V
FET类型 1个N沟道
Vds-漏源极击穿电压 60V
Vgs(th)-栅源极阈值电压 4V@ 250µA
配置 独立式
Id-连续漏极电流 75A
Ciss-不同 Vds 时的输入最大电容 3.6nF@25V
Vgs-栅源极电压 20V
通道数量 1
栅极电荷 115nC@ 10 V
长*宽*高 10.67mm*4.7mm*16.3mm
通用封装 TO-220-3
安装方式 通孔安装
零件状态 停产
包装方式 管装

NDP7060厂商介绍

ON Semiconductor(安森美半导体)是一家全球领先的半导体供应商,总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯。公司成立于1999年,由摩托罗拉的半导体部门拆分而来,专注于提供广泛的半导体解决方案。

ON Semiconductor的主营产品包括电源管理、模拟、传感器和连接解决方案。产品分类主要包括:

1. 电源管理:包括电源模块、电源管理IC、电池管理等,广泛应用于消费电子、工业、汽车等领域。
2. 模拟:包括放大器、数据转换器、接口等,应用于通信、医疗、工业控制等领域。
3. 传感器:包括图像传感器、环境传感器、运动传感器等,应用于汽车、工业、消费电子等领域。
4. 连接解决方案:包括以太网、无线通信、接口等,应用于通信、工业、汽车等领域。

ON Semiconductor的优势在于:

1. 技术创新:公司持续投入研发,拥有多项专利技术,为客户提供高性能、高可靠性的半导体解决方案。
2. 产品多样性:产品线丰富,覆盖多个应用领域,满足客户的多样化需求。
3. 客户服务:公司在全球设有多个销售和技术支持中心,为客户提供及时、专业的服务。
4. 供应链管理:公司在全球设有多个生产基地,确保产品的稳定供应和质量控制。

NDP7060数据手册

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ON SEMICONDUCTOR 场效应管(MOSFET) ON SEMICONDUCTOR NDP7060 NDP7060数据手册

NDP7060封装设计

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